GB/Z 102.17-2026半导体器件分立器件第17部分：基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器

ICS3108099

CCSL.47.

中华人民共和国国家标准化指导性技术文件

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

半导体器件分立器件

第17部分基本绝缘和加强绝缘的

:

磁耦合器和电容耦合器

Semiconductordevices—Discretedevices—Part17Maneticandcaacitive

:gp

couplerforbasicandreinforcedinsulation

IEC60747-172020Semiconductordevices—Part17Maneticandcaacitive

(:,:gp

coulerforbasicandreinforcedinsulationIDT

p,)

2026-01-04发布

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………2

电特性耦合器逻辑和时序特征参数

4———………………11

耦合器电击防护

5…………………………12

概述

5.1…………………12

类型

5.2…………………12

额定值

5.3………………12

电气安全要求

5.4………………………12

电气环境和或耐久性试验

5.5、/………………………13

耦合器测试方法

6…………………………25

通则

6.1…………………25

隔离电容C

6.2(IO)……………………25

输入和输出之间的隔离电阻R

6.3(IO)………………26

隔离耐压测试

6.4………………………26

耦合器局部放电

6.5……………………27

耦合器开关时间

6.6……………………31

磁耦合器和电容耦合器共模瞬态抗扰度测试方法

6.7(CMTI)……33

附录资料性认证指南

A()………………36

参考文献

……………………39

Ⅰ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

前言

本文件为规范类指导性技术文件

。

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件分立器件的第部分半导体器件分立器件已经发布了以下部分

《》17。《》:

第部分总则

———1:(GB/T17573—1998);

第部分整流二极管

———2:(GB/T4023—2015);

第部分以下环境或管壳额定整流二极管包括雪崩整流二极管空白详细规范

———2-1:100A()

(GB/T6351—1998);

第部分大于环境和管壳额定的整流二极管包括雪崩整流二极管空白详细规范

———2-2:100A,()

(GB/T16894—1997);

第部分信号包括开关二极管和调整二极管

———3:()(GB/T6571—1995);

第部分信号二极管开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范

———3-1:、(GB/T6588—2000);

第部分信号包括开关二极管和调整二极管电压调整二极管电压基准二极管不包

———3-2:()(

括温度补偿精确基准二极管空白详细规范

)(GB/T6589—2002);

第部分微波器件

———4:(GB/T20516—2006);

第部分微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范

———4-1:(GB/T21039.1—2007);

第部分晶闸管

———6:(GB/T15291—2015);

第部分以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范

———6-1:100A(GB/T6352—

1998);

第部分以下环境或管壳额定双向三极闸流晶体管空白详细规范

———6-2:100A(GB/T6590—

1998);

第部分电流大于环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范

———6-3:100A、(GB/T13150—

2005);

第部分双极型晶体管

———7:(GB/T4587—2023);

第部分高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范

———7-1:(GB/T6217—1998);

第部分低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范

———7-2:(GB/T7577—1996);

第部分开关用双极型晶体管空白详细规范

———7-3:(GB/T6218—1996);

第部分高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范

———7-4:(GB/T7576—1998);

第部分场效应晶体管

———8:(GB/T4586—1994);

第部分以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

———8-1:1GHz、5W(GB/T6219—1998);

第部分管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范

———8-3:(GB/T15449—1995);

第部分绝缘栅双极晶体管

———9:(IGBT)(GB/T29332—2012);

第部分分立器件和集成电路总规范

———10:(GB/T4589.1—2006);

第部分分立器件分规范

———11:(GB/T12560—1999);

第部分基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器

———17:。

本文件等同采用半导体器件第部分基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和

IEC60747-17:2020《17:

电容耦合器文件类型由标准调整为我国的标准化指导性技术文件

》,IEC。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

Ⅲ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

纳入了的技术勘误所涉及的条款的外侧页边空白位置用垂直双

———IEC60747-17/COR1:2021,

线进行了标示

(‖)。

增加了术语安全系数的中文名称

———“”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位苏州纳芯微电子股份有限公司上海集成电路制造创新中心有限公司苏州市质

:、、

量和标准化院

。

本文件主要起草人叶健张乐乐高洪连邓富明马绍宇王升杨盛云尹睿沈俊杰张硕

:、、、、、、、、、。

Ⅳ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

引言

半导体分立器件是电子行业的通用基础产品为电子系统中的最基本单元其性能与可靠性直接影

,,

响工程质量和可靠性半导体器件分立器件是半导体分立器件的基础标准对于规范半导体分立

。《》,

器件的参数体系验证测试方法及质量考核起着重要作用拟由个部分构成

、、,26。

第部分总则目的在于规定有关适用于各类分立器件标准的一般原则或要求

———1:。。

第部分整流二极管目的在于规定整流二极管的术语文字符号基本额定值和特性以及

———2:。、、

测试方法等产品特定要求

。

第部分以下环境或管壳额定整流二极管包括雪崩整流二极管空白详细规范

———2-1:100A()。

目的在于规定制定以下环境或管壳额定整流二极管包括雪崩整流二极管详细规范的

100A()

