半导体光刻工程师岗位招聘考试试卷及答案

半导体光刻工程师岗位招聘考试试卷及答案一、填空题（共10题，每题1分）1.光刻胶按曝光后溶解性变化分为正性光刻胶和______光刻胶。2.光刻机关键参数中，NA代表______。3.光刻核心步骤包括涂胶、曝光、______、刻蚀、去胶。4.光刻掩模常用基底材料是______。5.分辨率公式为R=______（λ为曝光波长，k为工艺因子）。6.刻蚀分为干法刻蚀和______刻蚀。7.对准精度（Overlay）常用单位是______。8.EUV光刻曝光波长是______nm。9.正性光刻胶显影液常用______溶液。10.硬掩模常用材料如______（SiON、SiO₂等）。二、单项选择题（共10题，每题2分）1.影响光刻分辨率最主要的参数是（）A.曝光时间B.NA和波长C.显影温度D.涂胶厚度2.193nmDUV光刻光源是（）A.KrFB.ArFC.XeClD.He-Ne3.光刻机对准方式不包括（）A.光学对准B.电子束对准C.激光对准D.机械对准4.EUV光刻最大挑战是（）A.光源功率不足B.光刻胶灵敏度低C.掩模污染D.以上都是5.湿法显影更适用于（）A.高分辨率图形B.大面积均匀显影C.深槽刻蚀后D.金属层光刻6.具有各向异性的刻蚀是（）A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.化学刻蚀D.等离子体刻蚀（部分）7.光刻掩模缺陷不包括（）A.黑点缺陷B.白点缺陷C.边缘缺陷D.尺寸缺陷8.工艺因子k典型值范围是（）A.0.1-0.3B.0.3-0.8C.0.8-1.2D.1.2-1.59.浸没式光刻填充______提升NA（）A.空气B.纯水C.油D.惰性气体10.显影步骤作用是（）A.去除未曝光光刻胶B.去除曝光光刻胶C.固化光刻胶D.清洗晶圆三、多项选择题（共10题，每题2分）1.光刻主要步骤包括（）A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀E.去胶2.光刻机核心组件包括（）A.光源B.镜头组C.晶圆台D.掩模台E.对准系统3.光刻胶组成包括（）A.树脂B.光敏剂C.溶剂D.添加剂E.金属颗粒4.EUV光刻难点包括（）A.光源功率低B.掩模易污染C.光刻胶灵敏度低D.反射镜吸收EUVE.对准精度要求高5.影响对准精度的因素包括（）A.晶圆翘曲B.掩模变形C.光刻机精度D.环境温度E.曝光剂量6.显影关键参数包括（）A.显影液浓度B.显影温度C.显影时间D.搅拌速度E.曝光剂量7.刻蚀后处理步骤包括（）A.去胶B.清洗C.退火D.掺杂E.沉积8.掩模制备工艺包括（）A.基底清洗B.铬膜沉积C.电子束曝光D.显影E.蚀刻9.光刻缺陷分类包括（）A.对准缺陷B.图形缺陷C.材料缺陷D.设备缺陷E.环境缺陷10.浸没式光刻材料要求包括（）A.纯水纯度高B.光刻胶耐水C.镜头抗腐蚀D.晶圆表面疏水E.掩模透明四、判断题（共10题，每题2分）1.分辨率与NA成正比，与波长成反比。（）2.EUV光刻用反射式掩模，不用透射式。（）3.干法刻蚀各向异性比湿法弱。（）4.对准精度越高，成品率越高。（）5.正性光刻胶未曝光区域溶于显影液。（）6.硬掩模仅用于金属层光刻。（）7.浸没式光刻NA可超1（空气NA≈0.95）。（）8.掩模微小缺陷不影响晶圆图形。（）9.193nmimmersion是先进制程主流工艺之一。（）10.EUV波长属于极紫外范围。（）五、简答题（共4题，每题5分）1.简述光刻核心步骤及作用。2.解释分辨率公式R=kλ/NA各参数含义，及提升分辨率的方法。3.对比浸没式与干式光刻的主要区别。4.简述EUV光刻核心难点。六、讨论题（共2题，每题5分）1.如何提升光刻对准精度（Overlay）？2.选择光刻胶需考虑哪些关键因素？---答案部分一、填空题答案1.负性2.数值孔径3.显影4.石英（玻璃）5.kλ/NA6.湿法7.纳米（nm）8.13.59.四甲基氢氧化铵（TMAH）10.无机介质（SiON、SiO₂等均可）二、单项选择题答案1.B2.B3.D4.D5.B6.B7.D8.B9.B10.A三、多项选择题答案1.ABCDE2.ABCDE3.ABCD4.ABCDE5.ABCD6.ABCD7.AB8.ABCDE9.ABC10.ABCD四、判断题答案1.√2.√3.×4.√5.×6.×7.√8.×9.√10.√五、简答题答案1.光刻核心步骤及作用：①涂胶：晶圆表面均匀涂覆光刻胶薄膜；②曝光：掩模图形转移到光刻胶，引发化学变化；③显影：去除曝光/未曝光光刻胶，形成目标图形；④刻蚀：以光刻胶为掩模，刻蚀晶圆薄膜；⑤去胶：去除残留光刻胶，完成图形转移。2.分辨率公式解析：R（最小可分辨尺寸）、k（工艺因子，0.3-0.8）、λ（曝光波长）、NA（镜头数值孔径）。提升方法：减小λ（如193nm→13.5nm）、增大NA（浸没式光刻）、优化k值（工艺调整）。3.浸没式与干式光刻区别：①NA：干式≤0.95，浸没式因充纯水可超1；②分辨率：浸没式更高（10nm以下）；③材料要求：浸没式需高纯水、耐水光刻胶、抗腐蚀镜头；④成本：浸没式工艺更复杂，成本更高。4.EUV光刻核心难点：①光源功率：仅数百瓦，量产需千瓦级；②掩模污染：EUV易被污染物吸收，掩模寿命短；③光刻胶灵敏度：现有胶灵敏度低，曝光时间长；④反射镜：EUV吸收强，多层反射镜制备难；⑤对准精度：先进制程需≤1nm，对准系统要求高。六、讨论题答案1.提升对准精度方法：①设备优化：高精度光刻机，提升晶圆/掩模台定位精度；②工艺调整：控制晶圆翘曲（退火、平坦化），减少掩模变形；③环境控制：稳定温湿度、避免振动；④算法优化：先进图像识别对