电子行业专题报告：存储芯片涨价将延续至2026年

目录存储芯片进入新一轮涨价周期 5三大存储巨头纷纷上调产品价格 5存储周期历史复盘 6新一轮存储周期的驱动因素分析 8内存：DRAM 11DRAM概述 11DRAM技术路线分化 13DRAM核心发展方向：HBM 15存储：NANDFlash 18NANDFlash概述 18全球NANDFlash市场呈现寡头垄断格局 19NANDFlash经历从2D向3D架构发展 20全球存储芯片产业转移 21存储芯片转移路线：美国-日本-韩国-中国 21美国存储芯片代表企业：Micron 22日韩存储芯片代表企业：Kioxia，SKHynix 25中国存储芯片代表企业：长江存储，长鑫存储，江波龙 29风险提示 33图表目录图表1：2025Q4主流存储厂商存储产品合约价上涨情况 5图表2：2025年DRAM现货平均价 5图表3：2025年NANDFlash现货平均价 6图表4：存储行业历史周期梳理 7图表5：全球智能手机出货量及同比 7图表6：全球PC出货量及同比 8图表7：DRAM下游应用占比 9图表8：NANDFlash下游应用占比 9图表9：2015-2025iPhone标准款内存容量与存储容量信息梳理 9图表10：2021-2026全球八大云厂商资本开支 10图表11：国内外云服务厂商纷纷布局服务器及其相关领域 11图表12：全球服务器市场规模（按服务器类别） 11图表13：DRAM结构图 12图表14：全球DRAM市场规模 12图表15：2024年全球DRAM市场规模 13图表16：全球存储厂商持续推进DRAM领域技术迭代 13图表17：JEDEC定义了三种DRAM标准类别 14图表18：DDR1-5性能梳理 14图表19：LPDDR性能持续迭代升级 15图表20：GDDR技术演进路线 15图表21：人工智能持续发展 16图表22：英伟达与AMD人工智能芯片的高带宽内存规格发展时间线及其对比 16图表23：各代HBM技术性能参数对比 17图表24：全球HBM市场规模 17图表25：2025Q2全球HBM市场格局 17图表26：HBM产量与营收占DRAM的比例 18图表27：各类存储器性能对比 18图表28：NANDFlash可以划分为SLC、MLC、TLC和QLCNAND四种 19图表29：NANDFlash市场规模 19图表30：2024年全球NANDFlash市场份额 19图表31：国内外企业纷纷加码NANDFlash 20图表32：NANDFlash经历从2D转向3D技术演进 20图表33：存储芯片诞生于美国 21图表34：存储芯片从美国到日本第一次区域转移 22图表35：存储芯片从日本到韩国第二次区域转移 22图表36：Micron营业收入及同比 23图表37：Micron毛利率 23图表38：2024年Micron营业收入（按产品） 23图表39：2025年Micron营业收入（按产品） 23图表40：2025年Micron营业收入（按地区） 24图表41：Micron12层堆叠HBM3E示意图 24图表42：Micron第九代3DTLCNANDFlash产品示意图 25图表43：Micron联合NVIDIA共同推出全球首款SOCAMM内存模组 25图表44：Kioxia营业收入及同比 26图表45：Kioxia毛利率 26图表46：Kioxia第八代BiCSFLASH™3D闪存相较于上一代实现50%存储密度提升 26图表47：SKHynix营业收入及同比 27图表48：SKHynix毛利率 27图表49：SKHynix2026-2031产品路线图 27图表50：SKHynixStandard与CustomHBM结构对比图 28图表51：SKHynix针对AIDRAM进一步细分 28图表52：SKHynix公布AINAND下一代储存解决方案 29图表53：长江存储晶栈®Xtacking®架构图 30图表54：长江存储3DNANDFlash堆叠层数达到200层以上 30图表55：长鑫存储产能梳理 31图表56：长鑫存储DDR5示意图 31图表57：长鑫存储LPDDR5X示意图 31图表58：2020-2025Q1-3江波龙营业收入及同比 32图表59：2020-2025Q1-3江波龙毛利率情况 32图表60：2024年江波龙产品结构 33图表61：2020-2025H1江波龙境内外营收情况 33存储芯片进入新一轮涨价周期2025914Micron20%-30DRAM品类DDR4DDR5DRAM（LPDDR4LPDDR5）922NewdailySamsungLPDDR4XLPDDR5/5XDRAMNANDFlash5%-10%后0月3SKyix官宣2025Q4AM与ANDash合约价最高上调30%。图表1：2025Q4主流存储厂商存储产品合约价上涨情况企业产品类型存储产品价格调整幅度MicronDDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR520%-30%SamsungDRAM（LPDDR4X、LPDDR5/5X等）15%-30%NANDFlash5%-10%SKHynixDRAM、NANDFlash最高30%财联社，电子元件技术Aecae12月15AM(516GAM(R416GBDRAMDDR48GBDRAMDDR34GB26.2750.75美元、14.38美元、3.59美元。图表2：2025年DRAM现货平均价DRAMexchange，全球半导体观察DRAMexchange121525612816814.3510.63美元、11.50美元、5.11美元。图表3：2025年NANDFlash现货平均价DRAMexchange，全球半导体观察伴随DRAM与NANDFlash现货平均价全面持续上扬，全球存储芯片市场已正式开启新一轮成长周期。我们梳理了2016-2025年全球芯片市场的周期表现，对过往的涨价与跌价进行了复盘分析。图表4：存储行业历史周期梳理WSTS

