雨课堂学堂在线学堂云《模拟电子技术基础》单元测试考核答案

注：不含主观题第1题单选题(1分)在绝对零度(0K)时,本征半导体中()载流子。_________A有B没有C少数D多数第2题单选题(1分)在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生()。_________。A负离子B空穴C正离子D电子-空穴对第3题单选题(1分)半导体中的载流子为()。_________。A电子B空穴C正离子D电子和空穴第4题判断题(1分)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。()第5题判断题(1分)半导体中的空穴带正电。()杂质半导体测试第1题单选题(1分)N型半导体中的多子是()。_________。A电子B空穴C正离子D负离子第2题单选题(1分)P型半导体中的多子是()。_________。A电子B空穴C正离子D负离子第3题单选题(1分)在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。_________。A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷第4题单选题(1分)在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于()。_________。A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷第5题单选题(1分)在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。A五价B四价C三价D任意第6题单选题(1分)在本征半导体中加入()元素可形成P型半导体。A五价B四价C三价

D任意第7题判断题(1分)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()第8题判断题(1分)P型半导体带正电,N型半导体带负电。()PN结测试第1题单选题(1分)在下列说法中只有()说法是正确的。_________AP型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。B在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。CP型半导体带正电,N型半导体带负电。DPN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。第2题单选题(1分)在下列说法中只有()说法是正确的。_________A漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。B由于PN结交界面两边存在电位差,所以,当把PN结两端短路时就有电流流过。CPN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。扩散电流是少子运动产生的第3题单选题(1分)当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流。_________A大于B小于C等于D不确定第4题单选题(1分)当PN结外加反向电压时,扩散电流()漂移电流。_________A大于B小于C等于D不确定第5题单选题(1分)下列说法正确的是()。APN结正偏导通,反偏导通BPN结正偏截止,反偏导通CPN结正偏导通,反偏截止DPN结正偏截止,反偏截止第6题单选题(1分)一个平衡PN结,用导线将P区和N区连起来,而导线中()。A有微弱电流B无电流C有瞬间微弱电流D有较大电流第7题单选题(1分)当P型半导体和N型半导体相接触时,在P型和N型半导体交界处,形成一个区域,下列的哪种名称不能描述该区域?()A阻挡层B耗尽层C空间电荷区D突变层第8题判断题(1分)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()二极管的结构和组成测试第1题单选题(1分)在高频电路中的检波管通常采用()的二极管。()A点接触型B面接触型C任意第2题单选题(1分)半导体二极管的重要特性之一是()。((_))()。A温度稳定性B单向导电性C放大作用D滤波特性第3题判断题(1分)整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。()二极管的伏安特性及电流方程测试第1题单选题(1分)在如图所示的电路中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V1=10V,则电路中的电流的值将是()。AI=2mABI<2mACI>2mADI=0mA第2题单选题(1分)在如图所示电路中,已知二极管的反向击穿电压为20V,当V1=5V、温度为20℃时,I=2μA。若电源电压由5V增大到10V,则电路中的电流I约为()A10μAB4μAC2μAD1μA第3题单选题(1分)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A增大B不变C减小D不确定第4题单选题(1分)二极管两端电压大于()电压时,二极管才导通。A击穿电压B死区C饱和D0V第5题单选题(1分)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是()。AISeUBC第6题单选题(1分)当温度升高时，二极管的正向电压减小，反向饱和电A增大B减小C不变D无法判定二极管的主要参数测试第1题单选题(1分)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A大B小C相等D不确定第2题单选题(1分)关于二极管的反向电流,下列说法正确的是()。A反向电流越大越好B反向电流越大二极管的单向导电性越好C反向电流越大二极管的温度稳定性越不好第3题单选题(1分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为()。A正、反向电阻相等B正向电阻大,反向电阻小C反向电阻比正向电阻大很多倍D正、反向电阻都等于无穷大第4题单选题(1分)用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500,若改用R×1k档,测量同一二极管,则其正向电阻值()A增加B不变C减小D不能确定第5题单选题(1分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为()。A正、反向电阻相等B正向电阻大,反向电阻小C反向电阻远大于正向电阻D正、反向电阻都很大第6题单选题(1分)当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的()。A多数载流子浓度增大B少数载流子浓度增大C多数载流子浓度减小D少数载流子浓度减小第7题单选题(1分)在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS≈0.1pA,则在35ºC时,下列哪组数据可能正确:()。AUth≈0.525V,IS≈0.05pABUth≈0.525V,IS≈0.2pACUth≈0.475V,IS≈0.05pADUth≈0.475V,IS≈0.2pA第8题单选题(1分)万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500,若改用R×1k档,测量同一二极管,则其正向电阻值()。A增加B不变C减小D不能确定03-01二极管电路分析思路测试第1题填空题(1分)将放大电路没有交流信号输入的状态称为____正确答案：:["静态"]第2题填空题(1分)放大电路有交流信号输入的状态称为____正确答案：:["动态"]第3题判断题(1分)电路的静态和动态之间相互独立，没有联系3-2二极管电路图解分析方法测试第1题单选题(1分)下图所示二极管电路及负载线，当增大VDD时，静态工作点将如何移动A向上B向下C不动第2题单选题(1分)下图所示二极管电路及负载线，当增大R时，静态工作点将如何移动A向上

