新能源汽车电力电子基础 课件 任务一 连接二极管单向导电控制电路

模块五新能源汽车电机驱动控制电路【模块描述】

新能源汽车电机驱动控制系统由电机、电控器和电池组成的系统。电机是新能源汽车电机驱动系统的核心部件，负责将电能转换为机械能，驱动车辆运动。电控器是控制电机工作的关键设备，其核心部件是由绝缘栅双极晶体管（IGBT：InsulatedGateBipolarTransistor）芯片与续流二极管（FWD）芯片通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，即IGBT模块，是新能源汽车电力电子装置的核心。电控器接收来自车辆控制系统的指令，通过控制电机的工作状态来实现车辆的加速、减速和制动等功能。电池是新能源汽车电机驱动系统的能量存储装置，用于提供电能供给电机工作。电机驱动系统组成电路如图5-1所示。本模块通过编排任务一测试PN结单向导电性；任务二连接二极管整流电路；任务三连接晶体管稳压电路；任务四连接场效应管开关控制电路；任务五连接新能源汽车电机驱动控制电路的实施。让学习者在真实的任务实践或仿真工作情境中进行操作与感知，从而获得该工作领域所应具备的半导体器件二极管、晶体管、场效应管和IGBT的特性、工作原理以及掌握上述器件在新能源汽车斩波、逆变、变频以及电机驱动控制电路等方面应用的知识。图5-1新能源汽车电机驱动控制系统模块五新能源汽车电机驱动控制电路任务一连接二极管单

向导电控制电路【任务目标】1）掌握半导体基本知识、PN结及其单向导电性；2）了解二极管的结构与类型、二极管的伏安特性及主要参数；了解硅稳压管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等特殊二极管的外形特征、功能和实际应用。【三维目标】1）培养规范操作、善于观察、认真记录、学会分析的学习习惯；2)培养一丝不苟，精益求精的工匠品质。1）具备利用数字万用表判别各种二极管极性和好坏的能力；具备辨析各种不同类型用途二极管的能力。知识目标：核心素养：技能目标：【任务描述】【任务描述】

二极管在新能源汽车上有着广泛的应用，如：在逆变电路（DC-AC变换电路）中，起到将直流电转换成交流电；利用稳压管的稳压特性为汽车仪表提供稳定的电源；发光二极管广泛用在汽车仪表盘的各种指示及前照灯或转向灯上。本任务通过连接二极管单向导电控制电路的实施，来介绍半导体基本知识、PN结结构和单向导电性、普通二极管和几种特殊二极管的结构、基本特性及其应用等。【任务实施】01器材器材连接二极管单向导电控制电路所需器材如表5-1所示。表5-1连接二极管单向导电控制电路所需器材序号名称实物图序号名称实物图1导线

6稳压二极管

2斜口钳

7开关

8电阻

3剥线钳

9灯泡

10数字万用表

4普通二极管

11蓄电池

5发光二极管

02连接二极管单向导电控制电路连接二极管单向导电控制电路1.连接二极管单向导电控制电路如表5-2所示。表5-2连接二极管单向导电控制电路序号任务实施描述实施示意图1

按右上示意图所示裁剪适合长度的导线、剥离相关导线线头的绝缘皮，并按右中图所示的电路依次连接相关元件。连接完毕，接通电源开关，观察右下图所示灯泡发生的现象，并记录。

连接二极管单向导电控制电路1.连接二极管单向导电控制电路如表5-2所示。表5-2连接二极管单向导电控制电路序号任务实施描述实施示意图2

在序号1的基础上，断开电源开关，改变二极管连接方向，如右上图所示，接通电源，观察右下图灯泡发生的现象，并记录。

3检测完毕，切断开关和连接导线，把相关的元件和器件放回指定的位置。

03记录任务实施产生的数据或现象记录任务实施产生的数据或现象记录任务实施产生的数据或现象如表5-3所示。表5-3任务实施产生的数据或现象班级：姓名：日期：1.作业前准备1）检查仪表和元件是否齐全□是

