(2025年)电子类专升本题库及答案

(2025年)电子类专升本题库及答案一、电路分析基础1.选择题：在图示电路中（注：假设电路为3个电阻串联，R1=2Ω，R2=3Ω，R3=5Ω，电源电压U=20V），若将R2短路，电路总电流将（）。A.增大B.减小C.不变D.无法确定2.填空题：已知某支路电流参考方向向左，实际测量电流为-3A，则其实际方向为（），大小为（）A。3.计算题：如图所示电路（注：含独立电压源U1=10V，U2=5V，电阻R1=4Ω，R2=2Ω，R3=6Ω，其中U1与R1串联后与U2、R2串联支路并联，再与R3串联），试用基尔霍夫定律求R3支路的电流I3。4.分析题：在正弦稳态电路中，已知某元件两端电压u(t)=10√2sin(314t+30°)V，通过电流i(t)=5√2sin(314t-60°)A，判断该元件类型并计算其参数值。二、模拟电子技术1.选择题：共集电极放大电路的主要特点是（）。A.电压放大倍数大，输入电阻小B.电压放大倍数近似为1，输入电阻大C.电压放大倍数小，输出电阻大D.电流放大倍数小，频率特性差2.填空题：某单管共射放大电路中，若静态工作点Q设置过高，容易出现（）失真；若Q设置过低，容易出现（）失真。3.计算题：如图所示共射极放大电路（注：VCC=12V，RB=300kΩ，RC=3kΩ，β=50，UBE=0.7V），求：（1）静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ；（2）若输入正弦信号，画出输出电压波形（假设输入为正半周时，输出波形顶部被削平，说明失真类型）。4.分析题：集成运放组成的反相比例运算电路中，已知R1=10kΩ，RF=100kΩ，输入电压ui=0.5V，求输出电压uo；若运放最大输出电压为±12V，当ui=1.5V时，uo是否会出现限幅？说明理由。三、数字电子技术1.选择题：逻辑函数F=AB+AC+BC的最小项表达式为（）。A.Σm(3,5,6,7)B.Σm(1,2,4,7)C.Σm(0,3,5,6)D.Σm(2,3,5,7)2.填空题：TTL与非门多余输入端的处理方法是（）（至少写两种）；CMOS门电路多余输入端（）（填“可以”或“不可以”）悬空。3.分析题：已知逻辑函数F=A(B+C)+C，用卡诺图化简为最简与或式，并画出用与非门实现的逻辑电路图。4.设计题：用74LS161（4位同步二进制计数器，同步置数，异步清零）设计一个模9计数器，要求采用置数法（置数端D3D2D1D0=0000），画出接线图并列出状态转换表。四、单片机原理及应用1.选择题：MCS-51单片机中，若晶振频率为12MHz，则一个机器周期为（）。A.1μsB.2μsC.0.5μsD.12μs2.填空题：8051单片机的P0口作为通用I/O口使用时，需要外接（）；访问片外数据存储器时，P0口输出（），P2口输出（）。3.应用题：某8051系统中，使用定时器T0工作在方式1（16位定时），晶振频率为6MHz，要求定时1ms，计算定时器初值并编写初始化程序（假设定时器中断允许，总中断允许）。4.分析题：简述单片机中断响应的条件及过程，若某中断请求标志未被及时清除，可能导致什么问题？答案及解析一、电路分析基础1.答案：A解析：R2短路后，总电阻R总=R1+R3=2+5=7Ω（原总电阻为2+3+5=10Ω），根据I=U/R，总电流增大。2.答案：向右；3解析：电流参考方向与实际方向相反时，电流值为负，绝对值表示大小。3.解答：设节点a为参考点，节点b的电压为Ub。根据基尔霍夫电流定律（KCL），流入节点b的电流等于流出电流：(U1Ub)/R1+(U2Ub)/R2=Ub/R3代入数据：(10Ub)/4+(5Ub)/2=Ub/6通分后：3(10Ub)+6(5Ub)=2Ub→303Ub+306Ub=2Ub→9Ub=60→Ub=60/9≈6.67VR3支路电流I3=Ub/R3=6.67/6≈1.11A（方向由b流向a）。4.解答：电压与电流的相位差φ=30°-(-60°)=90°，电压超前电流90°，说明为电感元件。电压有效值U=10V，电流有效值I=5A，感抗XL=U/I=2Ω；由XL=ωL=2πfL，ω=314rad/s，得L=XL/ω=2/314≈0.00637H（6.37mH）。二、模拟电子技术1.答案：B解析：共集电极电路（射极输出器）电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。2.答案：饱和；截止解析：Q点过高时，三极管进入饱和区，输出波形底部失真（饱和失真）；Q点过低时，三极管进入截止区，输出波形顶部失真（截止失真）。3.解答：（1）静态工作点：IBQ=(VCCUBE)/RB=(12-0.7)/300k≈0.0377mAICQ=βIBQ=50×0.0377≈1.885mAUCEQ=VCCICQ×RC=121.885×3≈6.345V（2）输入正半周时，基极电流增大，集电极电流增大，UCE=VCC-ICRC减小，若Q点过高，当IC增大到使三极管进入饱和区时，UCE无法继续减小，输出波形底部被削平（饱和失真）。4.解答：反相比例运算公式uo=-(RF/R1)ui=-(100/10)×0.5=-5V；当ui=1.5V时，uo=-(100/10)×1.5=-15V，超过运放最大输出±12V，因此uo=-12V（限幅）。三、数字电子技术1.答案：A解析：展开F=AB(C+C')+AC(B+B')+BC(A+A')=ABC+ABC'+AB'C+ABC+A'BC=ABC+ABC'+AB'C+A'BC=Σm(7,6,5,3)。2.答案：接高电平、与有用端并联；不可以解析：TTL与非门多余输入端接高电平（通过电阻接VCC）或与有用输入端并联；CMOS门电路输入阻抗高，悬空会感应干扰，必须接高/低电平。3.解答：逻辑函数F=A(B+C)+C=AB+AC+C=AB+C(A+1)=AB+C（最简与或式）。用与非门实现：F=AB+C=((AB)'·C')'，需两个与非门（一个实现AB'，一个实现(AB)'·C'的非）。4.解答：74LS161为模16计数器，置数法需在状态Q3Q2Q1Q0=1000时（第8个状态，从0000开始计数到1000为9个状态），通过与非门检测该状态，输出置数信号LOAD'=0，下一时钟沿将D3D2D1D0=0000置入，状态转换为0000→0001→…→1000→0000…。接线图需将Q3、Q0接与非门输入，输出接LOAD'，D3-D0接地，CLR'接高电平，CP接时钟。四、单片机原理及应用1.答案：A解析：机器周期=12/晶振频率=12/12MHz=1μs。2.答案：上拉电阻；低8位地址/数据总线；高8位地址解析：P0口无内部上拉电阻，作为I/O时需外接上拉；访问片外RAM时，P0分时输出低8位地址（ALE锁存）和输入/输出数据，P2输出高8位地址。3.解答：晶振6MHz，机器周期=12/6MHz=2μs。定时1ms=1000μs，需计数次数N=1000/2=500次。16位定时器初值=65536-500=65036（十六进制为FE0CH）。初始化程序：MOVTMOD,01H；T0方式1MOVTH0,0FEH；高8位初值MOVTL0,0CH；低8位初值SETBET0；允许T0中断SETBEA；总中断允许SETBTR0；启动T0