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文档简介
集成电路行业IC版图设计工程师岗位招聘考试试卷及答案填空题(每题1分,共10分)1.版图设计中,最小线宽通常由______决定。答案:工艺节点2.在DRC检查中,"D"代表______。答案:设计规则3.标准单元库中的单元高度通常以______为单位。答案:轨道数4.金属层之间的连接通过______实现。答案:通孔5.天线效应通常发生在______工艺中。答案:深亚微米6.LVS检查的目的是验证版图与______的一致性。答案:电路图7.版图中的“OD”层通常表示______。答案:有源区8.电源网络设计时,IRDrop是指______。答案:电压降9.版图设计中,为了匹配性能,差分对通常采用______布局。答案:对称10.在版图编辑器中,快捷键“F”通常表示______。答案:填充---单项选择题(每题2分,共10题)1.以下哪项不是版图设计的基本工具?A.VirtuosoB.CalibreC.SPICED.ICC2答案:C2.版图设计中,金属层的厚度通常由什么决定?A.设计需求B.工艺文件C.设计师经验D.仿真结果答案:B3.以下哪种检查用于验证版图的电气连接正确性?A.DRCB.LVSC.ERCD.ANT答案:B4.在标准单元库中,单元的高度通常由什么决定?A.金属层数B.轨道数C.晶体管数量D.工艺节点答案:B5.以下哪种效应与金属线宽和电流密度相关?A.天线效应B.电迁移C.闩锁效应D.噪声耦合答案:B6.版图设计中,为了减少寄生电容,通常采用哪种方法?A.增加金属层B.使用低介电常数材料C.加宽金属线D.减少通孔数量答案:B7.以下哪项不是版图设计中的常见约束?A.时序约束B.面积约束C.颜色约束D.功耗约束答案:C8.在版图设计中,为了匹配晶体管的性能,通常采用哪种布局?A.环形B.叉指C.随机D.堆叠答案:B9.以下哪种工具通常用于版图的物理验证?A.HSPICEB.CalibreC.VerilogD.PrimeTime答案:B10.版图设计中,电源和地线通常采用哪种金属层?A.低层金属B.高层金属C.多晶硅D.扩散层答案:B---多项选择题(每题2分,共10题)1.以下哪些是版图设计中的常见验证步骤?(多选)A.DRCB.LVSC.ERCD.PEX答案:A,B,C,D2.以下哪些因素会影响版图的面积?(多选)A.单元布局B.金属层数C.工艺节点D.仿真时间答案:A,B,C3.以下哪些是版图设计中的常见寄生效应?(多选)A.寄生电阻B.寄生电容C.寄生电感D.寄生噪声答案:A,B,C4.以下哪些是版图设计中的常见优化目标?(多选)A.面积B.功耗C.时序D.颜色答案:A,B,C5.以下哪些是版图设计中常用的匹配技术?(多选)A.对称布局B.叉指结构C.共质心布局D.随机布局答案:A,B,C6.以下哪些是版图设计中的常见金属层用途?(多选)A.信号布线B.电源网络C.时钟布线D.填充层答案:A,B,C7.以下哪些是版图设计中的常见设计规则?(多选)A.最小线宽B.最小间距C.最小面积D.最小颜色数答案:A,B,C8.以下哪些是版图设计中的常见工具?(多选)A.VirtuosoB.CalibreC.HSPICED.ICC2答案:A,B,D9.以下哪些是版图设计中的常见层?(多选)A.金属层B.多晶硅层C.扩散层D.填充层答案:A,B,C10.以下哪些是版图设计中的常见问题?(多选)A.天线效应B.电迁移C.闩锁效应D.颜色冲突答案:A,B,C---判断题(每题2分,共10题)1.版图设计中,DRC检查仅关注金属层的间距问题。答案:错误2.LVS检查用于验证版图与电路图的一致性。答案:正确3.天线效应可以通过增加二极管来缓解。答案:正确4.版图设计中,电源网络的设计不需要考虑IRDrop。答案:错误5.标准单元库中的单元高度是固定的。答案:正确6.版图设计中,为了匹配性能,差分对可以采用不对称布局。答案:错误7.金属层的厚度由设计师自行决定。答案:错误8.版图设计中,ERC检查用于验证电气规则。答案:正确9.寄生电容对高频电路的影响可以忽略不计。答案:错误10.版图设计中,多晶硅层通常用于晶体管的栅极。答案:正确---简答题(每题5分,共4题)1.简述版图设计中DRC检查的主要内容。答案:DRC(设计规则检查)主要验证版图是否符合工艺厂商提供的设计规则,包括最小线宽、最小间距、最小面积、金属覆盖等。这些规则确保版图的可制造性和可靠性。2.解释天线效应及其解决方法。答案:天线效应是指在等离子体刻蚀过程中,金属线收集电荷导致栅氧击穿的现象。解决方法包括插入二极管、跳线断开长金属线、使用顶层金属等。3.简述LVS检查的目的和流程。答案:LVS(版图与电路图一致性检查)用于验证版图的电气连接与电路图一致。流程包括提取版图网表、与电路图网表对比、标记不一致处并修正。4.为什么在版图设计中需要匹配晶体管?答案:匹配晶体管是为了减少工艺波动对电路性能的影响,确保差分对、电流镜等关键电路的对称性,提高电路的精度和稳定性。---讨论题(每题5分,共2题)1.讨论深亚微米工艺下版图设计的主要挑战。答案:深亚微米工艺下,版图设计面临寄生效应显著、天线效应加剧、IRDrop增加、时序收敛困难等挑战。设计师需采用
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