□否2）检查数字万用表通电是否正常□是

□否3）检查灯泡是否正常□是

□否2.记录数据或现象1）序号1，灯泡是否点亮□是

□否2）序号2，灯泡是否点亮□是

□否3）比较序号1和2灯泡发生的现象，你能得出什么结论？

04实施评价【实施评价】表5-4实施评价序号评价项目评价细则分值自评分值互评分值教师评分1准备工作1.选择数字万用表

□正确□错误2.选择二极管

□正确□错误3.选择开关、熔丝□正确□错误4.选择灯泡□正确□错误15

2测试PN结单向导电性1.使用斜口钳裁剪导线□正确□错误2.使用剥线钳剥离线头绝缘皮

□正确□错误3.电路连接□正确□错误4.灯泡□点亮□不亮5.二极管连接方向改变后，灯泡□点亮□不亮55

【实施评价】表5-4实施评价3综合素养节俭、精益求精1.裁剪导线长度□适宜□过长□过短2.观察现象□细致□粗心3.线头连接□紧致□松脱10

安全文明生产1.操作动作□规范□错误2.仪表和元件归位□正确□杂乱3.工位清洁和整理□整洁□杂乱10

4操作时间

操作时间为30分钟，每超过1分钟扣1分。10

5合计100

说明：每项分都是扣完为止班级：学号：姓名：

教师签名：【知识链接】目录CONTENTS一、半导体基本知识三、二极管的结构与类型二、PN结及其单向导电性四、二极管的伏安特性五、二极管的主要参数七、二极管型号命名及极性判别六、特殊二极管八、二极管选用一半导体基本知识1.本征半导体和两种载流子

半导体是指导电能力介于导体与绝缘体之间的材料。制造半导体器件常见的主要材料有硅（Si）、锗（Ge）和砷化镓（GaAs）等，其中硅应用最多，其原子结构如图5-2所示。用于制造半导体器件的纯硅和锗都是晶体，纯净的单晶半导体称为本征半导体。纯净的硅和锗晶体的原子最外层轨道上有四个电子，也称价电子，它们同属于四价元素。在单晶结构中，原子在空间形成整齐排列的晶格，价电子成为相邻的原子所共有，形成如图5-3a）所示的共价键结构（以硅原子为例）。图中+4代表硅原子核和内层电子所具有的净电荷。通常情况下，共价键中的价电子，受共价键束缚，处于稳定状态。图5-2硅原子基本结构

图5-3硅原子共价键结构a）本征激发前

b）本征激发后1.本征半导体和两种载流子

在室温或光照下，少数价电子会获得足够的能量而摆脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键上留下一个空位，称为空穴，如图5-3b）所示，这种现象称为本征激发。本征激发会产生自由电子和空穴，也称电子载流子和空穴载流子，它们是成对出现的。原子失去价电子后带正电，可等效认为是因为有了带正电的空穴。空穴很容易吸引邻近共价键中的价电子去填补，使空穴发生转移，这种价电子填补空穴的运动可以看成是空穴在运动，其运动方向与价电子运动方向相反。自由电子与空穴相遇重新结合而成对消失现象，称为复合。温度一定时，自由电子和空穴的产生与复合会达到动态平衡，这时半导体内部的自由电子和空穴的浓度一定。

如果有外电场施加半导体，那么在电场的作用下，自由电子和空穴可在半导体内部作定向运动形成电流。因此，半导体导电会分别形成电子电流和空穴电流。在常温条件下本征半导体中载流子浓度很低，半导体的导电能力很弱。2.杂质半导体

在实际应用中，为了提高半导体导电性能，需要在本征半导体中掺入某些特定的微量杂质元素，掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。杂质半导体可分为N型和P型两种半导体。

1）N型半导体将一个五价元素（例如磷、砷、锑等，以磷为例）作为杂质掺入到一个硅本征半导体内时，磷原子可以顺利地加入硅晶格结构内。虽然磷原子最外层有五个电子，但只有其中的四个电子能与相邻的硅原子最外层的四个电子连接形成稳定的电子对。也就是说，连接后最外层还剩余一个自由电子（也称多数载流子），从而形成以自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体。杂质半导体自由电子（多数载流子）的数量取决于掺入五价元素的浓度。这种以自由电子导电为主的半导体称为N（电子）型半导体。如图5-4a）所示。2.杂质半导体