2016-20182015年上市的iPhone6S，标配2GB运行内存与16GB存储容量；至2018年发布的iPhoneXS4GB64GB，带动智能手机端存储芯片需求大幅增长。2018-2019年，随着智能手机出货量下滑，同时手机升级周期结束，存储芯片需求下降；存储芯片市场供过于求，行业转入下行调整。图表5：全球智能手机出货量及同比IDC2020-2023PC由于疫图表6：全球PC出货量及同比Gartner（PC）不同，2024AI2024年，DRAM与NANDFlash的下游需求主要由服务器、智能手机及个人电脑（PC）8075%。具体来看，DRAMPC34%3214%；NANDFlash30%、31%、142022年之前存储芯片市场最主要的应用场景2023AI的快速发展，服务器也成为拉动需求的促进因素，智能手机和服务器两者目前贡献权重基本接近。图表7：DRAM下游应用占比 图表8：NANDFlash下游应用占比CFM CFM智能手机主导的芯片市场周期通过梳理2015-2025年10年间iPhone系列机型的运行内存容量及存储容量配置数据，我们发现：iPhone运行内存从2015iPhone6S2GB逐步提升至2017iPhoneX3GB，2018XS4GB。2024iPhone16128GB，2025iPhone17256GB。图表9：2015-2025iPhone标准款内存容量与存储容量信息梳理机型发行年份内存容量存储容量核心变化iPhone6S2015.092GB16GB-iPhone72016.092GB32GB存储容量：从16GB向32GB升级iPhone82017.092GB64GB存储容量：从32GB向64GB升级iPhoneX2017.113GB64GB内存容量：从2GB向3GB升级iPhoneXR2018.093GB64GB-iPhoneXS2018.094GB64GB内存容量：从3GB向4GB升级iPhone112019.094GB64GB-iPhone122020.014GB64GB-iPhone132021.094GB128GB存储容量：从64GB向128GB升级iPhone142022.096GB128GB内存容量：从4GB向6GB升级iPhone152023.096GB128GB-iPhone162024.098GB128GB内存容量：从6GB向8GB升级iPhone172025.098GB256GB存储容量：从128GB向256GB升级苹果官网，iFixit，中关村在线注：未梳理全部机型，存储容量为最低存储容量总结以上，我们发现iPhone内存容量平均2-4年完成一次迭代升级；存储容量每隔4iPhone2025有望迎来再次升级。如此密集的持续升级，有望助推全球存储芯片市场涨价周期在2026服务器和智能手机主导的芯片市场周期AIHBM3E、DDR5HBM3EI/ODDR5则凭借低延迟优势，精准适配推理场景的高性能需求。数据显示，Google、AWS、Meta、Microsoft、Oracle、腾讯、阿里巴巴、百度这八大云服务厂商的资本开支从20211451.020242609.0年全球八大云服务厂商资本开支有望达到60202024-2026年复合增长率或51.9%。图表10：2021-2026全球八大云厂商资本开支Trendforce年Google在CloudNext大会官宣TPUIronwoodTPU液冷集群总算力达42.5EPSS于:vt2025Graviton5CPU，3nm先进制程、192核设计使通用计算性能较25AIAI场景的底层基础设施支撑。厂商服务器相关领域最新进展Google2025年GoogleCloudNext大会，Google正式宣布TPUIronwood全面商用。厂商服务器相关领域最新进展Google2025年GoogleCloudNext大会，Google正式宣布TPUIronwood全面商用。AWS2025年12月re:Invent2025大会，AWS正式发布第五代自研服务器CPUGraviton5，并推出Trainium3UltraServer。Meta据TrendForce报告，2025年Meta与博通合作，开发下一代ASIC驱动的AI服务器。Microsoft20251119ArmAzureCobalt200，首批搭载该处理器的服务器已在Azure数据中心上线，更广泛的部署与客户可用服务将于2026年开放。Oracle2025年10月，Oracle宣布推出一款大型云端AI超级计算机——OracleCloudInfrastructureZettascale10腾讯2025年9月16日，腾讯云宣布自研核心产品升级：星星海服务器全球累计部署超2亿核。阿里巴巴2024920+AIAlibabaCloudLinux20%以上，同时支持多种主流机密计算方案。百度202511132025AIM100天池256超节点、百度天池512超节点，并公布了昆仑芯的未来五年产品路线图。。AWS，Oracle官网，DOIT，eefocus，IT之家云厂商在服务器领域的开拓创新，有望推动AI服务器市场持续向好。弗若斯特沙利文数据显示，全球服务器市场规模从2020136020241600万台（AI12.5%），2020-20244.2%；该机构进一步预测，20301950（AI33.3%），2025-20303.7%。图表12：全球服务器市场规模（按服务器类别）弗若斯特沙利文内存：DRAMDRAM概述DRAM是一种易失性存储器，可与CPU、GPU等计算芯片直接交互，用于快速存储每秒数十亿次计算过程中产生的临时信息。DRAM芯片主要由存储单元、外围逻辑电路、周边线路三部分组成。存储单元（Cell）DRAM1bit55%-60%的面积。（Core）25%-30%的面积。（Peripheral）由控制线路与输入/图表13：DRAM结构图51CTODRAMeXchange，TrendForceDRAM958.63亿美元（同比+84.83%）。图表14：全球DRAM市场规模DRAMeXchange，TrendForce全球DRAMAeXcaeore2024SKHynix、Samsung、Micron97.49%的市场份额。15：2024DRAM市场规模DRAMeXchange，TrendForceDRAM领域，加速推进技术迭代。Samsung10nm1cDRAM，HBM42026Micron1γ节LPDDR5XAIJEDEC认证的R5（最高8000bps及LPR5X最高1066bps，16nm8GbDDR4DRAM，适配工业与嵌入式领域的严苛使用需求。公司 各公司DRAM最新进展图表公司 各公司DRAM最新进展Samsung 10nmDRAM（1cDRAM），50%-70%，80%-90%冲刺；HBM4202611Gbps。2025年9月12日，公司宣布成功完成面向AI的超高性能存储器HBM41的开发，并在全球首次构SKHynix

