2026半导体工艺工程师校招面试题及答案

2026半导体工艺工程师校招面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）1.光刻工艺中常用的光源是（）A.紫外线B.红外线C.可见光D.激光2.化学气相沉积（CVD）主要用于（）A.光刻B.刻蚀C.薄膜沉积D.掺杂3.以下哪种是常用的半导体材料（）A.铜B.硅C.铝D.铁4.离子注入的目的是（）A.去除杂质B.改变材料导电性C.抛光表面D.沉积薄膜5.湿法刻蚀的优点是（）A.各向异性好B.选择性高C.设备简单D.以上都是6.半导体制造中，晶圆清洗的主要目的是（）A.去除表面杂质B.改变晶圆形状C.提高晶圆温度D.降低晶圆硬度7.物理气相沉积（PVD）不包括（）A.溅射B.蒸发C.化学镀D.离子镀8.光刻工艺的关键步骤不包括（）A.涂胶B.曝光C.显影D.退火9.半导体封装的主要作用是（）A.保护芯片B.提高芯片速度C.降低芯片功耗D.改变芯片性能10.以下哪种工艺用于在晶圆上制作金属互连（）A.光刻B.刻蚀C.电镀D.氧化多项选择题（每题2分，共20分）1.半导体制造的主要工艺流程包括（）A.光刻B.刻蚀C.薄膜沉积D.掺杂2.光刻工艺中的光刻胶具有以下特性（）A.对特定波长光敏感B.可溶于特定溶剂C.硬度高D.导电性好3.化学机械抛光（CMP）的作用有（）A.平坦化晶圆表面B.去除表面氧化层C.提高表面光洁度D.改变晶圆尺寸4.半导体工艺中常用的气体有（）A.氮气B.氢气C.氧气D.氯气5.离子注入过程中需要控制的参数有（）A.离子能量B.离子剂量C.注入角度D.注入时间6.湿法刻蚀的缺点有（）A.各向同性B.选择性差C.污染大D.刻蚀速率慢7.半导体封装的类型有（）A.DIPB.QFPC.BGAD.SOP8.薄膜沉积工艺可分为（）A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.电镀D.化学镀9.光刻工艺中的曝光方式有（）A.接触式曝光B.接近式曝光C.投影式曝光D.电子束曝光10.半导体工艺中的清洗方法有（）A.湿法清洗B.干法清洗C.超声波清洗D.等离子清洗判断题（每题2分，共20分）1.半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。（）2.光刻工艺中，曝光时间越长越好。（）3.化学气相沉积只能沉积金属薄膜。（）4.离子注入会对晶圆表面造成损伤。（）5.湿法刻蚀比干法刻蚀的选择性高。（）6.晶圆清洗不会影响半导体器件的性能。（）7.物理气相沉积和化学气相沉积的原理相同。（）8.半导体封装不会影响芯片的散热性能。（）9.光刻胶在曝光后性质会发生改变。（）10.化学机械抛光主要用于去除晶圆表面的杂质。（）简答题（每题5分，共20分）1.简述光刻工艺的基本步骤。2.化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）的主要区别是什么？3.离子注入的主要优点有哪些？4.半导体封装的主要作用是什么？讨论题（每题5分，共20分）1.讨论光刻工艺中曝光精度对半导体器件性能的影响。2.分析湿法刻蚀和干法刻蚀在实际应用中的优缺点。3.探讨提高半导体工艺中薄膜沉积质量的方法。4.谈谈半导体封装技术的发展趋势。答案单项选择题1.A2.C3.B4.B5.B6.A7.C8.D9.A10.C多项选择题1.ABCD2.AB3.AC4.ABCD5.ABC6.AC7.ABCD8.AB9.ABC10.ABCD判断题1.√2.×3.×4.√5.×6.×7.×8.×9.√10.×简答题1.光刻基本步骤：涂胶，在晶圆表面涂光刻胶；曝光，用特定波长光照射光刻胶；显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶。2.区别：CVD是通过化学反应沉积薄膜，PVD是物理方法使材料沉积，CVD成膜质量好，PVD沉积速率快。3.优点：精确控制杂质浓度和深度；可低温操作，减少热影响；能实现大面积均匀掺杂。4.作用：保护芯片免受外界环境影响；实现芯片与外界电气连接；提供散热通道。讨论题1.曝光精度高，器件尺寸精度高，可提高集成度、性能和可靠性；精度低，会使器件尺寸偏差大，性能下降甚至失效。2.湿法刻蚀选择性高、设备简单，但各向同性、污染大；干法刻蚀各向异性好