2）P型半导体将一个三价元素（例如硼、铝、锢等，以硼为例）作为杂质掺入到一个硅本征半导体内时，硼原子可以顺利地加入硅晶格结构内。一个硼原子的最外层电子只有三个电子，但需要四个电子与其相邻的硅原子最外层的四个电子连接才能形成稳定的电子对。此时，在缺少一个电子的部位留下了一个“空位”，这个“空位”，我们称之为空穴。从而形成以空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子的杂质半导体。杂质半导体空穴（多数载流子）的数量取决于掺入三价元素的浓度。这种以空穴导电为主的半导体称为P（空穴）型半导体。如图5-4b）所示。

由于杂质半导体中存在多数载流子（自由电子或空穴），其值较大（数量取决于掺杂浓度）且稳定，因此杂质半导体的导电性能显著提高且受外界影响较小。杂质半导体导电性能的强弱与掺杂的浓度有关。杂质半导体中的少数载流子主要由本征激发引起的，受温度和光照影响，温度升高或光照增强，少数载流子会增多。2.杂质半导体图5-4杂质半导体a）N型半导体

b）P型半导体二PN结及其单向导电性1.PN结

采用特定制造工艺将P型和N型两种半导体结合在一起，由于P型半导体和N型半导体中的自由电子与空穴的浓度不同，在两种半导体的结合部，P区内高浓度的空穴越过了结合部向N区扩散，去与N区的自由电子复合；同理N区内的高浓度自由电子越过结合部，向P区扩散，与P区空穴复合。这种多数载流子因浓度的差异而产生的运动，称为多子的扩散运动。

扩散运动产生了两个结果，第一，由于N区失去了电子，而P区又失去了空穴，所以N区带正点，P区带负电，因此会在结合部形成一个空间电荷区，称这个空间电荷区为PN结。如图5-5所示；第二，在空间电荷区内，形成了一个内电场，内电场的方向是由N区指向P区，其次，随着扩散运动的进行，空间电荷区会逐渐变宽，内电场也变得越来越强，内电场对多数载流子的扩散运动将起到阻碍的作用。但对少数载流子来说，在内电场的作用下，P区中的少数载流子（即自由电子）非常容易渡过空间电荷区进入N区，而N区中的少数载流子（即空穴）也非常容易渡过空间电荷区进入P区，这种少数载流子在内电场作用下的运动，称为少子漂移运动。1.PN结

当PN结无外加电压时，扩散（多子的扩散运动）和漂移（少子漂移运动）运动在一定条件下达到了动态平衡，从而空间电荷区的宽度处于一个相对稳定的状态，即内电场相对稳定。内电场的电压称为内建电位差，常温时内建电位差，硅材料为0.5-0.7V，锗材料为0.2-0.3V。由于空间电荷区内多数载流子耗尽了，所以，PN结又称为耗尽区。图5-5PN结形成2.PN结的单向导电性

观察表5-2序号1、2的测试现象，会发现改变二极管的连接方向，灯泡亮与不亮发生变化。为什么会出现这种现象呢？

给予PN结正向电压，如图5-6a）所示，将电源E的正极串联开关k、电阻R后连接至P区，电源E的负极连接至N区，这时称PN结外加正向电压。在正向电压作用下，施加PN结的外电场和PN结的内电场方向相反，PN结内部的扩散运动和漂移运动的平衡被破坏，内电场被削弱，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动大大地超过了少数载流子的漂移运动，多数载流子很容易穿过PN结，形成较大的正向电流，PN结呈现的电阻很小，而处于导通状态，故表5-2序号1的灯泡会亮。串联电阻是为了防止流过PN结的电流过大而烧毁PN结。2.PN结的单向导电性

给予PN结反向电压，如图5-6b）所示，将电源E的负极串联开关k、电阻R后连接至N区，电源E的正极连接至P区，这时称PN结外加反向电压，或称PN结反向接法。此时施加PN结的外电场和PN结的内电场方向一致，内电场增强，使空间电荷区加宽，对多数载流子扩散运动的阻碍作用加强，多数载流子几乎不运动，但是，增强了的内电场有利于少数载流子的漂移运动，由于少数载流子的数量很少，只形成微小的反向电流，PN结呈现的反向电阻很大，因此处于截止状态，故表5-2序号2的灯泡不亮。反向电流对温度非常敏感，温度每升高8-10℃，少数载流子形成的反向电流将增大1倍。2.PN结的单向导电性图