基本要求

。

第部分大于环境和管壳额定的整流二极管包括雪崩整流二极管空白详细规

———2-2:100A,()

范目的在于规定制定以上环境和管壳额定的整流二极管包括雪崩整流二极管详细

。100A()

规范的基本要求

。

第部分信号包括开关二极管和调整二极管目的在于规定信号二极管包括开关二极

———3:()。(

管电压基准二极管和电压调整二极管电流调整二极管的术语文字符号基本额定值和特

)、、、、

性以及测试方法等产品特定要求

。

第部分信号二极管开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范目的在于规定制定信

———3-1:、。

号二极管开关二极管和可控雪崩二极管详细规范的基本要求

、。

第部分信号包括开关二极管和调整二极管电压调整二极管电压基准二极管不包

———3-2:()(

括温度补偿精确基准二极管空白详细规范目的在于规定制定信号包括开关二极管和调

)。()

整二极管电压调整二极管电压基准二极管不包括温度补偿精确基准二极管详细规范的基

()

本要求

。

第部分微波器件目的在于规定微波器件的术语文字符号基本额定值和特性以及测试

———4:。、、

方法等产品特定要求

。

第部分微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范目的在于规定制定微

———4-1:。

波二极管和晶体管微波场效应晶体管详细规范的基本要求

。

第部分晶闸管目的在于规定晶闸管的术语文字符号基本额定值和特性以及测试方法

———6:。、、

等产品特定要求

。

第部分以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范目的在于

———6-1:100A。

规定制定以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管详细规范的基本要求

100A。

第部分以下环境或管壳额定双向三极闸流晶体管空白详细规范目的在于规定

———6-2:100A。

制定以下环境或管壳额定双向三极闸流晶体管详细规范的基本要求

100A。

第部分电流大于环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范目的在

———6-3:100A、。

于规定制定电流以上环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管详细规范的基本要求

100A。

第部分双极型晶体管目的在于规定几种类型双极型晶体管微波晶体管除外的术语文

———7:。()、

字符号基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

、。

第部分高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范目的在于规定制定高低频

———7-1:。

放大环境额定的双极型晶体管详细规范的基本要求

。

第部分低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范目的在于规定制定低频放大

———7-2:。

Ⅴ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

管壳额定的双极型晶体管详细规范的基本要求

。

第部分开关用双极型晶体管空白详细规范目的在于规定制定开关用双极型晶体管详

———7-3:。

细规范的基本要求

。

第部分高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范目的在于规定制定高频放大管

———7-4:。

壳额定双极型晶体管详细规范的基本要求

。

第部分场效应晶体管目的在于规定几种场效应晶体管的术语文字符号基本额定值和

———8:。、、

特性以及测试方法等产品特定要求

。

第部分以下的单栅场效应晶体管空白详细规范目的在于规定制定

———8-1:1GHz、5W。1GHz、

以下的单栅场效应晶体管详细规范的基本要求

5W。

第部分管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范目的在于规定制定管壳额定开关

———8-3:。

用场效应晶体管详细规范的基本要求

。

第部分绝缘栅双极晶体管目的在于规定几种绝缘栅双极晶体管的术语

———9:(IGBT)。(IGBT)、

文字符号基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

、。

第部分分立器件和集成电路总规范目的在于规定半导体器件质量评定的总程序规定

———10:。,

电特性测试方法气候和机械试验耐久性试验的总原则

、、。

第部分分立器件分规范目的在于规定有关评定半导体分立器件所需的质量评定程序

———11:。、

检验要求筛选序列抽样要求试验和测试方法的内容

、、、。

第部分绝缘功率半导体器件目的在于规定绝缘功率半导体器件的术语文字符号基本

———15:。、、

额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

。

第部分基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器目的在于规定基本绝缘和加强绝

———17:。

缘的电磁和电容耦合器的术语文字符号基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

、、。

半导体器件分立器件对应采用各部分以保证与国际标准一致实现半导体分立器

《》IEC60747,,

件的参数体系验证方法测试方法可靠性评价质量水平等与国际接轨通过制定该文件为半导体

、、、、。,

分立器件的研制生产和检验提供依据和重要支撑

、。

Ⅵ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

半导体器件分立器件

第17部分基本绝缘和加强绝缘的

:

磁耦合器和电容耦合器

1范围

本文件规定了磁耦合器和电容耦合器的术语基本额定值特性安全试验及测试方法确定了基本

、、、,

绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器的原理隔离要求以及隔离特性

、。

本文件适用于各类采用磁性或电容耦合原理实现电路间信号传输与电气隔离的半导体器件

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文件仅

。,,

该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

;,()。

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验低温

GB/T2423.1—20082:A:(IEC60068-2-1:

2007,IDT)

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验高温

GB/T2423.2—20082:B:(IEC60068-2-2:

2007,IDT)

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验交变湿热

GB/T2423.4—20082: