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2025年无线电专业测试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1.在自由空间中,频率为3GHz的电磁波其波长最接近下列哪一数值?A.0.1m B.0.3m C.1m D.3m答案:A解析:λ=c/f=3×10⁸/(3×10⁹)=0.1m。自由空间波速c≈3×10⁸m/s。2.某接收机前端噪声系数为3dB,天线等效噪声温度为290K,则系统噪声温度最接近A.290K B.430K C.580K D.870K答案:B解析:Tsys=Ta+(F−1)T0=290+(10^(3/10)−1)×290≈290+140=430K。3.下列哪种调制方式在相同误码率下所需Eb/N0最低?A.BPSK B.QPSK C.16QAM D.64QAM答案:A解析:BPSK为二进制调制,星座点间距最大,抗噪能力最强。4.在50Ω微带线中,若相对介电常数εr=4.3,基板厚度h=0.8mm,则宽度w≈A.0.3mm B.0.8mm C.1.5mm D.2.2mm答案:C解析:使用Wheeler公式迭代得w/h≈1.9,w≈1.5mm。5.某PLL参考频率10MHz,分频比N=360,则VCO输出频率为A.3.6MHz B.36MHz C.360MHz D.3.6GHz答案:D解析:fout=N·fref=360×10MHz=3.6GHz。6.在EMC测试中,CISPR22规定B级设备在30–230MHz频段内辐射限值为A.30dBμV/m B.40dBμV/m C.50dBμV/m D.60dBμV/m答案:B解析:CISPR22B级3m法限值40dBμV/m(准峰值检波)。7.某功率放大器1dB压缩点P1dB=30dBm,增益G=15dB,则输入P1dB为A.15dBm B.30dBm C.45dBm D.−15dBm答案:A解析:Pin,1dB=Pout,1dB−G=30−15=15dBm。8.在HFSS中,若端口激励模式设为TEM,则求解器默认边界条件为A.PEC B.PMC C.Radiation D.LumpedRLC答案:A解析:TEM端口默认以理想导体(PEC)作为参考地。9.下列哪种天线在水平面具有全向辐射且垂直极化?A.半波偶极子 B.微带贴片 C.螺旋天线 D.抛物面反射器答案:A解析:半波偶极子垂直放置时水平面方向图近似圆形,且为垂直极化。10.在LoRa调制中,当扩频因子SF=12,带宽BW=125kHz时,符号速率约为A.18bps B.183bps C.1.83kbps D.18.3kbps答案:B解析:Rs=BW/2^SF=125k/4096≈30.5sym/s,每符号携带SFbit,Rb≈30.5×12≈366bps,实际有效183bps(因编码率)。二、多项选择题(每题3分,共15分;多选少选均不得分)11.下列哪些措施可降低射频功率放大器的记忆效应?A.包络阻抗调制 B.数字预失真 C.包络注入 D.提高偏置电压 E.降低负载Q值答案:B、C、E解析:数字预失真补偿非线性,包络注入抑制低频阻抗调制,低Q负载拓宽带宽减少记忆。12.关于S参数,下列说法正确的是A.S11=0表示全匹配 B.S21>1表示有源 C.S12反映反向隔离 D.S矩阵对无源网络必酉 E.S参数与端口阻抗无关答案:A、B、C、D解析:S参数定义基于端口阻抗,故E错;无源网络满足能量守恒,S矩阵酉。13.在毫米波频段,下列哪些传输线结构可抑制表面波?A.基片集成波导(SIW) B.微带线 C.共面波导(CPWG) D.空气填充波导 E.带状线答案:A、D解析:SIW与金属波导具有截止频率,天然抑制表面波;微带/CPWG/带状线易激励表面波。14.关于OFDM峰均比(PAPR),下列说法正确的是A.与载波数量正相关 B.采用μ律压扩可降低PAPR C.选择性映射(SLM)无失真 D.clipping属于失真类技术 E.PAPR仅与调制方式有关答案:A、B、C、D解析:PAPR还与载波相位组合有关,故E错。15.下列哪些测试可评估接收机阻塞性能?A.邻道选择性 B.杂散响应 C.互调抑制 D.灵敏度 E.镜像抑制答案:A、B、C解析:灵敏度测最小可辨信号,镜像抑制测镜像频率抑制,与阻塞无直接关联。三、填空题(每空2分,共20分)16.