HJT电池透明导电膜刻蚀工艺考核试卷

HJT电池透明导电膜刻蚀工艺考核试卷一、单项选择题（每题1分，共30题）1.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀气体是？A.SF6B.CHF3C.Cl2D.H22.刻蚀过程中，为了提高刻蚀均匀性，通常采用？A.减小晶圆尺寸B.增加刻蚀腔体压力C.优化射频功率D.使用单一气体3.HJT电池透明导电膜刻蚀深度控制的关键因素是？A.刻蚀气体流量B.刻蚀温度C.晶圆旋转速度D.以上都是4.刻蚀后，透明导电膜表面粗糙度主要受以下哪项影响？A.刻蚀气体纯度B.刻蚀时间C.晶圆温度D.以上都是5.刻蚀过程中，为了避免过度刻蚀，应？A.增加刻蚀气体流量B.降低射频功率C.提高晶圆温度D.减小刻蚀时间6.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀设备类型是？A.等离子体刻蚀机B.光刻机C.腐蚀机D.离子注入机7.刻蚀工艺中，刻蚀速率的主要影响因素是？A.刻蚀气体种类B.刻蚀温度C.射频功率D.以上都是8.刻蚀后，透明导电膜电阻率的主要检测方法？A.四探针法B.光学显微镜C.调制光谱法D.X射线衍射9.刻蚀工艺中，为了避免晶圆污染，通常采用？A.使用高纯度气体B.定期清洁刻蚀腔体C.使用惰性气体保护D.以上都是10.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀参数优化方法是？A.正交试验法B.单因素试验法C.计算机模拟法D.以上都是11.刻蚀过程中，为了提高刻蚀选择性，通常采用？A.添加抑制剂B.优化刻蚀气体配比C.提高刻蚀温度D.以上都是12.刻蚀后，透明导电膜表面缺陷的主要成因是？A.刻蚀气体不纯B.刻蚀时间过长C.晶圆温度不均D.以上都是13.刻蚀工艺中，刻蚀均匀性的主要检测方法？A.膜厚测量仪B.表面形貌仪C.电阻率测试仪D.以上都是14.刻蚀过程中，为了避免晶圆弯曲，应？A.增加晶圆夹持力B.降低刻蚀温度C.优化刻蚀气体流量D.以上都是15.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀终点检测方法？A.光学监测B.电阻率监测C.膜厚监测D.以上都是16.刻蚀工艺中，刻蚀速率的主要影响因素是？A.刻蚀气体种类B.刻蚀温度C.射频功率D.以上都是17.刻蚀后，透明导电膜电阻率的主要检测方法？A.四探针法B.光学显微镜C.调制光谱法D.X射线衍射18.刻蚀工艺中，为了避免晶圆污染，通常采用？A.使用高纯度气体B.定期清洁刻蚀腔体C.使用惰性气体保护D.以上都是19.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀参数优化方法是？A.正交试验法B.单因素试验法C.计算机模拟法D.以上都是20.刻蚀过程中，为了提高刻蚀选择性，通常采用？A.添加抑制剂B.优化刻蚀气体配比C.提高刻蚀温度D.以上都是21.刻蚀后，透明导电膜表面缺陷的主要成因是？A.刻蚀气体不纯B.刻蚀时间过长C.晶圆温度不均D.以上都是22.刻蚀工艺中，刻蚀均匀性的主要检测方法？A.膜厚测量仪B.表面形貌仪C.电阻率测试仪D.以上都是23.刻蚀过程中，为了避免晶圆弯曲，应？A.增加晶圆夹持力B.降低刻蚀温度C.优化刻蚀气体流量D.以上都是24.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀终点检测方法？A.光学监测B.电阻率监测C.膜厚监测D.以上都是25.刻蚀工艺中，刻蚀速率的主要影响因素是？A.刻蚀气体种类B.刻蚀温度C.射频功率D.以上都是26.刻蚀后，透明导电膜电阻率的主要检测方法？A.四探针法B.光学显微镜C.调制光谱法D.X射线衍射27.刻蚀工艺中，为了避免晶圆污染，通常采用？A.使用高纯度气体B.定期清洁刻蚀腔体C.使用惰性气体保护D.以上都是28.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀参数优化方法是？A.正交试验法B.单因素试验法C.计算机模拟法D.以上都是29.刻蚀过程中，为了提高刻蚀选择性，通常采用？A.添加抑制剂B.优化刻蚀气体配比C.提高刻蚀温度D.以上都是30.刻蚀后，透明导电膜表面缺陷的主要成因是？A.刻蚀气体不纯B.刻蚀时间过长C.晶圆温度不均D.以上都是二、多项选择题（每题2分，共20题）1.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀气体有哪些？A.SF6B.CHF3C.Cl2D.H22.刻蚀过程中，提高刻蚀均匀性的方法有哪些？A.减小晶圆尺寸B.增加刻蚀腔体压力C.优化射频功率D.使用单一气体3.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀设备类型有哪些？A.等离子体刻蚀机B.光刻机C.腐蚀机D.离子注入机4.刻蚀工艺中，刻蚀速率的主要影响因素有哪些？A.刻蚀气体种类B.