5-6 PN

结外加电压时的内部工作状态a）PN结加正向电压（导通）

b）PN结加反向电压（截止）

综上所述，当PN结加正向电压时，PN结导通，正向电阻很小，会有较大的正向电流流过；PN结加反向电压时，PN结截止，反向电阻极大，流过的电流几乎为零。把这种仅允许一个方向电流顺利流过的特性，称为单向导电性。三二极管的结构与类型1.二极管的结构与符号

在PN结的两端各引出一根电极引线，然后再利用外壳将其封装起来，就构成了半导体二极管，如图5-7所示，由P区引出的电极称为正极（也称阳极），用字母A表示由N区引出的电极称为负极（也称阴极），用字母K表示。其电路符号如图5-8所示。图5-7二极管结构示意图图5-8二极管图形符号2.二极管类型

1）按半导体材料不同：可分为硅管和锗管。硅管的反向电流小，PN结正向压降较大；锗管的PN结正向压降小，反向电流较大，受温度影响明显。

2）按结构不同：可分为点接触型、面接触型和平面型二极管。

点接触型二极管是由一根很细的三价元素金属触丝（如铝）和N型半导体（如锗）的表面熔接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，如图5-9a）所示。由于点接触型二极管的PN结面积很小，因此它不能承受大的电流和高的反压。它的极间电容小，适用用于高频电路。

面接触型二极管的PN结是用合金法做成的，其结构如图5-9b）所示。由于这种二极管的PN结面积相对较大，可承受较大的电流，但极间电容较大，故面接触型二极管通常用于低频电路，尤其是在整理电路中比较常用。2.二极管类型

平面型二极管的结构图（以硅工艺为例）如图5-9c）所示。它是集成电路中常见的一种结构形式。其PN结面积较大的用于低频电路；PN结面积小的用于高频或开关电路。图5-9点接触、面接触和平面型二极管结构示意图

a）点接触型

b）面接触型

c）平面型

3）按功能不同：可分为普通二极管和特殊二极管。普通二极管有整流、检波、开关二极管等；特殊二极管有稳压、发光、光电、变容二极管等。四二极管的伏安特性1.二极管伏安特性曲线

由二极管的结构示意图可知，它是一个二端元件，内有一个PN结，因此，它具有单向导电性（表5-2，序号1、2的测试结果验证了这一结论）。在二极管两端施加电压UD的作用下，流过二极管电流iD的变化规律如图5-10所示，这个电流变化规律称为二极管的伏安特性曲线。其数学表达式为（仅适用外加正向电压）：1.二极管伏安特性曲线图5-10二极管伏安特性曲线

式中：IS为二极管反向饱和电流，单位为安培（A）；UT称为温度电压当量，UT=kT/q，单位为V；k为波尔兹曼常数，其值为k=1.380×10-23J/K；T为热力学温度，单位为K；q=1.6×10-19C，为电子电荷量，单位为库伦（C）。在常温（T=300K）下，UT≈26mV。1.二极管伏安特性曲线1）正向特性：由图5-10可知，当外加电压小于Uth（硅二极管，图中实线表示部分；锗二极管用

表示，图中虚线表示部分）时，流过二极管的电流几乎为零，即在图5-10的OA区域（锗管为OA′区域），二极管呈现为一个大电阻，称这个区域为死区，Uth称为硅二极管的死区电压或门槛电压（锗二极管为

）。在室温下，硅二极管的Uth≈0.5V，锗二极管的

≈0.1V。当施加二极管的正向电压大于Uth或

后，流过二极管的电流迅速增大，伏安特性曲线呈现陡直上升状态，而二极管两端的电压变化却很小，呈现低压降特性。在实际工作电路中，硅二极管的正向导通压降为0.6-0.8V，一般取0.7V，用UD（on）表示；锗二极管的正向导通压降为0.1-0.3V，一般取0.2V。2）反向特性：当硅二极管两端施加反向电压时，见图5-10中的OC段（锗二极管为OC′段），流过硅二极管的反向电流很小，且与所加的反向电压大小几乎无关，约等于IS，称为反向饱和电流。反向饱和电流越小，二极管的反向截止特性越好。1.二极管伏安特性曲线3）反向击穿特性：当硅二极管两端施加的反向电压增加到U(BR)时，流过二极管的反向电流将随U(BR)的增加而急剧增大，见图5-10中的CD段（锗二极管为段），这种现象称为二极管反向击穿。二极管反向击穿后，只要反向击穿电流与所加反向电压的乘积不超过PN结允许的耗散功率时，PN结暂时不会损坏，只要反向电压下降到小于反向击穿电压U(BR)，二极管的性能可恢复到原有正常工作情况，这种击穿是可逆的，称为电击穿；若反向击穿电流过大，则会导致PN结因结温过高而永久损坏，这种击穿是不可逆的，称为二极管反向热击穿。对于普通二极管，在实际应用时应避免出现此类现象。2.温度对二极管特性的影响