B向下C不动第3题判断题(1分)图解法可以非常直观的反映电路参数与性能的关系3-3二极管等效模型第1题单选题(1分)二极管折线模型等效为何种线性网络ABCD第2题单选题(1分)在下图所示电路中的电阻R保持不变，ui=0.2sinωt(V)。当直流电源V增大时，二极管D的动态电阻rd将A不变B增大C减小D不确定第3题单选题(1分)理想二极管正向导通时电阻为A零B无穷大C约几百千欧第4题单选题(1分)下列哪一个公式可以估算折线模型中的二极管动态电阻ABCD第5题多选题(2分)二极管等效模型在以下哪些情况不能使用A静态工作点位于线性区B静态工作点位于非线性区C交流小信号D交流大信号正确答案：BD第6题判断题(1分)二极管恒压降模型中的电源意味着在这种情况下，二极管是一个供能元件3-4等效模型分析方法第1题单选题(1分)电路如图所示。试估算A点的电位为_________。(设二极管的正向压降VF为0.7V。)A6.7VB6VC5.7VD-6.7V第2题单选题(1分)电路如图所示。试估算A点的电位为_________。(设二极管的正向压降VF为0.7V。)A6.3VB3.9VC5.7VD6.7V第3题单选题(1分)二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为_________。.(设二极管的导通压降为0。)A5.6VB-4.3VC-5VD6V第4题单选题(1分)二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为_________。.(设二极管的导通压降为0。)A-5VB5VC-5.7VD5.7V第5题单选题(1分)在如图所示电路中,计算可得流过二极管的电流ID为_________(设二极管导通时的正向压降UD=0.7V)。A0mAB3.6mAC2.75mAD4.8mA第6题单选题(1分)估算如图所示电路中,流过二极管的电流ID为_________(设二极管D正向导通压降UD=0.7V)。A约1.3mAB约2.3mAC约4mAD约1.8mA第7题单选题(1分)电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为()。A最大值为40V,最小值为0VB最大值为40V,最小值为+10VC最大值为10V,最小值为-40VD最大值为10V,最小值为0V3-5常见二极管应用电路测试第1题单选题(1分)路如图所示,设二极管D1,D2,D3的正向压降忽略不计,则输出电压uO=()。A-2VB0VC6VD12V第2题单选题(1分)图中二极管可视为理想二极管,A、B、C三个灯具有完全相同的特性,其中最亮的灯是()。AB.BC.CCD一样亮第3题单选题(1分)二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为_________。(设二极管的导通压降为0.7V。)A0VB-0.7VC-1.7VD1V第4题单选题(1分)二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为_________。.(设二极管的导通压降为0.7V。)A-8.3VB8VC9VD-9.3V第5题单选题(1分)二极管的双向限幅电路如图所示。设vi为幅值大于直流电源VC1(=-VC2)值的正弦波,二极管为理想器件。则可画出vo的波形为_________。Aa)Bb)Cc)Dd)第6题单选题(1分)在如图所示电路中,二极管是理想的,电阻R=6Ω。当普通指针式万用表置于R×1Ω档时,用黑表笔(正电)接A点,红表笔(负电)接B点,则万用表的指示值为_________。A18ΩB9ΩC3ΩD2Ω04-01稳压二极管基础测试第1题单选题(1分)以下哪个符号是稳压二极管的符号()ABCD第2题单选题(1分)稳压管的稳压区是其工作在()。A正向导通B反向截止C反向击穿第3题单选题(1分)某只硅稳压管的稳定电压Vz=4v,其两端施加的电压分别为+5v(正向偏置)和-5v(反向偏置)时,稳压管两端的最终电压分别为()。A+5v和-5vB-5v和+4vC+4v和-0.7vD+0.7v和-4v第4题单选题(1分)稳压二极管构成的稳压电路,其接法是()。A稳压管与负载电阻串联B限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管串联C稳压管与负载电阻并联D限流电阻与稳压管串联后,负载电阻再与稳压管并联第5题判断题(1分)只要保证反向击穿状态,稳压二极管就可以安全稳定工作()。第6题判断题(1分)稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致()04-02稳压二极管应用测试第1题单选题(1分)设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,可求出图中电路的输出电压Vo为______。

A13VB5VC8VD1.4V第2题单选题(1分)设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,可求出图中电路的输出电压Vo为_________。

A4.3VB8VC5VD0.7V第3题单选题(1分)在如图所示电路中,已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为_________。

A1VB6VC13VD7V第4题单选题(1分)在如图所示电路中,已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V,且具有理想的稳压特性,可求得输出电压为_________。

