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1石墨烯的制备、表征及其场发射性能研究概述 1 1 1 1 3 5实验所需使用的测试设备为真空管式炉系统。进行反应，石墨烯进行反应，石墨烯生长碳源气体升温至900到1000摄氏度，保温保护气体降至室温金属箔片预处理金属箔片放入石通入保护气体具体实验流程为：2物和其他杂质，将铜箔放入稀盐酸中超声冲洗15-30分钟。清洗完成后，将铜箔依次放(2)石墨烯的生长和退火处理置在温区的中间段。调整放气阀使用机械泵把管式炉抽至真空1×10-²Pa,再通入200SCCM的氩气和30SCCM的氢气作为载气。然后开始加热到900-1000℃时，停止通入氩气，开始通入20SCCM的甲烷，需保持炉内气压为200Pa。此时，石墨烯开始在铜箔的表面生长，待30分钟后，停止通入甲烷，开始通入200SCCM的氩气。随后对铜箔(3)石墨烯的转移热CVD法制得的石墨烯在铜箔表面，为了有效进行石墨烯的利用和表征，需第一步，配置聚甲基丙烯酸甲酯溶液。称取少量PMMA粉末融入丙酮溶剂中，使溶液的浓度为20mg/ml,待粉末完全溶解得到透明的溶液。第二步，使用旋涂法在铜箔表面生长石墨烯上涂抹一层PMMA薄膜。起始转速为300转/秒，时间为5秒，在调整转速为5000转/秒，时间为30秒。第三步，进行坚膜处理。将涂有PMMA溶液的样品放置加热台上进行加热，加热温度为110℃,保持30秒，石墨烯表面的薄膜固化即可。薄膜的铜箔放入刻蚀液中，经过五个小时的腐蚀，剩下PMMA和石墨烯的混合物。和石墨烯的混合物，此步骤重复进行五次。将二氧化硅衬底放于PMMA和石墨烯的底第六步，将PMMA和石墨烯混合物置于一个干净的容器中，然后在混合物的表面的滴上少许丙酮溶液，把PMMA溶解掉后，把至此，石墨烯转移完成。下图2-2为石墨烯转移示意图。3铜铜图2-2石墨烯转移示意图左图为未去除PMMA的石墨烯右图为转移至二氧化硅上的石墨烯图2-3石墨烯转移实物图1.2石墨烯的表征和场发射性能测试我们通常根据石墨烯的层数来判断样品是否为需要的样品，当层数为1-2层时称为少层石墨烯，当层数为3-10层称为多层石墨烯，当层数多于10层时称为石墨。因此需要对样品进行层数判定。本论文采用扫描电子显微镜(SEM)来对转移后的石墨的观察石墨烯，我们将石墨烯转移到铜载网上进行扫描，下图2-4(a)为通过SEM观4图2-4通过SEM观察不同衬底上的石墨烯图像被完全刻蚀，故可能有残留的铜存在。被完全刻蚀，故可能有残留的铜存在。68ElemenOKManie19"图2-5石墨烯能谱分析图像谱图，为了测试的准确性和可靠性，选择了5个测试点。在结果图上可知，它们的D峰 5对称，且G峰(~1580cm-1)与2D(~2670cm-¹)峰之间的比值大约在0.3左右，且0下图2-7是石墨烯的场发射曲线J-E曲线，从图中可以看出，最大的电流密度为75μm/cm²,

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