建其量产体系；同年11月，SKHynix宣布将分阶段推出HBM系列产品（含Standard与Custom双线），同步推进AI专用存储（AI-D、AI-N系列）及通用DRAM产品的规模化落地。Micron 202563Micron1γ（1）5（LPDDR5X）内存的鉴定样品，旨在加速旗舰智能手机上的人工智能应用。2025年11月23日，长鑫存储发布DDR5内存产品（最高速率8000Mbps，采用24Gb颗粒），已长鑫存储

JEDECLPDDR5X10667Mbps，最高颗粒容16Gb。华邦电子 2025年12月3日华邦电子推出采用先进16nm制程的8GbDDR4DRAM，该产品专为工业与嵌入式应用打造，可适配相关领域的严苛使用需求。电子元件网，SKHynixNewsroom，WinbondDRAM固态技术协会（JEDEC）DDR、LPDDRGDDRDRAM图表17：JEDEC定义了三种DRAM标准类别Synopsys18：DDR1-5

DDR从DDR1到DDR5的技术演进中，产品呈现能耗持续降低、传输速度稳步提升、存储容量不断扩容的趋势。作为当前最新的内存标准，DDR5采用14-10nm的制程节点；数据传输速率也从DDR4的2133-3200MT/s，提升至3200-6400MT/s；同时其工作电压下降至1.1V，在降低功耗的同时进一步实现了性能的提升。主要指标DDR1DDR2DDR3DDR4DDR5发行年代20002003200720142019制程节点（nm）180-13090-6565-4028-1614-10单颗颗粒密度128Mb-1Gb256Mb-2Gb512Mb-4Gb101Gb-16Gb16Gb-64Gb工作频率（MHz)133-200266-400533-8001066-16001600-3200资料传输速度（MT/s)266-400533-8001066-16002133-32003200-6400预取位数（字节)248816Bank数量（组)44-88-161632工作电压（V)1.21.1晶体管数量（万)~200~500~1200~2500~5000电子发烧友，芯存社