A6VB7VC5VD1V第5题单选题(1分)下图所示电路中,稳压管DZ的稳定电压VZ=6V,最小稳定电流Izmin=5mA,输入电压VI=12V,电阻R=100Ω,在稳定条件下IL的数值最大不应超过()。A40mAB45mAC55mAD60mA第6题单选题(1分)已知两只硅稳压管的稳定电压值分别为8V和7.5V,若将它们串联使用如图所示,则Vo的值为_________。(正偏导通压降为0.7V)A2VB0.7VC1.4VD1V04-03其他类型二极管测试第1题单选题(1分)能够进行光电转换的二极管是()A发光二极管B光电二极管C稳压二极管D变容二极管第2题判断题(1分)变容二极管是利用二极管的结电容可变的原理工作的()第3题判断题(1分)普通二极管也可以稳压()第4题判断题(1分)所有的二极管都工作在正偏状态()05-01晶体管的结构和工作原理测试第1题单选题(1分)晶体管有（）个PN结A1B2C3D4第2题单选题(1分)NPN型晶体管的符号是ABCD第3题单选题(1分)PNP型晶体管的符号是ABCD第4题多选题(2分)晶体管的三个极为（）A阳极B基极C阴极D发射极E集电极正确答案：BDE第5题判断题(1分)晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。05-02晶体管的放大原理测试第1题单选题(1分)工作在放大状态的某PNP晶体管,各电极电位关系为()AVCBVC>VB>VECVCDVC>VE>VB第2题单选题(1分)晶体管在放大状态时,其电压偏置条件为()。A集电结正向偏置、发射结正向偏置B集电结正向偏置、发射结反向偏置C集电结反向偏置、发射结反向偏置D集电结反向偏置、发射结正向偏置第3题单选题(1分)双极型晶体管的电流是由()组成。A多子B少子C多子和少子两种载流子D自由电子第4题单选题(1分)在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是()。ANPN型硅管BNPN型锗管CPNP型硅管DPNP型锗管第5题单选题(1分)NPN型三极管放大电路中,测得三极管三个引脚对地电位分别是:UA=3.3V,UB=4V,UC=6V,则A、B、C对应的电极是()。AC,B,EBB,C,ECE,C,BDE,B,C第6题单选题(1分)下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力()。AIE=βIBBIC=αIBCIC=βIBDIE=αIB第7题判断题(1分)双极型三极管由两个PN结构成,因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。()。第8题判断题(1分)晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体,所以发射极和集电极可以调换使用。()05-03晶体管的伏安特性测试第1题单选题(1分)晶体管是()器件。A电流控制电流B电流控制电压C电压控制电压D电压控制电流第2题单选题(1分)管压降UCE增大,共发射极接法的晶体管的输入特性曲线()A左移B右移C上移D下移第3题单选题(1分)晶体管的输出特性描述的是当()为常数时,()随()变化的函数。()AIc、Ib、UceBIb、Ic、UceCUce、Ib、UbeDUce、Ic、Ib第4题单选题(1分)某晶体三极管的IB从20μA变化到40μA时,对应的IC从2mA变化到5mA,则该管的β等于()A100B150C200D300第5题判断题(1分)对于小功率晶体管，可以用UCE大于1V的一条输入特性曲线来取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。05-04晶体管的工作区测试第1题单选题(1分)已知某晶体管UBE=0.7V,UCE=3V,则该管工作在()区。A放大B饱和C截止D击穿第2题单选题(1分)在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态,最简单的是测量()。AIBBUCECUBEDIC第3题单选题(1分)当晶体管工作在截止区,发射结和集电结偏置状态应为()。()。A前者正偏,后者也正偏B前者正偏,后者反偏C前者反偏,后者正偏D前者反偏,后者也反偏第4题单选题(1分)PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是()。A、UBE>0,UCB>0AUBE>0,UCB<0BUBE<0,UCB>0CUBE<0,UCB<0第5题单选题(1分)晶体管的开关作用是()。A饱和时集-射极接通,截止时集-射极断开B饱和时集-射极断开,截止时集-射极接通C饱和时集-射极接通,截止时集-射极接通D饱和时集-射极断开,截止时集-射极断开第6题单选题(1分)某放大电路如图所示。设VCC>>UBE,ICEO≈0,则在静态时该三极管处于()。A放大区B饱和区C截止区D区域不定第7题单选题(1分)如图所示的电路中的三极管β=50,通过估算,可判断电路工作在()区。A放大区B饱和区C截止区D击穿区第8题单选题(1分)在如图所示共射放大电路中,三极管β=50,UBE=-0.2。问:当开关与A处相接时,三极管处于()状态。A饱和B截止C放大D击穿05-05晶体管的主要参数测试第1题单选题(1分)温度上升时,半导体三级管的()。Aβ和UBE增大,ICBO减小Bβ和ICBO增大,UBE下降Cβ减小,ICBO和UBE增大Dβ、ICBO和UBE均增大第2题单选题(1分)测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA,晶体管的共射电流放大系数β()。A60B61C100D50第3题单选题(1分)晶体管在大电流工作时,随Ic的增加β值将()。A增加B下降C不变D不确定第4题单选题(1分)三极管的反向电流ICBO是由()运动产生的。()A多数载流子B少数载流子C多数载流子和少数载流子D不确定第5题单选题(1分)温度升高时,放大电路中的晶体管的输出特性曲线将()。A上移并间距缩小B下移并间距增大C上移并间距增大D下移并间距缩小第6题单选题(1分)某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管()。A处于放大区域B处于饱和区域C处于截止区域D已损坏第7题单选题(1分)某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR(CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过A100mA，100mAB15mA，100mAC15mA，150mAD100mA，15mA第8题单选题(1分)3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管A工作正常B放大能力较差C击穿D管子过热甚至烧坏06-01放大的概念与放大电路的性能指标测试第1题单选题(1分)某放大电路在输入电压为0.1V时,输出电压为8V;输入电压为0.2V时,输出电压为4V(均指直流电压)。则该放大电路的电压放大倍数为()。A80B40C-40D20第2题单选题(1分)放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力()。A强B弱C一般D不确定第3题单选题(1分)放大电路A、B的放大倍数相同,但输入电阻、输出电阻不同,用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路条件下测得A的输出电压小,这说明电路A的()。A输入电阻大B输入电阻小C输出电阻大D输出电阻小第4题单选题(1分)对于电流放大电路来说,输出电阻()越好。A越小B越大C随意D不确定第5题判断题(1分)可以在放大电路通电情况下,用欧姆表测量该放大电路的输出电阻()。第6题判断题(1分)只有电路既放大电压又放大电流,才称其具有放大作用。()第7题判断题(1分)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。()第8题填空题(1分)放大电路当接入一个内阻等于零的电压信号源时,测得的输出电压为4V,在信号源内阻增大到1kΩ,其它条件不变时,测得输出电压为3V,该放大电路的输入电阻为(____)kΩ。正确答案：:["3kΩ"]第9题填空题(1分)已知某放大电路的输出电阻为3KΩ,在接有4KΩ负载电阻时,测得输出电压为2V。在输入电压不变的条件,断开负载电阻,输出电压将上升到____V。正确答案：:["3.5"]06-02放大电路的偏置和组态测试第1题单选题(1分)共发射极放大电路信号从()。A基极输入,集电极输出B发射极输入,集电极输出C基极输入,发射极输出D发射极输入,基极输出第2题单选题(1分)共基极放大电路信号从()。A基极输入,集电极输出B发射极输入,集电极输出C基极输入,发射极输出D发射极输入,基极输出第3题单选题(1分)共集电极放大电路信号从()。A基极输入,集电极输出B发射极输入,集电极输出C基极输入,发射极输出D发射极输入,基极输出第4题单选题(1分)下图所示放大电路中,T1和T2管分别构成()组态电路。A.共射共射B.共集共基C.共射共基D.共射共集A.共集共基B.共射共基C.共射共集第5题单选题(1分)下图所示放大电路中,T1和T2管分别构成()组态电路。A.共集共射B.共集共基C.共射共基D.共射共射A.共集共基B.共射共基C.共射共射第6题单选题(1分)阻容耦合放大电路不能放大()。A直流信号B语音信号C交变信号D高低频混合信号第7题判断题(1分)直接耦合放大电路的静态工作点易受影响,低频特性好,易于集成。()06-03共射放大电路的工作原理测试第1题单选题(1分)基本共射放大电路中,基极电阻Rb的主要作用是()。A限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B把基极电流的变化转化为输入电压的变化C保护信号源D防止输出电压被短路第2题单选题(1分)电路中的晶体管原处于放大状态,若将Rb调至零,则晶体管()。A仍处于放大状态B处于饱和状态C过热烧毁D处于截止状态第3题单选题(1分)基本共射放大电路中,集电极电阻Rc的主要作用是()。A限制集电极电流的大小B将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C防止信号源被短路D保护直流电压源EC第4题单选题(1分)在单级共射放大电路中,在中频小信号情况下,若输入电压ui为正弦波,则uo和ui的相位()。A同相B反相C超前90度D滞后90度第5题单选题(1分)在单级共射放大电路中,若输入电压ui为正弦波,则ui和ic的相位()。A同相B反相C相差90度D不确定第6题单选题(1分)在图示基本共射放大电路中,放大电路中的直流分量来源于()。A晶体管B直流电源C信号源D耦合电容第7题判断题(1分)对放大电路进行分析,采取先动态后静态的分析方法。()第8题判断题(1分)在放大电路中,直流、交流分量共存,两种信号分量的作用不同。()07-01直流通路和交流通路测试第1题单选题(1分)理想情况下,下列器件中对直流信号相当于断路的是()。A电容B电感C理想直流电压源D理想直流电流源第2题单选题(1分)如图所示电路的直流通路为()。A(a)B(b)C(c)D(d)第3题单选题(1分)可画出如图所示放大电路的交流通路为图()。A(a)B(b)C(c)D(d)第4题单选题(1分)根据放大电路的组成原则,在下图所示各电路中只有图()具备放大条件。A(a)B(b)C(c)D(d)第5题多选题(2分)下列器件中对交流信号相当于短路的是()。A电容B电感C理想直流电流源D理想直流电压源正确答案：AD第6题多选题(2分)下列器件中对交流信号相当于断路的是()。A电容B电感C理想直流电流源D理想直流电压源正确答案：BC07-02静态分析估算法测试第1题单选题(1分)在下图所示电路中:设三极管的,则有关静态时的的估算值正确的是()。AIBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-2VBIBQ=20.8μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=+2VCIBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-4VDIBQ=20.8μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=+4V第2题单选题(1分)下图所示电路中,设,则有关静态时的的估算值正确的是()AIBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=6.4VBIBQ=21μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=12VCIBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=5.6VDIBQ=21μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=10.6V第3题单选题(1分)电路如图所示,已知UCC=12V,RC=3k,β=40且忽略UBE,若要使静态时UCE=9V,则RB应取()。A600kB240kC480kD360k第4题单选题(1分)对于如图所示放大电路,当用直流电压表测得VCE≈VCC时,有可能是因为()。ARb开路BRL短路CRc开路DRb过小第5题单选题(1分)对于如图所示放大电路,当用直流电压表测得VCE≈0时,有可能是因为()。ARb开路BRL短路CRc短路DRb过小第6题单选题(1分)对于如图所示放大电路,若VCC≈12V,Rc=2kΩ,集电极电流IC计算值为1mA,今用直流电压表测得VCE=8V,这说明()。A工作正常B三极管c-e极间开路C三极管b-e极间开路D电容C2短路07-03静态分析图解法测试第1题单选题(1分)直流负载线的斜率是()。A-1/RcB-1/RLC-1/RBD第2题单选题(1分)如图所示,某固定偏置单管放大电路的静态工作点原来位于Q2,若将直流电源UCC适当增大,则静态工作点将移至()。AQ1B不变CQ3DQ4第3题单选题(1分)下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q1点移动到Q2点可能的原因是()。A集电极电源UCC电压变高B集电极负载电阻RC变小C集电极负载电阻RC变大D基极回路电阻Rb变大第4题单选题(1分)下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是()。A集电极电源+VCC电压变高B基极回路电阻Rb变大C集电极负载电阻RC变大D基极回路电阻Rb变小第5题单选题(1分)图()示出了图()固定偏流放大电路中三极管的输出特性,其中①为直流负载线,可求得电源电压VCC为()。A6VB7VC8VD7.5V第6题单选题(1分)图()示出了图()固定偏流放大电路中三极管的输出特性,其中①为直流负载线,可求得电阻Rb的值为()。A420kΩB300kΩC200kΩD268kΩ08-01放大电路动态分析思路测试第1题单选题(1分)下列()情况下,可以用微变等效模型分析放大电路。A中高频大信号B中低频大信号C中低频小信号D中高频小信号第2题判断题(1分)对于大信号作用下的放大电路分析,可以采用图解法分析。()第3题判断题(1分)等效电路分析方法可以适用于所有放大电路的动态分析()。第4题判断题(1分)对三极管电路进行静态分析时,可将三极管用微变等效模型替代。()08-02混合参数等效模型的建立测试第1题单选题(1分)在BJT混合参数模型中,下列参数的量纲为欧姆的是()。AhieBhreChfeDhoe第2题单选题(1分)在BJT混合参数模型中,下列参数的量纲为西门子的是()。AhieBhreChfeDhoe第3题单选题(1分)在BJT混合参数模型中,输入端口等效为()。A电阻和受控电压源的并联B电阻和受控电压源的串联C电阻和受控电流源的串联D电阻和受控电流源的并联第4题单选题(1分)在BJT混合参数模型中,输出端口等效为()。A电阻和受控电压源的并联B电阻和受控电压源的串联C电阻和受控电流源的串联D电阻和受控电流源的并联第5题判断题(1分)在交流通路中,可将晶体管看成为一个二端口网络。()第6题判断题(1分)BJT混合参数模型的建立与静态工作点无关。()08-03混合参数等效模型的简化测试第1题单选题(1分)BJT混合参数模型中,代表晶体管对电流的放大能力的参数是()。AhieBhreChfeDhoe第2题单选题(1分)下图()为简化后的晶体管h参数等效模型。AABBCCDD第3题判断题(1分)BJT混合参数模型中,rbe表明了输入电压ube对输入电流ib的控制能力,其值不可以忽略。()第4题判断题(1分)2BJT混合参数模型中,hre表明了输出回路uCE对输入回路uBE影响的程度,大多数情况下,其值不可以忽略。()第5题判断题(1分)在所有等效模型分析方法的应用中,rce都可以忽略不计。()08-04混合参数的确定测试第1题单选题(1分)PNP管的简化h参数等效模型为()。