温度对二极管的特性有显著的影响。当温度升高时，二极管的正向死区电压Uth将减小，反向饱和电流将增大。其变化规律为：在室温条件下，温度每升高10C，正向压降减小2-2.5mV；温度每升高100C，反向电流约增大一倍。若温度过高，会导致PN结消失。五二极管的主要参数二极管的主要参数二极管的参数可以从半导体器件手册中查到，现就一些主要参数介绍如下：

1.最大整流电流IFM：是指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。使用时若超过此值，有可能烧坏二极管。

2.最高反向工作电压URM：又称额定工作电压，指允许施加在二极管两端的最大反向电压，它是保证二极管不至于反向击穿而规定的最高反向电压。

3.反向饱和电流IR：它是指二极管未进入击穿区的反向电流值。其值会随温度的升高而急剧增加，其值越小，则管子的单向导电性越好。

4.最高工作频率fM：是指保证二极管正常工作的最高频率。由于PN结存在结电容。结电容容量很小，对低频呈现很高的容抗，故影响很小；当工作频率升高时，结电容的容抗就会减小，频率越高，容抗越小。当工作频率超过fM时，二极管的单向导电性能就会受结电容的影响而变差，甚至失去单向导电特性。点接触型锗管的PN结面积很小，结电容也很小，其最高工作频率可达数百兆赫兹；面接触型硅整流二极管的结电容相对大，其最高工作频率只有3KHz左右。六特殊二极管特殊二极管

整流二极管、检波二极管、开关二极管具有相似的伏安特性曲线，均属于普通二极管。为了满足实际应用的各种不同功能需求，许多特殊二极管应运而生，如稳压二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管等，下面分别做简要介绍。1.稳压二极管的特性及主要参数稳压二极管特性

稳压二极管又称齐纳二极管，它是一种用特殊工艺制造的面接触型硅二极管，其实物、符号如图5-11所示，伏安特性如图5-12所示。由图5-12可知，稳压二极管的正向特性与普通二极管相似，但它的反向击穿特性曲线比普通二极管更陡。正常工作状态下，稳压二极管工作在反向击穿区，由于曲线陡，流过稳压二极管的反向电流在很大范围内变化时，其端电压变化却很小，因而具有稳压作用。只要反向电流不超过其最大稳压电流，就不会形成破坏性的热击穿。实际应用时，常在电路中串联一个适当的限流电阻来保护稳压二极管。a）实物图

b）符号图图5-11稳压二极管1.稳压二极管的特性及主要参数稳压二极管特性

图5-12

稳压二极管伏安特性曲线

在汽车电路中由于各个电器总成或元件的工作电流比较大，使汽车电源系统的电压会出现波动，因此，在一些需要精确电压值的地方经常利用稳压管来获取所需电压，如在汽车仪表的供电电路。1.稳压二极管的特性及主要参数（1）稳定电压UZ。指稳压二极管的反向击穿电压，见图5-12。（2）稳定电流IZ。指稳压二极管在正常工作时的参考电流值，其值在稳压区域的最大电流IZmax与最小电流IZmin之间。当流过稳压二极管的电流小于IZmin时，稳压二极管不能起稳压作用。（3）最大稳定电流IZmax。指稳压二极管最大工作电流，当流过稳压二极管的电流超过IZmax时，稳压二极管将会因流过的电流过大而发热损坏。（4）最大耗散功率PZM。指稳压二极管不致因热击穿而损坏的最大耗散功率。它近似等于稳定电压与最大稳定电流的乘积，即PZM=UZIZmax。（5）动态电阻rZ。指反映稳压二极管的稳压性能，动态电阻越小，稳压性能越好。它是由稳压二极管稳压范围内电压变化量与相应的电流变化量之比。即：rZ=△UZ/△IZ。（6）电压温度系数CTV。温度系数反映由温度变化引起的稳压二极管稳定电压变化。即指温度每增加10C时，稳定电压的相应变化量。其计算公式为：2.发光二极管

