2026半导体工艺工程师招聘面试题及答案

2026半导体工艺工程师招聘面试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）1.以下哪种光刻技术分辨率最高？A.紫外光刻B.深紫外光刻C.极紫外光刻D.电子束光刻2.硅片清洗常用的试剂是？A.酒精B.王水C.RCA清洗液D.硫酸3.化学气相沉积（CVD）主要用于？A.刻蚀B.掺杂C.薄膜沉积D.光刻4.以下哪种掺杂方式精度最高？A.离子注入B.扩散C.溅射D.蒸发5.半导体制造中常用的衬底材料是？A.玻璃B.陶瓷C.硅D.铜6.光刻工艺中，光刻胶的作用是？A.保护硅片B.形成图形C.提高导电性D.散热7.刻蚀工艺分为干法和湿法，干法刻蚀的优点是？A.成本低B.各向异性好C.设备简单D.对环境友好8.以下哪种薄膜常用于栅极绝缘层？A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.铝9.半导体制造中的外延生长是指？A.在硅片表面生长一层新的晶体B.对硅片进行抛光C.对硅片进行清洗D.在硅片上打孔10.以下哪种设备用于检测硅片表面缺陷？A.光刻机B.刻蚀机C.扫描电子显微镜D.化学气相沉积设备多项选择题（每题2分，共20分）1.半导体工艺中的光刻步骤包括？A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀2.常见的半导体掺杂元素有？A.硼B.磷C.砷D.镓3.化学机械抛光（CMP）的作用有？A.平整硅片表面B.去除表面杂质C.提高硅片硬度D.改善硅片导电性4.半导体制造中的洁净室要求？A.温度恒定B.湿度恒定C.低尘埃颗粒D.高气压5.以下属于干法刻蚀的方法有？A.等离子体刻蚀B.反应离子刻蚀C.溅射刻蚀D.化学刻蚀6.半导体工艺中常用的薄膜沉积方法有？A.物理气相沉积（PVD）B.化学气相沉积（CVD）C.原子层沉积（ALD）D.电镀7.影响光刻分辨率的因素有？A.光源波长B.光刻胶性能C.光学系统数值孔径D.曝光时间8.半导体器件制造中的隔离技术有？A.浅沟槽隔离（STI）B.局部氧化隔离（LOCOS）C.多晶硅隔离D.金属隔离9.半导体工艺中的测试包括？A.电学测试B.光学测试C.机械性能测试D.化学分析测试10.以下哪些是半导体工艺工程师需要具备的技能？A.熟悉半导体工艺流程B.掌握半导体设备操作C.具备数据分析能力D.了解半导体材料特性判断题（每题2分，共20分）1.光刻工艺是半导体制造中最关键的工艺之一。（）2.湿法刻蚀比干法刻蚀的各向异性更好。（）3.离子注入可以精确控制掺杂的剂量和深度。（）4.化学气相沉积只能用于沉积二氧化硅薄膜。（）5.半导体制造中的洁净室等级越高，尘埃颗粒越少。（）6.光刻胶的感光度越高，曝光时间越长。（）7.外延生长的晶体结构与衬底晶体结构可以不同。（）8.化学机械抛光可以同时实现材料去除和表面平整。（）9.半导体工艺中的测试主要是为了检测成品的外观缺陷。（）10.半导体工艺工程师只需要关注工艺本身，不需要了解设备操作。（）简答题（每题5分，共20分）1.简述光刻工艺的基本流程。2.离子注入和扩散掺杂各有什么优缺点？3.化学机械抛光（CMP）的原理是什么？4.半导体制造中洁净室的作用是什么？讨论题（每题5分，共20分）1.讨论半导体工艺中光刻技术的发展趋势。2.如何提高半导体器件的性能和可靠性？3.分析半导体工艺中薄膜沉积质量的影响因素。4.作为半导体工艺工程师，如何应对工艺中的突发问题？答案单项选择题1.D2.C3.C4.A5.C6.B7.B8.B9.A10.C多项选择题1.ABC2.ABCD3.AB4.ABC5.ABC6.ABC7.ABC8.AB9.ABCD10.ABCD判断题1.√2.×3.√4.×5.√6.×7.×8.√9.×10.×简答题1.光刻基本流程：涂光刻胶、前烘、曝光、显影、后烘，通过光刻将掩膜版图形转移到硅片上。2.离子注入优点是精确控制，缺点是有损伤；扩散掺杂优点是设备简单，缺点是精度低、高温影响大。3.CMP原理是化学腐蚀和机械研磨结合，通过抛光液化学作用和磨粒机械作用去除材料，实现表面平整。4.洁净室可控制温度、湿度、尘埃等，防止杂质污染硅片，保证半导体制造工艺稳定性和产品良率。讨论题1.光刻技术向更高分辨率、更小线宽发展，极紫外光刻应用会增多，同时提升光刻效率和降低成本。2.可优化工艺参数、提高材料质量、加强测试和监控、改进封装技