A.A

B.B

C.C

D.DAABBCCDD第2题单选题(1分)在共发射极交流放大电路中,()是正确的。ABCD第3题单选题(1分)图示电路中,设,则rbe约等于()kΩ。A1.3B1.5C1.4D1.6第4题多选题(2分)有关BJT混合参数模型,即h模型,下列说法不正确的是()。A该模型不能分析直流信号B只要静态工作点在线性区,h模型就成立C模型中受控电流源的方向必须与ib方向一致D该模型对信号的频率没有要求正确答案：BD第5题多选题(2分)有关rbe,下列说法中正确的是()。Arbe是晶体管的动态等效输入电阻Brbe的大小与温度无关Crbe的值与静态工作点无关D只有经过静态分析才能确定rbe的值正确答案：AD第6题判断题(1分)BJT混合参数模型中hfe通常可以在晶体管参数手册上获得。()08-05微变等效电路法测试第1题单选题(1分)如图所示放大电路的h参数小信号等效电路为()。A(a)B(b)C(c)D(d)第2题单选题(1分)某共射放大电路如图所示,其中,若已知IC=1mA,VCE=7V,VBE=0.7V,rbe=1.6kΩ,,则说明()ABCD第3题单选题(1分)下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得电压放大倍数表达式为()。ABCD第4题单选题(1分)下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输入电阻表达式为()。ABCD第5题单选题(1分)下图电路中的电容可视为理想。用h参数小信号模型可求得输出电阻表达式为()。ABCD第6题单选题(1分)在如下基本共射放大电路中,其他参数不变,若将偏置电阻RB阻值增大,而保证晶体管仍工作于放大区,则放大电路的电压放大倍数|Au|将()。A增大B减小C不变D不确定第7题单选题(1分)在如下基本共射放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大IE,电压放大倍数|Au|将()。

