2026北方华创校招题库及答案

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一、单项选择题（每题2分，共10题）1.半导体制造中常用的光刻技术是（）A.电子束光刻B.离子束光刻C.光学光刻D.极紫外光刻2.以下哪种气体不属于刻蚀气体（）A.氯气B.氧气C.氮气D.氟化物3.半导体硅片的主要晶向是（）A.<100>B.<110>C.<111>D.<120>4.薄膜沉积技术中，物理气相沉积的英文缩写是（）A.CVDB.PVDC.ALDD.MOCVD5.集成电路制造流程中，光刻之后的工序是（）A.刻蚀B.扩散C.氧化D.薄膜沉积6.以下哪种设备用于晶体生长（）A.光刻机B.刻蚀机C.单晶炉D.清洗机7.半导体器件的基本组成单元是（）A.晶体管B.电阻C.电容D.电感8.芯片封装的主要作用不包括（）A.保护芯片B.电气连接C.散热D.提高芯片性能9.以下哪种材料常用于半导体衬底（）A.铜B.铝C.硅D.金10.半导体制造中的湿法工艺主要用于（）A.刻蚀B.光刻C.薄膜沉积D.掺杂答案：1.C2.C3.A4.B5.A6.C7.A8.D9.C10.A二、多项选择题（每题2分，共10题）1.半导体制造中的光刻工艺包括以下哪些步骤（）A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀2.薄膜沉积技术有（）A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.原子层沉积D.溅射沉积3.半导体制造中的干法刻蚀包括（）A.等离子体刻蚀B.反应离子刻蚀C.溅射刻蚀D.湿法刻蚀4.芯片制造过程中需要用到的气体有（）A.惰性气体B.反应气体C.保护气体D.特殊气体5.半导体材料的特性有（）A.导电性介于导体和绝缘体之间B.热敏性C.光敏性D.掺杂特性6.半导体设备的维护和保养包括（）A.定期清洁B.校准C.故障排除D.更新软件7.集成电路的设计流程包括（）A.系统设计B.逻辑设计C.物理设计D.验证测试8.芯片封装形式有（）A.DIPB.QFPC.BGAD.SOP9.半导体制造中的清洗工艺目的是（）A.去除杂质B.去除颗粒C.去除有机物D.激活表面10.影响半导体制造良率的因素有（）A.设备精度B.工艺稳定性C.环境洁净度D.人员操作答案：1.ABC2.ABC3.ABC4.ABCD5.ABCD6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.ABC10.ABCD三、判断题（每题2分，共10题）1.光刻机是半导体制造中最核心的设备之一。（）2.化学气相沉积只能沉积金属薄膜。（）3.半导体器件的性能只与材料有关，与制造工艺无关。（）4.湿法刻蚀的优点是各向异性好。（）5.芯片封装不会影响芯片的散热性能。（）6.硅是目前应用最广泛的半导体材料。（）7.物理气相沉积的沉积速率比化学气相沉积快。（）8.光刻胶的作用是在光刻过程中保护硅片表面。（）9.半导体制造过程中不需要严格控制环境的洁净度。（）10.集成电路的集成度越高，性能越好。（）答案：1.√2.×3.×4.×5.×6.√7.√8.√9.×10.√四、简答题（每题5分，共4题）1.简述半导体光刻工艺的主要作用。光刻工艺主要作用是将掩膜版上的图形精确转移到半导体晶圆表面的光刻胶上。它是集成电路制造中定义器件结构和电路图案的关键步骤，为后续刻蚀、掺杂等工艺提供精确的图形模板，决定芯片的性能和功能。2.列举三种常见的半导体设备，并说明其用途。光刻机：用于光刻工艺，将设计好的电路图案转移到硅片上；刻蚀机：去除不需要的半导体材料，形成精确的电路图形；薄膜沉积设备：在硅片表面沉积各种薄膜，如绝缘膜、导电膜等。3.半导体制造中为什么要进行清洗工艺？清洗工艺可去除半导体晶圆表面杂质、颗粒、有机物等污染物，防止其影响后续工艺和器件性能。保证晶圆表面的洁净度，提高器件的可靠性和良率。4.芯片封装的主要功能是什么？芯片封装主要功能有保护芯片，避免其受外界环境影响；实现芯片与外界的电气连接，使芯片能与其他电路协同工作；还能帮助芯片散热，保证芯片在合适温度下稳定运行。五、讨论题（每题5分，共4题）1.讨论半导体技术的发展对现代社会的影响。半导体技术推动了电子设备小型化、高性能化，如手机、电脑等普及。促进通信、互联网发展，让信息传播更便捷。还应用于医疗、交通等领域，提高生产效率和生活质量，是现代科技进步的关键驱动力。2.谈谈你对半导体设备国产化的看法。半导体设备国产化意义重大，可降低我国半导体产业对外依赖，保障供应链安全。能推动国内半导体技术自主创新，提高产业竞争力。但面临技术瓶颈、人才短缺等挑战，需企业、高校、科研机构协同努力。3.分析半导体制造中良率的重要性及提高良率的方法。良率决定了芯片生产的成本和效益，高良率意味着更多可用芯片，能降低成本、增加利润。提高良率可从优化设备精度、提升工艺稳定性、加强