2026秋招：工艺整合题库及答案

2026秋招：工艺整合题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）1.以下哪种不属于光刻工艺的关键步骤？A.涂胶B.显影C.刻蚀D.曝光2.CVD是指？A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.分子束外延D.离子注入3.硅片表面清洗常用的是？A.硫酸B.王水C.RCA清洗液D.盐酸4.离子注入的主要目的是？A.改变材料表面硬度B.改变材料电学性能C.增加材料厚度D.提高材料光泽度5.以下哪种是常用的光刻胶类型？A.正性光刻胶B.中性光刻胶C.负正性光刻胶D.无极性光刻胶6.化学机械抛光（CMP）主要用于？A.去除表面杂质B.表面平坦化C.改变表面颜色D.增加表面粗糙度7.热氧化工艺中，干氧氧化的特点是？A.生长速度快B.氧化层质量高C.成本低D.对设备要求低8.以下哪种不是薄膜沉积的方法？A.PVDB.CMPC.MBED.CVD9.光刻工艺中，分辨率与下列哪个因素无关？A.光源波长B.数值孔径C.光刻胶厚度D.曝光时间10.扩散工艺的主要目的是？A.形成PN结B.去除表面缺陷C.提高表面平整度D.增加材料硬度二、多项选择题（每题2分，共10题）1.工艺整合中需要考虑的因素有？A.工艺顺序B.设备兼容性C.成本D.良率2.光刻工艺的组成部分包括？A.光刻设备B.光刻胶C.掩膜版D.显影液3.离子注入的优点有？A.精确控制杂质浓度B.低温工艺C.可选择性注入D.对材料损伤小4.以下属于硅片清洗方法的有？A.机械清洗B.化学清洗C.超声清洗D.等离子清洗5.化学气相沉积的优点有？A.沉积速率高B.膜层均匀性好C.可进行复杂形状沉积D.设备简单6.热氧化工艺的影响因素有？A.氧气流量B.温度C.硅片晶向D.氧化时间7.以下属于薄膜材料的有？A.二氧化硅B.氮化硅C.多晶硅D.铝8.光刻工艺的分辨率与下面哪些因素有关？A.光刻胶灵敏度B.光源C.光刻设备D.掩膜版质量9.工艺整合过程中可能遇到的问题有？A.工艺兼容性问题B.设备故障C.环境因素影响D.人员操作失误10.物理气相沉积的方法有？A.蒸发B.溅射C.化学电镀D.离子镀三、判断题（每题2分，共10题）1.工艺整合只需考虑单个工艺的效果，无需考虑工艺之间的相互影响。（）2.光刻工艺中，曝光时间越长越好。（）3.离子注入会对硅片表面造成一定损伤。（）4.化学机械抛光（CMP）只能用于硅片表面的抛光。（）5.热氧化工艺中，水汽氧化比干氧氧化生长速度快。（）6.光刻胶的主要作用是在光刻过程中保护硅片表面。（）7.CVD可以沉积各种金属和非金属薄膜。（）8.扩散工艺和离子注入工艺都可以形成PN结。（）9.硅片清洗只需要进行一次，就能达到良好的清洗效果。（）10.光刻分辨率越高，能够制造的芯片特征尺寸越小。（）四、简答题（每题5分，共4题）1.简述工艺整合的主要目标。实现各工艺环节有效衔接与配合，提高生产效率、降低成本，确保产品质量和良率，满足设计要求和生产目标。2.光刻工艺有哪些关键参数？主要有关键参数有光源波长、数值孔径、曝光时间、光刻胶灵敏度和厚度、显影时间和温度等，影响分辨率和图形转移质量。3.离子注入与扩散工艺相比，有什么优点？能精确控制杂质浓度和分布，可低温操作减少热影响，可选择性注入特定区域，且工艺重复性好。4.化学机械抛光（CMP）的作用和原理是什么？作用是使硅片表面平坦化。原理是通过化学腐蚀和机械研磨协同作用，在压力和抛光液作用下，去除表面凸起部分达到平整。五、讨论题（每题5分，共4题）1.讨论在工艺整合中如何提高产品良率。需优化工艺顺序，确保各工艺兼容，减少相互干扰；严格控制工艺参数，减少波动；做好设备维护和校准，保证其稳定性；加强人员培训，提升操作技能和质量意识；还要进行有效环境管理，降低污染影响。2.谈谈光刻技术在芯片制造中的重要性。光刻技术是芯片制造核心，决定芯片特征尺寸和集成度，精确图形转移保证电路功能实现。先进光刻可推动芯片性能提升和制程缩小，是提高芯片竞争力和实现技术突破关键。3.分析离子注入工艺可能带来的问题及解决方法。可能致硅片晶格损伤、引入杂质污染。解决可采用退火修复损伤，优化注入参数控制注入量和能量；用净化设备和密封工艺减少污染，做好注入后检测。4.探讨工艺整合如何应对日益缩小的芯片特征尺寸。需研发适配新工艺和材料，提高光刻分辨率；优化工艺顺序和参数，增强各工艺兼容性和协同性；引入先进设备和智能控制技术，提升工艺精度和稳定性；加强跨学科合作，利用新兴技术满足尺寸缩小需求。答案单项选择题1.C2.B3.C4.B5.A6.B7.B8.B9.D10.A多项选择题1.A