A增加B减小C不变D不能确定09-01交流负载线分析测试第1题单选题(1分)共射放大电路如图所示,图解分析法中,交流负载线的斜率是()。A-1/RLB-1/RCC-1/RL’(RL’=RL//RC)D-1/Rb第2题判断题(1分)在放大电路的交流负载线分析中,需将动态信号叠加在静态工作点上。()第3题判断题(1分)通常情况下,交流负载线比直流负载线要陡些。()第4题判断题(1分)交流负载线和静态工作点无关。()第5题判断题(1分)共射放大电路输出与输入相比,幅度被放大了,频率不变,相位相同。()09-02非线性失真分析测试第1题单选题(1分)在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()失真。A截止失真B饱和失真C双向失真D线性失真第2题单选题(1分)由NPN型三极管组成的单管共射放大电路,如下图(左)所示,已知输入正弦信号、输出信号波形(右图),则它属于()。A交越失真B饱和失真C截止失真D频率失真第3题单选题(1分)在下图所示放大电路中,逐渐增大正弦输入电压幅度,发现输出电压出现底部削平失真,如果这时保持输入不变,减小RL,将会出现()现象。A底部失真加重B底部失真减轻或消失C将同时出现顶部和底部削平失真D失真不变第4题单选题(1分)图()示出了图()固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线,试求输出电压的最大不失真幅度约为()。A1VB第5题单选题(1分)在下图所示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（）A截止失真

B饱和失真C饱和失真和截止失真同时出现D交越失真第6题多选题(2分)放大电路如下图(左)所示,输入电压Ui与输出电压Uo的波形如下图(右)所示,为使输出电压波形不失真则应()。A增加RCB增加RBC减小RBD减小RC正确答案：BD第7题判断题(1分)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。()第8题判断题(1分)非线性失真都是静态工作点不合适造成的。()10-01静态工作点稳定需求分析测试第1题单选题(1分)对于固定偏置放大电路,随着温度升高,容易使放大电路出现()。A截止失真B饱和失真C频率失真D交越失真第2题单选题(1分)对于固定偏置放大电路,当室温升高时,其三极管ICQ()。A增大B减小C不变(或基本不变)D不定第3题单选题(1分)对于固定偏置放大电路,当室温升高时,静态工作点将()。A降低B升高C不变(或基本不变)D不定第4题单选题(1分)在温度变化.三极管老化.电源电压波动等外部因素的影响下,将引起静态工作点的变动,其中影响最大的是()。A温度变化B三极管老化C电源电压波动D信号频率变化第5题判断题(1分)IB不变的情况下,当温度升高,UBE将增大。()第6题判断题(1分)随着温度升高,ICBO增大。()10-02稳定静态工作点的典型电路及其原理测试第1题单选题(1分)对于如图所示射极偏置电路,当室温升高时,三极管的UCEQ()。A增大B减小C不变(或基本不变)D不定第2题判断题(1分)之所以射极偏置电路可以稳定静态工作点,其本质是Re引入了直流负反馈。()第3题判断题(1分)分压偏置共射放大电路能够稳定静态工作点,即UBEQ.IBQ.UCEQ.ICQ均保持基本不变。()第4题多选题(2分)对分压偏置共射放大电路而言,需要满足()条件,静态工作点才能得以基本稳定。

ABCD正确答案：AD第5题多选题(2分)分压偏置共射放大电路稳定静态工作点的关键要素包括()。A晶体管性能稳定,β不随温度变化B基极电位基本恒定,不随温度变化C电阻具有热补偿作用DRe引入直流电流负反馈正确答案：BD10-03分压偏置共射放大电路的静态分析测试第1题单选题(1分)在下图所示放大电路中,已知VCC=12V,Rb1=27kΩ,Rc=2kΩ,Re=1kΩ,UBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA,则Rb2约为()。A12kΩB10kΩC8kΩD16kΩ第2题单选题(1分)在图示电路中,已知3DG4的β=30,则有关静态时的IBQ、ICQ、UCEQ的估算值正确的是()。AIBQ=258μA,ICQ=8.0mA,UCEQ=4VBIBQ=62.4μA,ICQ=1.9mA,UCEQ=16.2VCIBQ=385μA,ICQ=11.9mA,UCEQ=-3.8VDIBQ=220μA,ICQ=6.6mA,UCEQ=6.8V第3题单选题(1分)图示电路中,欲增大UCEQ,可以()。A增大RcB增大Rb2C增大Rb1D减小Rb1第4题单选题(1分)分压式偏置工作点稳定电路,当β=50时,IB=20μA,IC=1mA。若只更换β=100的晶体管,而其他参数不变,则IB和IC分别是()。A10μA,1mAB20μA,2mAC30μA,3mAD40μA,4mA第5题单选题(1分)当用直流电压表测出UCE≈VCC,可能是因为()。ARC开路BRC短路CRb1开路DRb2开路第6题判断题(1分)在分压偏置共射放大电路中,Re取值越大越好。()10-04分压偏置共射放大电路的动态分析测试第1题单选题(1分)电路如下图所示,晶体管的=100,,UBE=0.7V。则放大倍数约为()A-7.8B-159C-2.4D-2第2题单选题(1分)电路如下图所示,晶体管的=100,,UBE=0.7V。则输入电阻Ri约为()。

A1.6kΩB3.7kΩC2.5kΩD5.3kΩ第3题单选题(1分)电路如下图所示,晶体管的=100,,UBE=0.7V。则输出电阻Ro约为()A2.5kΩB10kΩC4kΩD5kΩ第4题单选题(1分)分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开,则该电路的输入电阻将()。A增大B减小C不变D不定第5题单选题(1分)在如下图所示的放大电路中,设Vcc=10V,Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,RL=2KΩ。电容C1,C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100(假设rbb'约为0),则此放大电路的电压放大倍数()。A约为原来的2倍B约为原来的0.5倍C基本不变D约为原来的4倍第6题单选题(1分)如下所示电路中,欲提高放大电路的电压放大倍数,可以A减小RcB增大βC增大RED增大RB2第7题多选题(2分)如下所示电路中,若将发射极旁路电容Ce去掉,则哪些参数发生变化?()ABCDQ正确答案：AB11-01基本共集放大电路测试第1题单选题(1分)下列哪个电路中含有共集放大电路?()。

