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文档简介

2025年微机原理试题库及答案一、选择题(每题2分,共20分)1.以下关于系统总线的描述中,正确的是()A.数据总线是单向的,用于CPU与内存/外设间的数据传输B.地址总线是双向的,用于传输内存单元或I/O端口的地址C.控制总线是双向的,包含读/写信号、中断请求等控制信号D.8086系统中,地址总线和数据总线分时复用,因此无需锁存器答案:C2.8086微处理器中,用于存放段基址的寄存器是()A.AX、BX、CX、DXB.SP、BP、SI、DIC.CS、DS、SS、ESD.IP、FLAGS答案:C3.执行指令“MOVAX,[BX+SI+10H]”时,物理地址的计算方式为()A.(DS)×16+(BX)+(SI)+10HB.(ES)×16+(BX)+(SI)+10HC.(SS)×16+(BX)+(SI)+10HD.(CS)×16+(BX)+(SI)+10H答案:A4.8086的中断响应周期中,第二个INTA负脉冲的作用是()A.通知外设准备发送中断类型码B.从数据总线读取中断类型码C.清除中断请求标志D.保护断点至堆栈答案:B5.以下关于指令周期的描述,错误的是()A.一个指令周期由若干个机器周期组成B.机器周期是CPU完成一个基本操作的时间单位C.取指周期属于机器周期的一种D.所有指令的指令周期长度相同答案:D6.若8086系统中,某存储单元的逻辑地址为2000H:3000H,则其物理地址为()A.23000HB.20300HC.5000HD.32000H答案:A(计算方式:2000H×16+3000H=23000H)7.动态随机存储器(DRAM)与静态随机存储器(SRAM)的主要区别是()A.DRAM速度更快,SRAM需要刷新B.DRAM集成度更高,需要周期性刷新C.SRAM集成度更高,无需刷新D.DRAM采用双稳态电路存储数据答案:B8.8086/8088的I/O端口编址方式为()A.统一编址,I/O端口与内存共享地址空间B.独立编址,I/O端口使用专用地址空间C.混合编址,部分端口与内存共享D.以上均不正确答案:B9.执行“ADDAX,BX”指令后,若AX=1234H,BX=5678H,FLAGS寄存器中CF和OF的值为()A.CF=0,OF=0B.CF=1,OF=0C.CF=0,OF=1D.CF=1,OF=1答案:B(1234H+5678H=68ACH,无溢出但有进位)10.以下哪条指令是非法的()A.MOVAL,[SI]B.MOV[BX],CXC.MOVDS,AXD.MOVCS,AX答案:D(CS不能直接赋值)二、填空题(每空1分,共20分)1.8086微处理器有______根地址线,可寻址的最大内存空间为______。答案:20;1MB2.堆栈操作遵循______原则,压栈指令是______,出栈指令是______。答案:后进先出(LIFO);PUSH;POP3.8086的标志寄存器FLAGS中,反映运算结果符号的标志位是______,反映奇偶性的是______,反映溢出的是______。答案:SF(符号标志);PF(奇偶标志);OF(溢出标志)4.内存地址译码方式分为______和______,其中______方式会导致地址重叠。答案:全译码;部分译码;部分译码5.异步串行通信中,数据帧的格式通常包含______、______、______和______。答案:起始位;数据位;校验位;停止位6.8253定时器/计数器的工作方式有______种,其中______方式可产生连续方波。答案:6;方式3(方波发生器)7.8086的最小模式下,控制总线由______直接提供;最大模式下,需通过______产生控制信号。答案:CPU;总线控制器82888.中断向量表位于内存的______区域,每个中断向量占______字节,存储的是______的地址。答案:00000H~003FFH;4;中断服务程序入口三、简答题(每题6分,共30分)1.简述冯·诺依曼结构与哈佛结构的主要区别。答案:冯·诺依曼结构采用统一的存储器存放程序和数据,指令和数据共享同一总线;哈佛结构则将程序存储器和数据存储器分开,拥有独立的程序总线和数据总线,可同时访问指令和数据,提高了并行处理能力。2.说明8086最小模式下地址锁存器(如74LS373)的作用。答案:8086的AD0~AD15为地址/数据复用总线,ALE信号有效时,地址信息出现在总线上;ALE下降沿时,地址锁存器将地址信息锁存,使后续数据传输期间地址总线保持稳定,确保内存或I/O设备能正确识别地址。