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文档简介
数据中心交换机高速PCB发展趋势及设计仿真挑战孙安兵/锐捷网络©2025ANSYS,Inc.10年5代产品,16倍带宽4代serde速率,10倍芯片serdes数量4倍
风冷极限?铜互连极限?
201620182020
20222025200T?o
s
25.6T6.4T小核心交换机规格发展
25G56G112G224G448G
51.2Tserdes速率单芯片serdes数量x512
102.4Tx1024
x256
12.8TPCB+线缆方案,可达128端口PCB+扣板连接器方案,
可达128端口小核心交换机硬件架构中的PCB应用插卡方案,灵活配置,需要phy芯片单PCB,最大64端口NPO/CPO,
PCB应用?
端口侧标准的制定,核心是支撑传输距离。
光模块中芯片潜力不断挖掘。
新的问题:功耗增加,热设计逼近风冷极限,液冷时代开启。C2M标准的发展32dB@53.125
G●10
2556112224448
Gbps10
2556112224448
Gbps标准(芯片)可支持最大损耗PCB材料可传输距离趋势12dB@26.56G低功耗,低成本光模块host4.4~6dB@5.16G500mm200mm30252015105.
?●200mm
~250mm●200mm
~250mm20dB
DSP光模块7.3dB@12.89G300mm
~400mm300mm
~350mm300mm
~350mm7.3dB@
13.28GNRZPAM4die2die16dB?28~324mm+高速层8层电源-800W(近1000A)5代芯片,112Gserdes单芯片512对高速线PCB?CPC?CPO?50层+
,8mm?高速层12层电源-2500W(近3000A)7代芯片,448Gserdes单芯片512对高速线?6.5代芯片,224Gserdes单芯片1024对高速线6代芯片,224Gserdes单芯片512对高速线
cable5.5代芯片,112Gserdes单芯片1024对高速线28层~4mm高速层8层电源-400W(500A)4代芯片,56Gserdes单芯片512对高速线高速PCB叠层的发展40层+6mm+高速层8层电源-1400W(近2000A)N+M200T100T50T25.6T44层+
6mm+高速层12层电源-1400W(近2000A)2020202220252027serdes速率(bps)10G-NRZ25G-NRZ56G-PAM4112
G-PAM4224G-PAM4主流开发时间~2010~2014~2018~20222025~光模块端口SFP+/QSFP+QSFP28QSFP56/QSFPDDOSFP800/QSFP112OSFP1600C2M标准的损耗要求(host)4.4dB7dB7dB12dB15dB?(die2die
32dB)典型高速板材(参考松下)M4M4/M6M6/M7M7/M8M8/M9铜箔RTFRTF/HVLPHVLPHVLPHVLP高速PCB
的发展-速率,板材serdes速率(bps)112G224
G448G(预估)单芯片功耗800w/1400W1400W/2500w+2500W+~芯片电流1000A/2000A2000A+/3600A+3600A+电源层需求(2oz)4个层/8oz8个层/16oz8个层/16oz14个层/28oz14个层/28oz448G对
PCB
电源设计的需求预估50层+12个高速信号层20层+电源电热仿真:
破解功耗与温升的恶性循环随着芯片功耗迈向2800W,电流超过4000A,焦耳热影响不容忽视!
局部温升引发铜箔电阻率和介质损耗增大,加剧信号衰减和PDN压降。电热双向耦合仿真(Ansys
Icepak+SIwave)
,
可迭代计算温度场与电性能的相互影响,避免阻抗失配和眼图塌陷。材料参数优化:终结高频“盲测”误差112G-PAM4信号基频28GHz,但板材商通常提供10GHz以下Dk/Df参数,直接外推至56GHz时插损误差超15%,频率未来到
112G时误差更大。HFSS+optiSLang,可以用测试板S参数反演0-112GHz频变材料参数,结合
Cannonball-Huray铜粗糙度模型,确保损耗仿真评估的准确性。元模型CPO
/CPC/NPO:突破电传输极限的必选项112G速率下,
PCB走线在28GHz频点损耗达1.2dB/inch
,
14英寸走线总损耗超16dB。CPO技术将光电芯片封装在同一个基板上,
使得电传输距离缩至5cm内,插损<2dB,功耗降30%
,AI的需求会推动新技术的快速发展落地。24RxchannelsPackageSubstrateubumpsaggregate
perSilicon
Photonics
InterposerC4
bumpsASIC(xPU,
FPGA,
…)TSV24TxchannelsElectronicChip
(EIC)RDLSiliconBOXOptical
CouplingC4
bumpsPCB翘曲仿真:高密度组装的“隐形杀手”新一代高速PCB均为40层以上,厚度大于6mm!
因铜箔与介质的CTE失配,回流焊时会诱发大于100μm的翘曲,导致BGA焊点开裂或阻抗偏移。采用Ansys
Mechanical多尺度建模,宏观预测整体翘曲量(误差<5%),微观分析芯片角点应力(>180MPa),再以反向预翘曲工艺,可将层偏压至3mil内。Un-deformed
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