AABBCCDD第2题单选题(1分)在单极射极输出器电路中,输出电压uo与输入电压ui之间的关系是()。A两者反相,输出电压大于输出电压B两者同相,输出电压近似等于输入电压C两者同相,输出电压大于输出电压D两者反相,输出电压近似等于输入电压​第3题单选题(1分)如下图所示电路,=80,rbe=1kΩ。当RL=3kΩ时,电压放大倍数为()。A1.3B0.996C0.992D-0.992第4题单选题(1分)如下图所示电路,=80,rbe=1kΩ。当RL=3kΩ时,输入电阻为约()。A1kΩB76kΩC110kΩD56kΩ第5题单选题(1分)如下图所示电路,=80,rbe=1kΩ。当RL=3kΩ时,输出电阻为约()。A37ΩB1.5kΩC3kΩD12Ω第6题多选题(2分)射极跟随器具有()特点。A电流放大倍数高B电压放大倍数高C电压放大倍数近似于1且小于1D输入电阻高,输出电阻低正确答案：ACD第7题多选题(2分)下列场合适用射极输出器的包括()A作为多级放大电路的输入级B作为多级放大电路的缓冲级C作为多级放大电路的输出级D单独作为放大器使用正确答案：ABC11-02基本共基放大电路测试第1题单选题(1分)分析下图所示共基放大电路,RC减小时,静态电压UCEQ将()。A增大B减小C变化不大D不确定第2题单选题(1分)下图所示共基放大电路的三极管为硅管,UBE=0.7,rbb’=200Ω,β=100,可求得该电路的电压放大倍数为()。

A60B56C51D66第3题单选题(1分)下图所示共基放大电路的三极管为硅管,UBE=0.7,rbb’=200Ω,β=100,可求得该电路的输入电阻Ri为约()。

A22ΩB13ΩC26ΩD18Ω第4题单选题(1分)下图所示共基放大电路的三极管为硅管,UBE=0.7,rbb’=200Ω,β=100,可求得该电路的输出电阻Ro为()。

A2.1kΩB1.3kΩC2.6kΩD1.8kΩ第5题判断题(1分)共基放大电路较强的电压放大能力,因此可以单独作为电压放大器使用。()第6题多选题(2分)对于基本共基放大电路,下列说法正确的是()。A具有电压放大作用,反相放大B具有电压放大作用,同相放大C不能放大电压D不能放大电流正确答案：BD11-03三种组态放大电路的对比测试第1题单选题(1分)在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是()A共发射极电路的Au最大.Ri最小.Ro最小B共集电极电路的Au最小.Ri最大.Ro最小C共基极电路的Au最小.Ri最小.Ro最大D共发射极电路的Au最小.Ri最大.Ro最大第2题单选题(1分)为了使高阻输出的放大电路(或高阻信号源)与低阻负载(或低输入电阻的放大电路)很好地配合,可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入()A共射电路B共集电路C共基电路D任何一种组态的电路第3题单选题(1分)为了把一个低阻输出的放大电路(或内阻极小的电压源)转变为高阻输出的放大电路(或内阻尽可能大的电流源),可以在低阻输出的放大电路后面接入()。A共射电路B共集电路C共基电路D任何一种组态的电路第4题单选题(1分)放大电路的三种组态()。A都有电压放大作用B都有电流放大作用C都有功率放大作用D都不是第5题单选题(1分)可以放大电流,但不能放大电压的是()组态放大电路。A共射B共集C共基D不确定第6题单选题(1分)在共射.共集和共基三种基本放大电路组态中,输入电阻最小的是()组态。A共射B共集C共基D不确定第7题单选题(1分)既能放大电压,也能放大电流的是()组态放大电路。A共射B共集C共基D不确定11-04复合管放大电路测试第1题单选题(1分)下图电路中可以构成复合管的是()。A(a)B(b)C(c)D(d)第2题单选题(1分)下图电路中构成的是()类型的复合管。ANPNBPNPC为复合管,其等效类型不能确定D三极管连接错误,不能构成复合管第3题单选题(1分)对于复合管共射放大电路,下列说法正确的是()。A电压放大倍数比单管放大电路的大B电压放大倍数比单管放大电路的小C输入电阻明显增大D电流放大倍数基本不变第4题单选题(1分)如图所示复合管，已知T1的β1=30，T2的β2=50，则复合后的β约为A1500B80C50D30第5题单选题(1分)如图所示复合管,T1和T2管的放大系数分别为β1和β2,输入电阻分别为rbe1和rbe2,则复合管的输入电阻为()

Arbe1Brbe1Crbe1+(1+1)rbe2Drbe2+(1+2)rbe1第6题判断题(1分)任意两个三极管组成的复合管，其输入电阻都比单管的输入电阻大12-01频率响应问题的提出测试第1题单选题(1分)一个放大电路的输入信号为,输出信号为,则放大器()。A没有产生失真B产生了非线性失真C产生了幅度失真D产生了相位失真第2题单选题(1分)一个放大电路输入信号为,输出信号为,则放大器()。A没有产生失真B产生了非线性失真C产生了幅度失真D产生了相位失真第3题单选题(1分)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A耦合电容和旁路电容的存在B半导体管极间电容和分布电容的存在C半导体管的非线性特性D放大电路的静态工作点不合适第4题单选题(1分)放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A耦合电容和旁路电容的存在B半导体管极间电容和分布电容的存在C半导体管的非线性特性D放大电路的静态工作点不合适第5题单选题(1分)当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时,输出电压波形如图所示,说明该电路出现了()。

A饱和失真B截止失真C频率失真D不确定第6题单选题(1分)在考虑放大电路的频率失真时,若ui为正弦波,则uo()。A会产生线性失真B会产生非线性失真C为正弦波D不会产生失真第7题多选题(2分)下列失真中属于线性失真的是()。A饱和失真B截止失真C相位失真D幅度失真正确答案：CD12-02频率响应基本概念测试第1题单选题(1分)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是()。A输入电压幅值不变,改变频率B输入电压频率不变,改变幅值C输入电压的幅值与频率同时变化D输入电压的幅值和频率都不变第2题单选题(1分)当信号频率等于放大电路的截止频率时,放大倍数的值约下降到中频时的()。A0.5倍B0.7倍C0.9倍D0.8倍第3题单选题(1分)某放大电路电的折线近似波特图如图所示,则该电路的上限截止频率为()。A5×105HzB106HzC5×106HzD107Hz第4题单选题(1分)某放大电路电的折线近似波特图如图所示,则该电路的下限截止频率为()。A10HzB50C70HzD100Hz第5题单选题(1分)当输入信号频率f=5~40kHz时,单级放大电路的电压放大倍数均为100,而当f=500kHz时,电压放大倍数降为10,该电路的上限频率fH为()。A50kHzB60kHzC80kHzD75kHz第6题单选题(1分)为测定某单管放大电路的通频带,在输入电压Ui=10mV不变的条件下,改变输入电压频率f,测出相应的输出电压Uo,测试结果列表如下。则该放大电路的下限截止频率fL为()Hz。A0.1B10

