AI浪潮驱动存储量价齐升国产设备迎黄金替代机遇

内容目录存储芯片需求快速长推动全球扩产 4存储市场需求复苏健存储价格持续上涨 4存储芯片短期缺货剧有价无市，企业需迫切 5AI与服务器时代来，本支出增加 5新技术推动存储芯制工艺64F2与CBA 63DNAND与3DDRAM 8HBM 10国内晶圆厂介绍 11国产上市公司积极进产设备研发 13投资建议： 15风险提示 15图表目录图1： DRAM市场周期性规律 4图2： 2025/2026各内存品格预测 4图3： 2025/2026各闪存品格预测 5图4： 存储器资本开支 6图5： DRAM存储单元尺寸缩小 7图6： 创新的CBA构实现向尺寸缩减 7图7： 从2DNAND到3DNAND 8图8： 3DNAND架构 8图9： DRAM未来技术路线图 9图10： 3DDRAM结构图 9图11： 3DDRAM原理图 9图12： HBM结构的CoWoS进封装 10图13： 美光HBM3E结构示意图 10图14： 长鑫存储工艺水平断步 11图15： 长鑫存储 12图16： 长鑫存储产品DDR5系产品 12图17： 长江存储 12图18： 长江存储SSD产品 12图19： 中国大陆存储器产链司示意图 13图20： 中微公司PrimoUD-RIE刻蚀设备 14图21： 北方华创12英寸等离体深硅刻蚀机 14存储芯片需求快速增长，推动全球扩产存储市场需求复苏稳健，存储价格持续上涨、20242025AI图1：DRAM市场周期性规律Yole，DRAMAI服务器的快速部署，2026年的需求量增长预期已被上调。根据TrendForce2026DRAM58%。图2：2025/2026各内存产品价格预测TrendForce，DRAM产品价格走势源于供需的周期性错配与技术迭代的结构性转换。2025AI服务器、新设备换机潮带动DDR5/LPDDR5X产能加速向新技术迁移，导致DDR42026TrendForceTrendForceNANDFlash2026HDD要增长动力。根据TrnFoe06年EepceSD8-63%。NANDFlash32%，NAND58-63%。图3：2025/2026各闪存产品价格预测TrendForce，存储芯片短期缺货加剧，有价无市，企业需求迫切AIHBM、DRAMSKHBM及DRAMAI与服务器时代来临，资本支出增加2025AIHBMDRAMNANDFlashHBM等高附加价值产品。TrendForce，DRAM202631。在AMicn202613523%，1gammaTSVSKhynix，2026年预205M15xHBM4Samsung预20011%，HBM1CP4L晶图4：存储器资本开支Yole，NANDFlash20262225NANDFlashSKNANDFlash700045003600、26000631维持SK2762026NANDFlash新技术推动存储芯片制造工艺不断升级4F2CBA4F2与CBADRAMDRAM4F2CBADRAM4F2MF2AMCel6F230%，VCTVG图5：DRAM存储单元尺寸逐渐缩小NOVA，除尺寸微缩外，通过优化外围线路实现性能升级、抵消阵列摩尔定律进步放缓影响的CBA架构技术，也正被逐步引入存储芯片的生产流程之中。CBANANDDRAMakn的3DD20243DBiCSFLASHCOSdictyoddoAayC)图6：创新的CBA架构实现横向尺寸缩减铠财侠通证券研究所未来将CBA技术应用于DRAMYoleDRAM2027CBADRAM，CBA202793/2029640CBADRAM2027DRAM4%，202929%。3DNAND与3DDRAM2DNAND向3DNAND的技术迭代，本质是通过空间维度拓展破解平面微缩的底层限制。早期2DNAND采用平面结构，依赖工艺节点微缩提升存储密度，但随着制程逼近15nm，物理瓶颈逐渐凸显。一方面，存储单元尺寸缩小导致工艺偏差放大，阈值电压分布展宽，直接降低MLC/TLC等高密度设计的可靠性；另一方面，浮栅器件的隧穿层变薄引发漏电、电荷丢失等问题，电荷捕获（CTF）结构虽更适配微缩，但2D工艺难以实现精确的材料与工艺控制。