PCDDRDRAMLPDDR凭借显著的低功耗优势，成2009兆比特/秒20257JEDECLPDDR614400Mbps。图表19：LPDDR性能持续迭代升级广东省集成电路行业协会，EETimesChinaGDDRDDRAISDRAM为技术基GDDR6GDDR6X14.0-20.0GT/s、19.0-23.0GT/sGDDR6X型的传输带宽则760-1104GB/SAI4K/8K的性能升级将进一步巩固其在高端显卡、AI图表20：GDDR技术演进路线版本发行年份时钟速度（MHz）传输速率（GT/s）典型带宽（GB/s）GDDR22002400-5000.8-1.012.8-16GDDR32004800-10001.6-2.051.2-80GDDR42006900-11501.8-2.386-110GDDR520081250-20005.0-8.0160-384GDDR5X型20161250-175010.0-14.0320-540GDDR620181750-250014.0-20.0448-960GDDR6X型20201188-143819.0-23.0760-1104birow

DRAMHBMGPU性能的充分释放。60%的GPUHBM（高带宽存储），通过高带宽、低延迟的特性减少数据传输损耗，有望破解芯片性能提升的瓶颈，助力AI高效执行深度学习任务。图表21：人工智能持续发展OpenAIHBM（HighBandwidthMemory，高带宽内存）是一种基于3D堆叠技术的高性DRAMDRAM（TSV）技术实现芯片之间的高速连接，从而大幅提高数据带宽。TrendForceAMDAIHBM技术路线呈现同步迭代、2022-2025HBMHBM2e/HBM3（8hi）升HBM3e（8hi/12hi）HBM80-128GB288GB+。图表22：英伟达与AMD人工智能芯片的高带宽内存规格发展时间线及其对比TrendForce自205年第一代M1BM技术已逐步迭代至第六代产品——M4。HBMHBM128GB/sHBM42.56TB/s（2621GB/s）；单芯片容量从1GB64GB；堆叠层数则从4Hi16Hi。图表23：各代HBM技术性能参数对比技术参数最多DRAM层数（Hi）最大容量（GB）I/O（数）I/O传输速率（Gb/s）带宽（GB/s）制程技术HBM41102411283xHBM28810242.42562xHBM2E121610243.64801y/1zHBM3122410246.48191zHBM3E123610249.212291a/1bHBM4166420481026211b/1cCFM闪存市场《2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》HBMMarketResearchFuture，2024年全球HBM56.1，2034570.92024-203426.1%。由于技术门槛较高，目前市面上仅SKhynix、Samsung、Micron三家企业具备HBMSKhynix20238HBM4Counterpoin数据，HBM市场份额中，SKhynix、Micron、Samsung62%、21%、17%。图表24：全球HBM市场规模 图表25：2025Q2全球HBM市场格局MARKETRESEARCHFUTURE Counterpoint，2023-2025HBMDRAM：2023产量、营收占DRAM2%、8%；202510%、30%。图表26：HBM产量与营收占DRAM的比例TrendForce存储：NANDFlashNANDFlash概述NANDFlash它通过电荷的存储与释放来实现数据存储，与传统的DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器Flash图表27：各类存储器性能对比存储器类型NANDFlashSRAMDRAMNORFlash易失性非易失易失易失非易失存储启动代码存储启动代码主内存（内存条）、显卡显存（BIOS/UEFI）、嵌入式系统主要用途 SSD硬盘、U盘、手机存 CPU高速缓存储、SD卡 （L1,L2,L3Cache）读写特性 顺序块存取 随机读写（字节） 随机读写（字节） 随机读取性能（相对） 读快，写中 极快 快 读快，写慢性能（相对） 读快，写中 极快 快 读快，写慢容量（相对） 极大 很小 大 小至中成本（相对） 极低 成本（相对） 极低 极高 低 高51CTO

