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文档简介

IR2136芯片驱动及编程指南3.动态控制与优化占空比调整：通过修改`TIM_OCInitStructure.TIM_Pulse`实现，需调用`TIM_OCxInit`更新。死区时间动态配置：在运行时修改`TIM_BDTRInitStructure.TIM_DeadTime`并调用`TIM_BDTRConfig`。过流阈值调整：若硬件支持，可通过DAC或PWM动态调整采样电阻的参考电压（需结合外部电路）。四、调试与故障排查1.硬件调试电源测试：测量VCC、VBx（高压侧电源）电压，确保VCC=15V±5%，VBx在自举后与VCC电压差<1V（空载时）。波形观测：用示波器测量HOx与LOx的PWM波形，检查死区时间是否正确（上下桥臂波形无重叠），高压侧波形的幅值应接近VCC（自举正常时）。保护触发测试：短接功率管或注入过流信号，观察FAULT引脚是否触发、驱动输出是否关断。2.软件调试串口打印：在故障处理函数中输出状态，确认软件逻辑是否正确响应。断点调试：在PWM更新、故障检测等关键位置设置断点，检查寄存器值与预期是否一致。3.常见问题及解决驱动波形异常（如高压侧无输出）：检查自举二极管是否反接、自举电容是否失效，或UVLO检测电路分压错误。过流误触发：降低采样电阻的ESR，或在R_sense两端并联更大的滤波电容（如1nF）。功率管损坏：检查栅极电阻是否过小（导致过冲）或过大（驱动不足），调整Rg至合适值（如22Ω）。五、应用实例与优化建议1.三相BLDC电机驱动实例在BLDC驱动中，IR2136可配合STM32的FOC算法，通过PWM控制三相桥的导通逻辑。关键优化点：死区时间匹配：根据电机转速与母线电压，动态调整死区时间（高速时减小，低速时增大）。自举电容优化：高转速、高占空比时，自举电容需足够大（如0.47μF）以避免电压跌落。2.设计优化建议散热设计：IR2136的结温需<125℃，建议在芯片下方铺铜并连接散热过孔，必要时加装散热片。EMI抑制：栅极驱动线需短且双绞，功率地与信号地单点连接，在驱动输出端并联10nF电容抑制EMI。冗余设计：增加外部硬件保护（如快熔、TVS管），防止IR2136故障导致的系统损坏。结语IR2136的驱动与编程需兼顾硬件可靠性与软件灵活性，通过合理设计电源、自举电路与保护逻辑，结合精准的PWM控制，可实现高效、稳定的功率变换系统

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