半导体光刻胶涂布技师（初级）考试试卷及答案

半导体光刻胶涂布技师（初级）考试试卷及答案半导体光刻胶涂布技师（初级）考试试卷及答案一、填空题（每题1分，共10分）1.光刻胶按曝光后溶解性分为______和负性光刻胶两类。2.旋涂转速越高，光刻胶厚度越______。3.涂布后前烘的主要目的是去除光刻胶中的______。4.涂布前晶圆需进行______处理，去除表面污染物。5.曝光后PEB工艺的中文名称是______。6.光刻胶应存储在______（温度范围）、避光密封的环境中。7.涂布机匀胶腔需定期清洁，防止______污染晶圆。8.操作光刻胶需佩戴______手套，避免直接接触。9.负性光刻胶曝光区域会发生______反应，不溶于显影液。10.晶圆装载时需对准______保证定位准确。二、单项选择题（每题2分，共20分）1.旋涂转速增加，光刻胶厚度（）A.增厚B.变薄C.不变D.不确定2.前烘温度过高会导致（）A.光刻胶变质B.溶剂残留多C.图形变形D.胶厚增加3.正性光刻胶曝光区域在显影液中（）A.溶解B.保留C.部分溶解D.不确定4.涂布前晶圆预处理不包括（）A.去油B.去水C.涂底胶D.高温烘烤5.PEB的英文全称是（）A.Post-ExposureBakeB.Pre-ExposureBakeC.Post-CoatingBakeD.Pre-CoatingBake6.光刻胶操作的眼睛防护需佩戴（）A.普通眼镜B.护目镜C.墨镜D.不需要7.初级涂布均匀性要求一般为（）A.±1%B.±3%C.±5%D.±10%8.涂布机核心部件是（）A.匀胶腔B.滴胶系统C.转速控制D.前烘模块9.负性光刻胶分辨率比正性（）A.高B.低C.相同D.不确定10.晶圆装载需对准（）A.卡槽B.定位槽C.任意位置D.滴胶口三、多项选择题（每题2分，共20分，多选/少选/错选不得分）1.晶圆预处理步骤包括（）A.去油清洗B.去离子水冲洗C.干燥D.涂底胶2.涂布关键参数有（）A.旋涂转速B.滴胶量C.旋涂时间D.前烘温度3.安全防护措施包括（）A.防静电服B.防毒口罩C.耐化学手套D.防滑鞋4.影响均匀性的因素有（）A.转速稳定B.滴胶位置C.晶圆平整度D.环境湿度5.负性光刻胶特点（）A.曝光交联B.不溶于显影液C.分辨率高D.适合精细图形6.正性光刻胶特点（）A.曝光溶解B.分辨率高C.适合精细图形D.曝光保留7.涂布后检查项目（）A.胶厚B.均匀性C.无气泡D.无划痕8.PEB作用（）A.增强曝光反应B.提高图形精度C.减少驻波D.去除溶剂9.光刻胶存储要求（）A.0-5℃B.避光C.密封D.远离热源10.涂布机维护内容（）A.清洁匀胶腔B.校准转速C.换过滤芯D.检查滴胶系统四、判断题（每题2分，共20分，√/×）1.旋涂转速越快，胶厚越厚。（）2.前烘去除胶中溶剂。（）3.正性胶曝光区域显影溶解。（）4.涂布前晶圆无需预处理。（）5.光刻胶可常温存储。（）6.PEB是曝光后必须步骤。（）7.操作胶无需戴防毒口罩。（）8.初级均匀性要求±5%以内。（）9.负性胶分辨率比正性高。（）10.晶圆装载无需对准定位槽。（）五、简答题（每题5分，共20分，≤200字）1.简述晶圆预处理的目的及步骤。2.说明旋涂法涂布的基本原理。3.简述前烘的作用及注意事项。4.说明光刻胶操作安全防护的重要性及要求。六、讨论题（每题5分，共10分，≤200字）1.分析影响涂布均匀性的常见因素及解决方法。2.讨论涂布常见缺陷（气泡、划痕）及预防措施。---答案部分一、填空题答案1.正性光刻胶2.薄3.溶剂4.清洁（预处理）5.曝光后烘烤6.0-5℃（低温）7.颗粒（污染物）8.耐化学（丁腈）9.交联10.定位槽二、单项选择题答案1.B2.A3.A4.D5.A6.B7.C8.A9.B10.B三、多项选择题答案1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABCD5.AB6.ABC7.ABCD8.ABC9.ABCD10.ABCD四、判断题答案1.×2.√3.√4.×5.×6.√7.×8.√9.×10.×五、简答题答案1.目的：去除晶圆油污、颗粒、水分，提高胶附着力，保证均匀性。步骤：①去油清洗（有机溶剂）；②去离子水冲洗；③氮气干燥；④涂底胶（增强附着）。2.晶圆固定在匀胶卡盘，滴胶后高速旋转，胶受离心力均匀铺展；转速决定胶厚（转速越高胶越薄），旋涂时间保证胶层稳定。3.作用：去除溶剂，防止曝光污染设备、显影溶解胶层。注意：温度90-120℃（依胶种），时间1-5分钟，避免高温变质。4.重要性：胶含化学物质危害人体，易静电放电损坏晶圆。要求：穿防静电服、耐化学手套，戴护目镜、防毒口罩，远离火源，废液分类处理。六、讨论题答案1.常见因素：①转速不稳→校准转速系统；②滴胶偏移→固定中心滴胶；③晶圆不平→换合格晶圆；④湿度高→控制4