发光二极管简称LED（即LightEmittingDiode的缩写），已被广泛应用在汽车上，如：用在仪表板上作为指示信号灯或报警信号灯以及汽车灯光系统上（近光灯、远光灯、日间行车灯、尾灯、转向灯、高位刹车灯、车内照明灯等）。

发光二极管是一种把电能变成光能的半导体器件。发光二极管由磷化镓、砷化镓等半导体材料制成，其实物和符号如图5-13所示。图5-13发光二极管a）直插式发光二极管实物b）贴片式发光二极管实物c）符号2.发光二极管

当给发光二极管加上正向偏压时，发光二极管就会有一定的电流流过，二极管就会发光，这是由于发光二极管内部PN结的自由电子与空穴直接复合时产生光辐射的结果。发光二极管的伏安特性与普通二极管相似，但它的正向导通压降较大，通常在1.05-3.5V左右。它的发光的亮度随通过的电流增大而增强。

发光二极管的种类很多，按发光的颜色可分为：红色、蓝色、黄色、绿色和眼睛看不见的红外光二极管等等。按外形可分为：圆形、方形等等。按安装方式可分为：直插式、贴片式等等。3.光电二极管

光电二极管又称为光敏二极管，它是将光信号转换为电信号的半导体器件。光电二极管实物图和符号图如图5-14所示。光电二极管与普通二极管类似，也是由一个PN结构成，但是它的PN结面积较大，其外部管壳上有一个接收光的透光窗口。在实际使用时，要把光电二极管的PN结置于反向工作状态，在光的照射下，光电二极管的反向工作电流随着光照强度的增加而上升，这是的反向电流称为光电流；当没有光照射时，光电二极管的反向电阻很大，反向电流很小，这时的反向电流称为暗电流。

汽车上的许多传感器就是利用光电二极管制成的，如：汽车自动空调系统的日照强度传感器、汽车点火系统中的光电式曲轴位置传感器以及灯光自动控制器中用来检测车辆周围亮、暗程度的光传感器等。图5-14光电二极管a）实物及结构

b）符号图4.变容二极管

变容二极管（VaractorDiodes），又称为可变电抗二极管，是利用PN结加反向电压时，其结电容大小随外加电压的变化而变化的特性制成得的，其实物、符号和电容电压特性曲线如图5-15所示。在实际使用时，变容二极管的PN结置于反向工作状态，反向工作电压增大，结电容容量减小，反之，增大。变容二极管的容量一般较小，最大值为几十pF至几百pF。

图5-15

变容二极管a）实物图（直插式、贴片式）b）符号图

c）电容电压特性曲线七二极管型号命名及极性判别1.二极管型号命名国产二极管的型号由五部分组成，各组成部分的符号及意义如图5-16所示（摘自GB/T249-2017）：图5-16二极管型号命名1.二极管型号命名

一些常见的国外二极管的命名：一般采用第一位数字“1”表示二极管的PN结数目，第二位字母表示EIA注册标志，第三位为EIA（美国电子工业协会）登记顺序号。如：1N4001。示例：2AP1表示N型锗材料小信号普通二极管，具体命名如图5-17所示。图5-172AP1二极管命名2.二极管极性的识别与检测识别

在实际使用中，二极管的极性不可接反，否则会造成二极管损坏。二极管极性的识别很简单，通常可以通过外壳上的标志进行判别，如图5-18所示。图5-18二极管极性判别a）二极管极性与外壳上印记的符号对应b）用色环标识极性c）用引脚长短标识极性2.二极管极性的识别与检测检测二极管的检测一般可利用数字万用表进行，几种常见类型的二极管检测如表5-5所示。表5-5几种常见二极管检测序号检测方法实施示意图1插入表笔：把红表笔插入数字万用表的VΩHzC插孔，黑表笔插入COM插孔。选择挡位：旋转挡位选择旋钮，旋钮上的指示点指向二极管的位置，打开电源，数字万用表显示屏显