在此背景下，3DNAND通过垂直堆叠存储单元重构技术逻辑，其立体结构既扩大了单个存储单元的物理空间，减少工艺偏差对性能的影响，又能更好适配CTF结构，优化电荷分布与擦写过程，规避阈值电压展宽问题；同时，3DNAND将核心工艺从先进光刻依赖转向高深宽比刻蚀，通过缩小X/Y平面尺寸并增加堆叠层数，在提升存储容量的同时显著降低单位成本。图7：从2DNAND到3DNAND 图8：3DNAND架构Esmchina官网， LAM官网，NAND2018323DNAND3DNANDckg20222323DNAND200NAND20253DTLCNAND294图9：DRAM未来技术路线展望图Yole，DRAM2DDRAM1α1β1γ1δ3DDRAM架构。3DDRAM的发展有望通过降低每GB的制造成本，并借助高导通电流和超低关断电流晶体管提高能源效率，实现更成本更低、速度更快的内存产品。此外，3DDRAM有望采用更宽松的光刻节点，从而降低对EUV光刻等极端昂贵设备的依赖。3DDRAM将增加沉积、刻蚀及气相化学刻蚀工艺的需求，沉积设备（原子层沉积、等离子体化学气相沉积）、高深宽比刻蚀系统的投资占比将显著提升，光刻设备的投资占比则可能有所下降。图10：3DDRAM结构图 图11：3DDRAM原理图Esmchina官网， LAM，HBMHBM3D堆叠架构与TSV3DDRAMDRAMTSVHBM可以高效对接GPUTPU图12：HBM结构的CoWoS先进封装 图13：美光HBM3E结构示意图TSMC官网， 美光官网，与传统内存技术相比，HBM展现出多方面显著优势。它的带宽能力远超传统MB3E1.TsB40B，AIGPUTSVHBMGDDR5效；D堆叠设计还让其CB13DFijiPU为HBMPCB55连AI随着HBM4国内晶圆厂介绍国产存储芯片主要生产企业主要包括长江存储、长鑫存储、福建晋华等企业。中国长期以来持续投入本土集成电路产业，同时也吸引了多家跨国芯片厂商在华建设存储芯片及晶圆制造工厂。图14：长鑫存储工艺水平不断进步Yole，2016/D、PDDXLP/X图15：长鑫存储 图16：长鑫存储产品DDR5系产品长鑫存储官网， 长鑫存储官网，20167IDMakn3DADO图17：长江存储 图18：长江存储SSD产品长江存储官网， 长江存储官网，，美国为阻碍中国半导体产业的发展，针对对华存储芯片出口，特别是涉及人工智能所需的高性能存储芯片领域，设置了层层障碍。国内消费电子终端、互联网等领域的科技企业自主开发需求迫切，采购国产存储芯片意愿强烈，推动国内存储芯片晶圆厂加快扩产步伐。2026PCDDR4DDR5202510LPDDR5X10667Mbps（10202630万片/月。国产上市公司积极推进国产设备研发未来国内存储器产线有望加速扩产，并催生大量设备采购资本开支。中微公司、拓荆科技、微导纳米、华海清科、盛美上海、北方华创、至纯科技等企业提供的制造设备，可用于满足国产存储产线的应用需求。图19：中国大陆存储器产业链公司示意图国家自然资源部，各公司官网等，LPCVD3DNAND和DRAMPrimoUD-RIE2003DNAND3DNAND90:1300WCVD设芯片生产领域均有广泛应用。其中，公司的金属PVD/CVD沉积设备在AAMCP（及90:1300图20：中微公司PrimoUD-RIE刻蚀设备 图21：北方华创12英寸等离体深硅刻蚀机中微公司官网， 北方华创官网，PECVDALDSACVDHDPCVD设备、FlowableCVDW2W/D2WHybridBondingNANDHBMDRAM中科飞测专注于高端半导体质量控制领域，其无图形晶圆缺陷检测设备、图形晶圆缺陷检测设备、三维形貌量测设备和介质薄膜膜厚量测设备、金属薄膜膜厚量测等设备，已广泛应用于国内主要存储器制造企业的生产线上。此外，华海清科，微导纳米，芯源微，盛美上海，至纯科技等公司的国产设备也已在长江存储、长鑫存储的存储芯片产线上实现批量应用。存储器晶圆产线的稳定运转，还需消耗大量半导体材料与零部件。鼎龙股份兴森科技国力电子、英杰电气；美埃科技富