集成电路制造工艺 课件 4.2 湿法刻蚀_第1页
集成电路制造工艺 课件 4.2 湿法刻蚀_第2页
集成电路制造工艺 课件 4.2 湿法刻蚀_第3页
集成电路制造工艺 课件 4.2 湿法刻蚀_第4页
集成电路制造工艺 课件 4.2 湿法刻蚀_第5页
已阅读5页，还剩6页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

集成电路制造工艺

--湿法刻蚀单位：江苏信息职业技术学院微电子教研室湿法刻蚀第四章刻蚀干法刻蚀去胶刻蚀的基本概念本章要点湿法刻蚀第四章刻蚀干法刻蚀去胶本章要点刻蚀的基本概念湿法刻蚀：目前主要用在漂去氧化硅、表层剥离及大尺寸图形（3

m以上)腐蚀应用方面；

干法刻蚀：是亚微米和深亚微米尺寸下刻蚀器件的主要方法。刻蚀湿法刻蚀干法刻蚀§4.2湿法刻蚀湿法刻蚀是利用一定的化学试剂与需刻蚀的薄膜反应从而在薄膜上显示一定的图形。一、湿法刻蚀的基本概念湿法刻蚀的优点：高刻蚀的选择比；不产生衬底损伤。湿法刻蚀的缺点：各向同性刻蚀，刻蚀后的线条宽度难以控制。通常伴有放热并产生气体。反应放热会造成局部区域的温度升高；反应生成的气泡会造成局部反应停止，形成缺陷。1.二氧化硅的湿法刻蚀腐蚀液：缓冲氢氟酸腐蚀液BHF或缓冲氧化硅腐蚀液BOE（BufferofEtchant)NH4F作为缓冲剂减慢并稳定腐蚀过程，从而很好地控制腐蚀速率。腐蚀的化学原理：§4.2湿法刻蚀二、几种薄膜的湿法刻蚀腐蚀液磷酸H3PO4——起主要的腐蚀作用硝酸HNO3——改善台阶性能醋酸——降低腐蚀液表面张力水——调节腐蚀液浓度腐蚀原理：2.铝的湿法刻蚀对下层材料有较高的选择比、对器件不会造成等离子体损伤、设备简单，各向同性刻蚀造成分辨率低，化学刻蚀槽的安全性。△x三、湿法刻蚀的特点湿法各向同性化学腐蚀腐蚀因子：1.全自动湿法腐蚀操作设

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论