刻蚀温度C.射频功率D.以上都是5.刻蚀后，透明导电膜电阻率的主要检测方法有哪些？A.四探针法B.光学显微镜C.调制光谱法D.X射线衍射6.刻蚀工艺中，为了避免晶圆污染，通常采用哪些方法？A.使用高纯度气体B.定期清洁刻蚀腔体C.使用惰性气体保护D.以上都是7.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀参数优化方法有哪些？A.正交试验法B.单因素试验法C.计算机模拟法D.以上都是8.刻蚀过程中，提高刻蚀选择性的方法有哪些？A.添加抑制剂B.优化刻蚀气体配比C.提高刻蚀温度D.以上都是9.刻蚀后，透明导电膜表面缺陷的主要成因有哪些？A.刻蚀气体不纯B.刻蚀时间过长C.晶圆温度不均D.以上都是10.刻蚀工艺中，刻蚀均匀性的主要检测方法有哪些？A.膜厚测量仪B.表面形貌仪C.电阻率测试仪D.以上都是11.刻蚀过程中，为了避免晶圆弯曲，应采取哪些措施？A.增加晶圆夹持力B.降低刻蚀温度C.优化刻蚀气体流量D.以上都是12.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀终点检测方法有哪些？A.光学监测B.电阻率监测C.膜厚监测D.以上都是13.刻蚀工艺中，刻蚀速率的主要影响因素有哪些？A.刻蚀气体种类B.刻蚀温度C.射频功率D.以上都是14.刻蚀后，透明导电膜电阻率的主要检测方法有哪些？A.四探针法B.光学显微镜C.调制光谱法D.X射线衍射15.刻蚀工艺中，为了避免晶圆污染，通常采用哪些方法？A.使用高纯度气体B.定期清洁刻蚀腔体C.使用惰性气体保护D.以上都是16.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀参数优化方法有哪些？A.正交试验法B.单因素试验法C.计算机模拟法D.以上都是17.刻蚀过程中，提高刻蚀选择性的方法有哪些？A.添加抑制剂B.优化刻蚀气体配比C.提高刻蚀温度D.以上都是18.刻蚀后，透明导电膜表面缺陷的主要成因有哪些？A.刻蚀气体不纯B.刻蚀时间过长C.晶圆温度不均D.以上都是19.刻蚀工艺中，刻蚀均匀性的主要检测方法有哪些？A.膜厚测量仪B.表面形貌仪C.电阻率测试仪D.以上都是20.刻蚀过程中，为了避免晶圆弯曲，应采取哪些措施？A.增加晶圆夹持力B.降低刻蚀温度C.优化刻蚀气体流量D.以上都是三、判断题（每题1分，共20题）1.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀气体是SF6。2.刻蚀过程中，为了提高刻蚀均匀性，通常采用增加刻蚀腔体压力。3.HJT电池透明导电膜刻蚀深度控制的关键因素是刻蚀气体流量。4.刻蚀后，透明导电膜表面粗糙度主要受刻蚀气体纯度影响。5.刻蚀过程中，为了避免过度刻蚀，应增加刻蚀时间。6.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀设备类型是等离子体刻蚀机。7.刻蚀工艺中，刻蚀速率的主要影响因素是刻蚀气体种类。8.刻蚀后，透明导电膜电阻率的主要检测方法是四探针法。9.刻蚀工艺中，为了避免晶圆污染，通常采用使用高纯度气体。10.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀参数优化方法是正交试验法。11.刻蚀过程中，为了提高刻蚀选择性，通常采用添加抑制剂。12.刻蚀后，透明导电膜表面缺陷的主要成因是刻蚀气体不纯。13.刻蚀工艺中，刻蚀均匀性的主要检测方法是膜厚测量仪。14.刻蚀过程中，为了避免晶圆弯曲，应降低刻蚀温度。15.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀终点检测方法是光学监测。16.刻蚀工艺中，刻蚀速率的主要影响因素是射频功率。17.刻蚀后，透明导电膜电阻率的主要检测方法是光学显微镜。18.刻蚀工艺中，为了避免晶圆污染，通常采用定期清洁刻蚀腔体。19.HJT电池透明导电膜刻蚀工艺中，常用的刻蚀参数优化方法是计算机模拟法。20.刻蚀过程中，为了提高刻蚀选择性，通常采用优化刻蚀气体配比。四、简答题（每题5分，共2题）1.简述HJT电池透明导电膜刻蚀工艺的主要步骤和关键控制点。2.如何提高HJT电池透明导电膜刻蚀工艺的均匀性和选择性？附标准答案一、单项选择题1.A2.C3.D4.D5.B6.A7.D8.A9.D10.D11.D12.D13.D14.D15.D16.D17.A18.D19.D20.D21.D22.D23.D24.D25.D26.A27.D28.D29.D30.D二、多项选择题1.ABCD2.ABC3.AD4.ABCD5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABC9.ABCD10.ABCD11.ABC12.ABCD13.ABCD14.ABCD15.ABCD16.ABCD17.ABC18.ABCD19.ABCD20.ABC三、判断题1.×2.×3.×4.√5.×6.√7.√8.√9.√10.√11.√12