已知自由空间路径损耗公式Lp=32.45+20logf+20logd,其中f单位为MHz,d单位为km。若f=5.8GHz,d=2km,则Lp=________dB。答案:32.45+20log(5800)+20log(2)=32.45+75.3+6≈113.8dB17.某天线增益15dBi,输入功率10W,则其在最大辐射方向上的等效全向辐射功率EIRP=________dBm。答案:10W=40dBm,EIRP=40+15=55dBm18.在ADS谐波平衡仿真中,若基频f0=1GHz,设置5次谐波,则最高仿真频率为________GHz。答案:5GHz19.当史密斯圆图上的阻抗点沿等驻波圆顺时针移动时,表示向________方向移动。答案:信源(或发生器)20.某矩形波导WR90的截止频率为6.557GHz,则其工作主模为________模。答案:TE1021.在射频CMOS设计中,采用差分结构的主要好处是抑制________干扰。答案:共模22.若某PLL相位噪声在1MHz频偏处为−110dBc/Hz,则积分相位噪声从1kHz到10MHz带宽内约为________°rms。答案:θrms=√[2∫L(f)df]≈√[2×(−110+10log(10MHz−1kHz))]≈0.5°(允许0.4–0.6°)23.当使用网络分析仪进行TRL校准时,标准件“L”代表________。答案:Line(传输线)24.在EMC传导发射测试中,LISN的阻抗在0.15–30MHz范围内标称值为________Ω。答案:5025.某FPGA实现数字下变频,采样率fs=122.88MHz,中心频率fc=30.72MHz,则数控振荡器(NCO)的相位增量字为________(十六进制,24位无符号)。答案:round(30.72/122.88×2^24)=0x200000四、计算与推导题(共30分)26.(8分)证明:对于无耗传输线,当负载ZL=Z0时,线上任意点反射系数Γ(z)=0,并推导此时电压驻波比VSWR=1。答案与解析:反射系数定义Γ(z)=(ZL−Z0)/(ZL+Z0)·e^(2jβz)。当ZL=Z0,分子为零,故Γ(z)=0。VSWR=(1+|Γ|)/(1−|Γ|)=(1+0)/(1−0)=1。得证。27.(10分)某射频链路如图:天线→LNA→Mixer→IFAMP。已知:天线噪声温度Ta=150K,LNA增益GL=20dB、噪声温度TL=50K,Mixer损耗LM=6dB(物理温度Tm=290K),IFAMP增益GIF=30dB、噪声系数FIF=6dB。求系统噪声温度Tsys及级联噪声系数Fcas。答案:先将损耗转换为“增益”Gm=−6dB=0.25,其噪声温度Tm,eff=(1−Gm)Tm/Gm=3×290=870K。级联公式:Tsys=Ta+TL+Tm,eff/GL+TIF/(GL·Gm)GL(线性)=100,Gm=0.25,TIF=(10^(6/10)−1)290≈290×3=870KTsys=150+50+870/100+870/(100×0.25)=200+8.7+34.8≈243.5KFcas=1+Tsys/T0=1+243.5/290≈1.84→10log(1.84)≈2.6dB28.(12分)设计一个微带低通滤波器,截止频率fC=3GHz,采用三阶切比雪夫原型,纹波0.1dB,Z0=50Ω,εr=3.55,h=0.508mm。求:(1)原型低通g值;(2)采用高低阻抗线实现,取高阻抗Zh=110Ω,低阻抗Zl=25Ω,计算各段物理长度;(3)画出微带拓扑并标注尺寸(单位mm)。答案:(1)查表得g1=g3=1.0316,g2=1.1474。(2)高低阻抗线等效电感、电容:Lk=gk·Z0/(2πfC),Ck=gk/(Z0·2πfC)对于高阻抗线:βl=Lk·vph/Zh,vph=c/√εeff。εeff≈(εr+1)/2+((εr−1)/2)(1+10h/Wh)^(−0.5)迭代得Wh≈0.18mm→εeff≈2.9→vph≈1.76×10⁸m/sl1=l3=L1·vph/Zh=1.0316×50/(2π×3GHz)×1.76×10⁸/110≈4.4mm低阻抗线:Wl≈4.2mm→εeff≈3.3→vph≈1.65×10⁸m/sl2=C2·Z0·vph=1.1474/(2π×3GHz)×50×1.65×10⁸≈1.0mm(3)拓扑:50Ω输入→4.4mm/110Ω→1.0mm/25Ω→4.4mm/110Ω→50Ω输出。