光刻工艺工程师考试试卷及答案

光刻工艺工程师考试试卷及答案一、填空题（10题，1分/题）1.光刻胶按曝光后溶解性变化分为______胶和负胶。2.常用i线曝光光源波长约为______nm。3.曝光后显影前的步骤通常是______。4.掩模（Mask）主要基底材料是______。5.光刻对准精度常用单位是______（μm/纳米级）。6.KrF光源波长约为______nm。7.分辨率公式R=k1λ/NA中，k1为______因子。8.正胶湿法显影常用试剂是______溶液（如TMAH）。9.EUV光刻光源波长约为______nm。10.光刻去胶常用方法是______（湿法/干法）去胶。二、单项选择题（10题，2分/题）1.负胶曝光后溶解性变化是（）A.增强B.减弱C.不变D.先增后减2.数值孔径（NA）定义是（）A.n·sinθB.n/θC.sinθ/nD.n+sinθ3.不属于DUV范畴的光源是（）A.i线B.KrFC.ArFD.EUV4.正胶显影后保留的是（）A.曝光区域B.未曝光区域C.全部D.边缘5.光刻“对准”核心目的是（）A.提高胶厚均匀性B.保证层间套刻精度C.增加剂量D.减少缺陷6.掩模图形层常用材料是（）A.玻璃B.铬（Cr）C.硅D.光刻胶7.分辨率与波长关系是（）A.波长越长分辨率越高B.波长越短分辨率越高C.无关D.不确定8.干法显影优势是（）A.成本更低B.分辨率更高C.工艺更简单D.胶厚损失大9.属于显影缺陷的是（）A.套刻误差B.浮胶C.掩模划伤D.胶厚不均10.EUV掩模用反射式的原因是（）A.EUV易被吸收B.反射式更便宜C.透射式分辨率低D.寿命长三、多项选择题（10题，2分/题，多选/少选/错选不得分）1.光刻主要步骤包括（）A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀E.去胶2.影响分辨率的关键因素（）A.波长λB.NAC.掩模精度D.胶类型E.显影时间3.常用光刻光源（）A.i线（365nm）B.KrF（248nm）C.ArF（193nm）D.EUV（13.5nm）E.X射线4.对准关键指标（）A.套刻精度B.对准时间C.对准稳定性D.胶厚E.剂量5.正胶显影缺陷（）A.底切B.浮胶C.桥连D.套刻误差E.掩模污染6.湿法去胶常用试剂（）A.硫酸-双氧水B.丙酮C.异丙醇D.氢氟酸E.氢氧化钠7.EUV光刻挑战（）A.光源功率不足B.掩模污染C.胶灵敏度低D.套刻难控E.成本高8.光刻胶性能指标（）A.分辨率B.灵敏度C.对比度D.热稳定性E.胶厚均匀性9.显影类型（）A.湿法B.干法C.等离子D.热显影E.激光10.涂胶关键要求（）A.胶厚均匀B.无气泡C.无针孔D.胶厚稳定E.剂量合适四、判断题（10题，2分/题，√/×）1.负胶分辨率比正胶高。（）2.EUV用透射式掩模。（）3.正胶显影后曝光区域被去除。（）4.k1最小理论值为0.25。（）5.涂胶常用旋涂法。（）6.湿法显影分辨率比干法高。（）7.对准精度与套刻误差直接相关。（）8.ArF属于DUV范畴。（）9.胶灵敏度越高，所需剂量越大。（）10.去胶只在光刻后做一次。（）五、简答题（4题，5分/题）1.简述正胶与负胶显影原理区别。2.简述光刻“对准”的目的及关键指标。3.简述显影“浮胶”缺陷的可能原因。4.简述EUV光刻相比ArF的核心优势。六、讨论题（2题，5分/题）1.讨论如何通过工艺优化提升光刻分辨率（结合R=k1λ/NA）。2.讨论EUV光刻面临的主要挑战及解决方案思路。---答案一、填空题1.正2.3653.前烘（软烘）4.石英（玻璃）5.纳米（nm）6.2487.工艺8.四甲基氢氧化铵（TMAH）9.13.510.干法（或湿法）二、单项选择题1.B2.A3.D4.B5.B6.B7.B8.B9.B10.A三、多项选择题1.ABCE2.ABC3.ABCD4.ABC5.ABC6.AB7.ABCDE8.ABCDE9.AB10.ABCD四、判断题1.×2.×3.√4.√5.√6.×7.√8.√9.×10.×五、简答题答案1.正胶：曝光区域PAC分解，溶解性增强，显影时被去除，未曝光区域保留；负胶：曝光区域交联，溶解性减弱，显影时未曝光区域被去除，曝光区域保留。核心区别是溶解性变化方向相反。2.目的：保证前后层图形套刻精度，避免短路/开路；关键指标：套刻精度（Overlay）、对准时间、对准稳定性、对准范围。3.前烘不足（胶未固化）、显影液浓度/温度过高、基底清洁差（结合力弱）、曝光剂量不足（胶附着性下降）、显影时间过长（胶过度侵蚀）。4.波长更短（13.5nm），分辨率达7nm以下；无需相移掩模，工艺简化；套刻精度更高；减少多重曝光，提升产能；穿透性弱，降低层间干扰。六、讨论题答案1.①减小波长：用EUV替代ArF；②增大NA：如ArF浸没式NA达1.35；③降低k1：用相移掩模（PSM）、光学邻近校正（OPC）；④优化胶性能：高对比度、薄胶厚。