C50D100第7题填空题(1分)某放大电路电的折线近似波特图如图所示,则该电路的下限截止频率处的增益为____dB。正确答案：:["37"]12-03单时间常数RC电路的频率响应测试第1题单选题(1分)单时间常数RC电路如图所示,其为()电路。A高通B低通C带通D带阻第2题单选题(1分)单时间常数RC电路如图所示,其电压增益表达式为()。ABCD第3题单选题(1分)如下图所示的电路,其电压增益表达式为()。ABCD第4题单选题(1分)对于单时间常数的RC电路来说,其截止频率的形式为()。ABCD第5题单选题(1分)某电路的频率特性如图所示,已知转折点频率为2MHz,此电路的频率特性表达式为()。

ABCD第6题单选题(1分)单时间常数RC电路如图所示,在截止频率处,将产生()。A45°的超前相移B45°的滞后相移C90°的超前相移D90°的滞后相移13-01晶体管高频等效模型测试第1题单选题(1分)晶体管的混合π等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?()。A小信号,管子处在饱和区B大信号,管子处在放大区C小信号,管子处在放大区D大信号,管子处在饱和区第2题单选题(1分)某晶体管在IEQ=4mA,UCEQ=6V时的参数β=150,rbe=1kΩ,fT=350MHz,Cb’c=4pF,则gm约为()ms。A6.5B153.8C88.7D230.8第3题单选题(1分)某晶体管在IEQ=4mA,UCEQ=6V时的参数β=150,rbe=1kΩ,fT=350MHz,Cb’c=4pF,则Cb’e约为()pF。A440B145C70D322第4题单选题(1分)混合π模型和h参数等效模型之间的关系为()。A在任何情况下都可以等效B在任何情况下都不能等效C在高频时可以等效D在中低频可以等效第5题判断题(1分)在研究晶体管高频等效电路时引入参数gm,等效电路中的电流源的大小与频率无关。()第6题多选题(2分)共发射极晶体管放大器的高频等小电路中,跨导参数gm与()有关。A温度B信号频率C静态工作点D信号幅度正确答案：AC13-02晶体管频率特性分析测试第1题单选题(1分)晶体管的电流放大系数具有()。A高通特性B低通特性C带通特性D带阻特性第2题单选题(1分)关于三极管高频参数,下列说法中不准确的为()。ABCD第3题单选题(1分)某晶体管在IEQ=4mA,UCEQ=6V时的参数β=150,rb’e=975Ω,Cb’c=4pF,Cb’e=66pF,则fβ约为()MHz。A5.41B1.53C2.33D2.47第4题单选题(1分)当时,β将产生()的附加相移。A45°超前B90°超前C45°滞后D90°滞后第5题单选题(1分)已知一个三极管在低频时的共射电流放大系数β0=100,特征频率fT=80MHz.当频率为()时,三极管的|β|≈70A80MHzB8MHzC0.8MHzD12.7MHz第6题判断题(1分)当时,晶体管失去放大能力。()13-03晶体管高频等效模型的单向化测试第1题单选题(1分)如下电路中,利用密勒定理,可以将电容等效到输入回路中的电容C1,其大小为()

A8.16pFB40.8pFC408pFD816pF第2题单选题(1分)如下电路中,利用密勒定理,可以将电容等效到输出回路中的电容C2,其大小为()。

A8.16pFB40.8pFC408pFD816pF第3题单选题(1分)密勒效应是指经输入回路的密勒等效电容将比原电容增大了()倍。(K为增益)A|K|B1+|K|C1+|1/K|D|1/K|第4题单选题(1分)在共射晶体管放大器模型的单向化后,输入端的总等效电容通常()输出端的总等效电容。A大于B小于C等于D视K值的正负而定在共射晶体管第5题单选题(1分)下图中()为单向化后的共射晶体管π等效模型。ABCD14-01共射放大电路中低频响应分析测试第1题单选题(1分)在单级阻容耦合放大电路的波特图中,幅频特性曲线在低频区的斜率为(),相频特性在低频区的斜率为()。

A20dB/十倍频45°/十倍频B

-20dB/十倍频45°/十倍频C20dB/十倍频-45°/十倍频D-20dB/十倍频-45°/十倍频第2题单选题(1分)对于单管共射放大电路,当f=fL时,输出和输入信号的相位关系是()。A+45°B-90°C-135°D-225°第3题单选题(1分)在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值()A增大B增大C不变D不确定第4题单选题(1分)在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应()。A减小C，减小Ri

B减小C，增大RiC增大C，减小RiD增大C，增大Ri第5题单选题(1分)共射单级放大电路如图所示,已知图中Rb=470kΩ,Rs=500Ω,晶体管的β=50,rbe=2kΩ,通频带范围为10Hz~100kHz,可计算C1的容量为()。A6.4μFB8.6μFC9.8μFD7.6μF第6题单选题(1分)共射放大电路如图所示,若将一个6800pF的电容错接在b、c极之间,则fL将()A增大B减小C不变D为零14-02共射放大电路高频响应分析测试第1题单选题(1分)在单级阻容耦合放大电路的波特图中,幅频特性曲线在高频区的斜率为(),相频特性在高频区的斜率为()。A20dB/十倍频45°/十倍频B-20dB/十倍频45°/十倍频

C20dB/十倍频-45°/十倍频D

-20dB/十倍频-45°/十倍频第2题单选题(1分)共射放大电路如图所示,

若将一个6800pF的电容错接在b、c极之间,则fH将()。A增加B减少C不变D为零第3题单选题(1分)图示共射放大电路中,若空载情况下,b-e间等效电容为C’,则频率fH的表达式为()。