CellNANDFlashSLC（单层式储存）、MLC（双层式储存）、TLC（三层式储存）QLC（四层式储存）四种类型。当前TLCQLCSLC为工业级与车规级SSDTCSSDNANDFlash图表28：NANDFlash可以划分为SLC、MLC、TLC和QLCNAND四种深圳联乐实业有限公司官网全球NANDFlash，2023-2024387.3656.4NANDFlashSKGroup（21.3%）、Kioxia（14.4%）、Micron（12.9%）、SanDisk（11.0%）。图表29：NANDFlash市场规模 图表30：2024年全球NANDFlash市场份额TrendForce TrendForceNANDFlash国外方面，Samsung20241TbV-NANDFlash12400NANDFlash2025SKHynix20253212TbQLCNANDFlash56%1823%以NANDFlash图表31：国内外企业纷纷加码NANDFlash国内外 企业 NANDFlash最新进展Samsung 20241TbV-NAND12400NANDFlash国内外 企业 NANDFlash最新进展国外 2025年公司已实现321层2TbQLCNANDFlash量产，该产品不仅容量高，还SKHynix长江存储国内 江波龙佰维存储

大幅提升性能——数据传输速度翻倍，写入性能最多提升56%，读取性能提升18%，数据写入能效提高23%以上。2025年，长江存储将晶栈®Xtacking®架构升级至4.0，依托该架构实现267层3DNAND量产，其采用1TbTLC颗粒，单颗容量达1TB，已进入大规模生产阶段。2024年公司已成功开发512Mb到8Gb之间的五款SLCNANDFlash存储芯片，并积极扩展小容量存储芯片产品线，涵盖MLCNANDFlash及NORFlash；公司加快面向企业级应用的高性能eSSD（PCIeGen5.0）布局，进一步扩大在云计算、互联网及电信领域的应用覆盖。公司在NANDFlash存储芯片领域的高速ATE测试、Burn-in（老化）测试、SLT（系统级动化软件平台开发的全栈测试开发能力。SAMSUNG官网，江波龙、佰维存储公司公告NANDFlash2D3D2DNANDFlashNANDNANDFlash1x/1ynm1znm3DNANDFlash2DNANDFlash，3DNANDFlash具备容量更大、寿命更长、能耗更低的2DNANDFlash，3DNANDFlashDie（裸片产品特性 2DNANDFlash 3DNANDFlash图表32：NANDFlash经历从产品特性 2DNANDFlash 3DNANDFlash图片模块容量128GB（最高）256/512GB+设计浮栅浮栅或电荷捕获型结构寿命（P/E周期）低高能量消耗 高 低性能 慢 能量消耗 高 低深圳市世强元件网络有限公司，电子发烧友全球存储芯片产业转移日本-中国1969AdvancedMemorySystemDRAM（Intel）（Tl）（Mostek）1970DRAM19732KDRAM、4KDRAM，成为后续存储行业技术迭代与产业扩张的关键；197616KDRAMMK4116，将DRAM75%。图表33：存储芯片诞生于美国eefocus第一次区域转移：1976（VLSI）联合研发体，集中资源突破半导体技术瓶颈；197764K65%30%；伴随日美贸易摩擦加剧，美国通图表34：存储芯片从美国到日本第一次区域转移eefocus，环球时报第二次区域转移：韩国Samsung电子等企业利用美日半导体竞争的契机，通过持续技术迭代升级脱颖而出，逐渐赶超日本。1978年，Samsung集团布局半导体业务，旗下Samsung电子开启存储芯片自主研发征程；1983年，Samsung电子完成16KDRAM的研发，向技术前沿迈进；1986年10月，Samsung参与韩国政府推出的VLSI共同开发技术计划，联合LG、现代两大集团及韩国六所大学攻关DRAM核心技术；1988年，完成4MDRAM研发，技术层面追平日本；1990年8月，公司研发出世界第三款64MDRAM；至1996年，Samsung成功研发出世界首款1GBDRAM，自此正式成为存储芯片领域的世界级领跑者。图表35：存储芯片从日本到韩国第二次区域转移Samsung官网，快科技随着中国企业在存储芯片领域的技术突破、产能扩张与自主开发加速，全球存储芯片产业正呈现出逐步向中国转移的明确趋势。Micron美光1978DRAM、NANDFlash、NOR2025373.78（同比+48.85%），2020-2025增长率达11.72025年con毛利率为39.79%17.44PCT。图表36：Micron营业收入及同比 图表37：Micron毛利率Micron公司公告注：Micron于8月28日披露2025年报数据