3.分析指令“MOVAX,[BX+SI+10H]”的寻址过程。答案:该指令为基址变址寻址,有效地址EA=(BX)+(SI)+10H;段寄存器默认使用DS(若有段超越前缀则用指定段寄存器);物理地址=DS×16+EA;CPU通过该物理地址从内存中读取16位数据存入AX。4.比较同步通信与异步通信的特点。答案:同步通信以数据块为传输单位,需双方使用同一时钟同步,传输效率高,适用于高速、连续数据传输;异步通信以字符为单位,每个字符包含起始位和停止位,时钟可独立(允许一定误差),适用于低速、非连续传输。5.说明DRAM为什么需要刷新?常用的刷新方式有哪些?答案:DRAM利用电容存储电荷表示数据,电容会漏电导致电荷流失,因此需周期性刷新(补充电荷)。常用刷新方式有:集中刷新(在刷新周期内集中完成所有行刷新)、分散刷新(将刷新操作分散到每个存储周期)、异步刷新(结合前两者,按行周期均匀刷新)。四、分析题(每题10分,共20分)1.已知8086系统中,DS=2000H,BX=1000H,SI=0500H,内存单元[21500H]=34H,[21501H]=12H,[21502H]=78H,[21503H]=56H。执行指令“MOVAX,[BX+SI]”后,AX的值是多少?若指令改为“MOVAX,[BX+SI+1]”,AX的值又是什么?答案:有效地址EA=BX+SI=1000H+0500H=1500H;物理地址=DS×16+EA=20000H+1500H=21500H;内存中21500H为低字节34H,21501H为高字节12H,故AX=1234H。若指令改为“MOVAX,[BX+SI+1]”,则EA=1500H+1=1501H,物理地址=21501H;内存中21501H=12H(低字节),21502H=78H(高字节),故AX=7812H。2.某8086系统中,使用2764(8K×8位EPROM)和6264(8K×8位SRAM)构建内存系统,地址范围要求:EPROM为00000H~01FFFH,SRAM为02000H~03FFFH。试计算需要的芯片数量,并说明片选信号的产生方法(假设采用全译码)。答案:EPROM容量:01FFFH-00000H+1=8KB,2764为8K×8位,需1片(8位数据总线)。SRAM容量:03FFFH-02000H+1=8KB,6264为8K×8位,需1片。地址线分配:8086地址线A0~A19,其中A0~A12(13位)用于片内寻址(8K=2^13);剩余A13~A19用于片选译码。EPROM地址范围对应A19~A13=00000B(00000H~01FFFH),SRAM对应A19~A13=00001B(02000H~03FFFH)。全译码时,用74LS138译码器,将A19~A17接地(固定为0),A16、A15、A14接译码器C、B、A端,A13作为输出使能条件。当A13=0时,译码器输出Y0选中EPROM;A13=1时,Y1选中SRAM(具体连接需根据地址范围调整)。五、设计题(每题10分,共20分)1.设计一个8086系统的I/O端口译码电路,要求译码器输出Y0选中端口03F8H,Y1选中端口03F9H,Y2选中端口03FAH,Y3选中端口03FBH(采用74LS138译码器,地址线A0~A9参与译码,A10~A19接地,控制信号为IOR和IOW)。答案:地址分析:03F8H=0000001111111000B,A9~A0为001111111000B。A9=0,A8=0,A7=1,A6=1,A5=1,A4=1,A3=1,A2=1,A1=0,A0=0(Y0对应A0=0)。74LS138的C、B、A端接A2、A1、A0(因为Y0~Y3对应A2A1A0=000~011)。使能条件:A9A8=00(G1=1,G2A=G2B=0),A7~A3=11111(通过与门连接到G1),控制信号IOR或IOW有效(通过或门连接到G2A/G2B)。具体连接:G1接A7·A6·A5·A4·A3(全1时有效),G2A和G2B接IOR+IOW的反相(低电平有效),C=A2,B=A1,A=A0。此时Y0对应A2A1A0=000(03F8H),Y1=001(03F9H),依此类推。2.编写8255A的初始化程序(假设8255A的控制端口地址为0FFFEH),要求:A口方式1输入,B口方式0输出,C口高4位输入、低4位输出,PC6和PC7作为联络信号(STBA和IBFA

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