五、综合设计题(共35分)29.(15分)设计一个5.8GHzISM频段反射面天线馈源,要求:增益≥18dBi,轴比≤1dB,驻波≤1.5,剖面高度≤15mm。给出:(1)选用天线类型及理由;(2)初步尺寸计算;(3)仿真优化要点;(4)馈电匹配网络拓扑及元件值(介电常数2.2,h=0.254mm)。答案:(1)选用缝隙耦合微带贴片堆叠:剖面低、易圆极化、带宽约3–4%,满足轴比。(2)单贴片理论增益8dBi,采用2×2阵列,单元间距≈0.8λ0≈41mm,阵列增益+6dB,馈源喇叭再+4dB,合计≥18dBi。贴片尺寸L≈λd/2=c/(2f√εeff)≈8.7mm。(3)优化:切角微扰实现圆极化,对角切Δ≈0.15L;缝隙长度调谐耦合量;地板开槽抑制背瓣。(4)匹配网络:50Ω→四分之一波长变换器Zt=√(50×35)=42Ω,线宽0.3mm,长度2.9mm;并联开路短截线调谐虚部,长度1.1mm。仿真得−15dB带宽200MHz,VSWR≤1.5。30.(20分)软件无线电平台需实现2–30MHz短波接收机,ADC采样率80MHz,目标动态范围≥100dB,无杂散动态范围(SFDR)≥80dBc。给出:(1)系统架构框图;(2)计算所需最小ADC有效位数(ENOB);(3)设计Dither注入方案;(4)设计数字下变频(DDC)多级抽取滤波器组,给出每级抽取比、滤波器阶数及FPGA资源估计;(5)说明如何实现自动增益控制(AGC)环路,并给出环路带宽与稳定度分析。答案:(1)框图:天线→BPF(2–30MHz)→LNA→衰减器→Mixer(高中频IF=50MHz)→BPF(45–55MHz)→ADC→DDC→AGC→DSP。(2)SNR=6.02N+1.76dB,需100dB动态→N≥(100−1.76)/6.02≈16.3,故需18位ADC,实际ENOB≥16.5位。(3)Dither:带外宽带噪声−80dBm,注入ADC前,通过20dB耦合器叠加,可提升SFDR10dB。(4)三级抽取:级1CIC(5阶)抽8,级2FIR(半带)抽2,级3FIR(根升余弦)抽2,总抽32→输出2.5MHz。阶数:CIC5阶,半带59阶,根升余cosine127阶。资源:XilinxKintex7DSP48E≈0.3×(59+127)=56个,BRAM≈3×(2×1024)=6块。(5)AGC:数字功率检测→IIR低通(带宽1kHz)→PID(比例0.8,积分0.05,微分0)→控制VGA衰减器,环路延迟<50μs,相位裕度≥60°,稳定。使用Z域根轨迹验证:闭环极点位于0.95e^(±j0.2),满足稳定。六、实验与测量题(共20分)31.(10分)使用矢量网络分析仪(VNA)测量未知阻抗Zx,步骤如下:(1)校准:采用SOLT,标准件短路器电感值Lshort=20pH,开路器电容Copen=0.12pF,求校准后在3GHz处的残余误差ε;(2)测量:测得S11=0.65∠−38°,求Zx;(3)评估:若VNA方向性为40dB,求测量不确定度Δ|Zx|。答案:(1)残余反射误差≈10^(−40/20)=0.01,相位误差±0.6°。(2)Γ=0.65∠−38°,Zx=Z0(1+Γ)/(1−Γ)=50×(1+0.65∠−38°)/(1−0.65∠−38°)=50×(1.51−j0.40)/(0.49+j0.40)=82−j39Ω。(3)方向性引入Δ|Γ|≈0.01,Δ|Zx|≈2Z0Δ|Γ|/|1−Γ|²≈2×50×0.01/0.36≈2.8Ω。32.(10分)搭建5.8GHz功率放大器负载牵引测试系统:(1)画出系统连接图,标注仪器型号;(2)说明预匹配网络设计原则;(3)给出负载牵引数据:PL=28dBm时,最佳ΓL=0.82∠125°,求对应负载阻抗;(4)若基波阻抗已匹配,但二次谐波阻抗短路,给出谐波抑制网络拓扑并计算微带长度。答案:(1)图:信号源→隔离器→预匹配→调谐器→DUT→耦合器→功率计/频谱仪,调谐器由两个滑动短截线组成,型号MauryMT982。(2)预匹配:将50Ω转换至靠近最佳区域,减少调谐器行程,采用两段λ/4变换器,降低插入损耗。(3)ZL=50×(1+ΓL)/(1−ΓL)=50×(1+0.82∠125°)/(1−0.82∠125
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