ABCD第4题单选题(1分)图示共射放大电路中,若Rb减小,则be间的等效电容将(),fH将()。

A增大增大B增大减小C减小增大D都不变第5题判断题(1分)由于放大电路的增益带宽积近似为一个常数,所以宽带放大电路的放大倍数一定很低。()第6题判断题(1分)当晶体管和放大电路的结构选定之后,提高放大电路的电压放大倍数,必会牺牲放大电路的频带宽度。()14-03三种组态放大电路频响特性对比分析测试第1题单选题(1分)在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是()。A共射接法B共集接法C共基接法D不确定第2题单选题(1分)在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最差的是()。A共射接法B共集接法C共基接法D不确定第3题单选题(1分)为了得到放大器的带宽和电流与电压增益,通常使用两种不同组态的基本放大器组合实现,较合理的放大器组合是()放大器电路。A共射-共集B共集-共射C共基-共集D共射-共基第4题单选题(1分)共射-共基组合电路中,此组合电路的上限频率主要取决于()电路。A共射接法B共基接法C共同确定D不确定15-01场效应管概述测试第1题单选题(1分)工作在放大状态的场效应管是()。A电流控制元件B电压控制元件C不可控元件D供能元件第2题多选题(2分)和双极型晶体管相比,下列属于场效应管的优势有()。A集成度高B输入电阻大C放大能力强D温度稳定性好正确答案：ABD第3题多选题(2分)下列类型的晶体管输入场效应管的是()。AN沟道结型BNPNCP沟道增强型MOSDN沟道耗尽型MOS正确答案：ACD第4题判断题(1分)场效应管是单极型晶体管。()15-02结型场效应管测试第1题单选题(1分)结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。A反偏电压B反向电流C正偏电压D正向电流第2题单选题(1分)P沟道结型场效应管的夹断电压Up为()。A正值B负值C零D任意值第3题单选题(1分)P沟道结型场效应管的夹断电压Up为A正值B负值C零D任意值第4题单选题(1分)当场效应管工作在可变电阻区时,可作为阻值受()控制的线性电阻器。AUDSBUGSCUPDUDG第5题单选题(1分)结型场效应管中,外加电压UGS和UDS的极性()。A无特殊要求B必须相反C必须相同D不确定第6题判断题(1分)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。()15-03绝缘栅型场效应管测试第1题单选题(1分)下图中的三种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是()。AP沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETBP沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道CN沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETDN沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;N沟道结型第2题单选题(1分)P沟道增强型MOS管的电路符号为()。AABBCCDD第3题单选题(1分)某场效应管的转移特性如图所示,该管为()。AP沟道增强型MOS管BP沟道耗尽型MOS管CN沟道增强型MOS管DN沟道耗尽型MOS管第4题单选题(1分)该场效应管的或等于()V。A3B-1C2D1第5题单选题(1分)P沟道耗尽型MOS管中,外加电压UGS的极性为()。A正B负C可正可负D不确定第6题单选题(1分)P沟道耗尽型MOS管中,外加电压UDS的极性为()。A正B负C可正可负D不确定第7题判断题(1分)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。()15-04场效应管的主要参数和选择测试第1题单选题(1分)下列参数中,增强型场效应管具有的参数是()。A漏极饱和电流B开启电压C夹断电压D电流放大系数第2题单选题(1分)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。A增大B不变C减小D不确定第3题单选题(1分)场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。A电流B电场C电压D不确定第4题单选题(1分)场效应管漏极电流由()的运动形成。A少子B电子C多子D两种载流子第5题单选题(1分)各种场效应管对电压UDS极性的要求由()决定。AUGS的极性B耗尽型还是增强型C沟道的类型D不确定第6题单选题(1分)场效应管本质上是一个()器件。A电压控制电压源B电压控制电流源C电流控制电压源D电流控制电流源第7题多选题(2分)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管D均可以正确答案：AC16-01场效应管放大电路的偏置和静态分析测试第1题判断题(1分)结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路,即自偏压方式和分压式自偏压电路。()第2题判断题(1分)增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。()第3题单选题(1分)电路如图所示,已知场效应管的IDSS=4mA,夹断电压UP=–4V,VDD=20V,静态电压UGS=–2V,该电路的静态电流ID为()。

A4mAB2mAC1mAD0第4题单选题(1分)为使下图所示电路具有放大作用,必须()。

A在源极加一电阻RB在栅极与Rg2间加一电阻Rg3C去掉电阻Rg2D将电源+VDD改为-VDD第5题单选题(1分)如下场效应放大电路中,在线性放大条件下,当增大RG时,静态电流|IDQ|将()。A增大B减小C基本不变D不确定第6题单选题(1分)在线性放大条件下,当增大RS时,|IDQ|将()。A增大B减小C基本不变D不确定16-02场效应管微变等效模型测试第1题单选题(1分)下图中为场效应管小信号模型的为()。ABCD第2题单选题(1分)下列公式中反映gm和β关系的是()。ABCD第3题单选题(1分)如下场效应放大电路中,在线性放大条件下,当增大RS时,gm将()。A增大B减小C基本不变D不确定第4题判断题(1分)场效应管不存在电容效应。()第5题判断题(1分)场效应管的参数gm与静态工作点无关。()16-03场效应管放大电路及其动态分析第1题判断题(1分)由于场效应管的栅极几乎不取电流,所以图示电路中Rg的大小对中频电压放大倍数几乎没有影响。(

)第2题单选题(1分)场效应管放大电路如图所示,假设各电容对交流呈短路,则输入电阻Ri和输出电阻Ro的表达式分别为()。ABC,D第3题单选题(1分)在下图所示放大电路中,耗尽型MOS管的gm=1ms,各电容对交流信号可视为短路。

该电路的Au为()。

A-3B3C-5D5第4题单选题(1分)电路如图所示。其中RG=1.1MΩ,RS=10kΩ,场效应管的gm=0.9mS,各电容器的电容量均足够大,电源电压VDD的大小已足以保证管子能工作于恒流区。则电路的Au.Ri和Ro分别约为()。

A0.9;1.1MΩ;10kΩB0.9;1.5MΩ;1kΩC9;1.1MΩ;1kΩD0.9;1.1MΩ;1kΩ第5题单选题(1分)场效应管放大电路如图所示,在线性放大条件下,当增大时,将()。A增大B减小C基本不变D不确定第6题单选题(1分)在线性放大条件下,当增大时,将()。A增大B减小C基本不变D不确定16-04FET与BJT放大电路的对比分析测试第1题判断题(1分)场效应管栅极几乎不取电;而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。()第2题判断题(1分)场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电;场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。()第3题单选题(1分)在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用()构建放大电路可获得更好的放大效果。A双极型晶体管B场效应管C均可以D不确定第4题单选题(1分)在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用()构建放大电路可获得更好的放大效果。A双极型晶体管B场效应管C均可以D不确定第5题单选题(1分)如图所示的四种电路中,具有电压放大作用的是()。A(a)B(b)C(c)D(d)第6题多选题(2分)下列各种组态的放大电路中,具有输入电阻大.输出电阻低特点的有()。A共射放大电路B共集放大电路C共漏放大电路D共栅放大电路正确答案：BC第7题多选题(2分)下列各种组态的放大电路中,放大能力强,适于作为多级放大电路的中间级的有()。A共射放大电路B共集放大电路C共源放大电路D共栅放大电路正确答案：AC17-01多级放大电路的耦合方式测试第1题单选题(1分)为了放大变化缓慢的微弱信号,多级放大电路应采用()耦合方式。,A阻容B直接C