Micron公司公告注：Micron于8月28日披露2025年报数据分产品看，2024Micron95.1（37.9%）、63.5（25.3%）。2025约135.2（占比36.2%118.6（占比31.7；19.3%、12.7%。图表38：2024年Micron营业收入（按产品） 图表39：2025年Micron营业收入（按产品）Micron公司公告注：Micron8282025年报数据

Micron公司公告注：Micron于8月28日披露2025年报数据分地区看，公司积极拓展全球市场，核心客户覆盖美国、中国等主要区域。2025年按国家及地区划分，Micron营收占比前三的分别为美国（64.5%）、中国台湾地区（15.2%）（7.1%）AI（96亿美元），该基地将重点服务亚太及欧洲的AI客户；同时持续维持中国西安封测基DRAMNANDFlashSSD图表40：2025年Micron营业收入（按地区）Micron公司公告注：Micron于8月28日披露2025年报数据Micron824GBHBM3ENVIDIAH200CoreGPU1236GBHBM3E12HBM3E1.2TB/s850%。图表41：Micron12层堆叠HBM3E示意图Micron公司官网2025年7月30日，Micron宣布其第九代3DTLCNANDFlash正式量产出货。这款G9NAND拥有业界最高的3.6GB/sI/O传输速率，相较于前代产品（2.4GB/s），性能提升达50%；同时，其在读取、写入表现上分别实现99%、88%的优化提升，还具备全球密度最高NANDFlash的特性——NANDFlash密度提升73%、空间效率优化28%，目前该NAND已搭载于Micron2650SSD产品中。图表42：Micron第九代3DTLCNANDFlash产品示意图Micron公司官网AIMicronHBM3ENVIDIAoppracwll系列GPUIIA推出全球首款SOCMM内存模组，这是一款模块化LPDDR5X内存解决方案，专为支持NVIDIAGB300GraceBlackwellUltra图表43：Micron联合NVIDIA共同推出全球首款SOCAMM内存模组Micron官网Crucial（英睿达20262SSDAIKioxia，SKHynix铠侠SSD3D闪存BiCSFLASH™，定义高端手机、PC、汽车、2025114.95（同比+58.51%），2023-2025Kioxia45.38PCT。图表44：Kioxia营业收入及同比 图表45：Kioxia毛利率Kioxia公司公告，注： 显示2025年3月31日显示铠侠2025年年报相关信息

Kioxia公司公告，注： 显示2025年3月31日显示铠侠2025年年报相关信息202473KioxiaBiCSFLASH™3D2TbQLCCBABiCSFLASH50%的存储密度提升，这一优化让它成为业界容量最大的2TbQLCAI图表46：Kioxia第八代BiCSFLASH™3D闪存相较于上一代实现50%存储密度提升Kioxia（中国）官网SKHynix（SK海力士）是全球顶尖的半导体存储解决方案供应商，核心产品覆盖DRAM、NANDFlashHBM等关键存储品类。公司不仅掌握领先的3DNAND（HBM3e）更成为AI（GPU）的核心配套存储，AI2024年，公司实现营业收入454.71亿美元（同比+102.02%），2020-2024年复11.59%2024SKHynix49.71PCT。图表47：SKHynix营业收入及同比 图表48：SKHynix毛利率SKHynix公司公告， SKHynix公司公告，2025年11月4日，SKHynixCEOKwakNoh-Jung在韩国首尔举办的SKAISummit2025峰会上，正式公布2026-2031年产品落地规划：明确分阶段推出HBM系列（Standard与Custom双线并行），同步推进AI专用存储（AI-D、AI-N系列），并推动通用DRAM及StandardNAND的规模化落地。图表49：SKHynix2026-2031产品路线图 SKHynix，EETimesChina在HBM2026-2028年推出HBM416HBM4EHBMHBMGPUASICHBMGPUASICSKHynixHBM5SKHynix12HBM42TB/s60%2025HBM50%NVIDIAAIGPUHBM3/HBM3E图表50：SKHynixStandard与CustomHBM结构对比图SKHynix，EETimesChina为应对市场需求，SKHynix进一步细分AIDRAM（AI-D）产品线，推出三大核心解决方案，协同覆盖性能优化、技术突破与场景拓展。I-DOptmzatonAM（、DM（多路复用双列直插式内存模块SOCM（小型外形压缩附着内存模块，适用于AI服务器的低功耗DRAM内存模块）及LPDDR5R（用于移动产品，具备可靠性、可用性、可服务性（RAS）特性的低电压DRAM）。AI-DBreakthroughCPUGPU解AI）。AI-DExpansionDRAM（mobil