半导体光刻工艺工程师考试试卷及答案

半导体光刻工艺工程师考试试卷及答案一、填空题（共10题，每题1分）1.光刻胶按显影特性分为正胶和______胶。2.主流深紫外（DUV）曝光光源波长为______nm。3.光刻显影液通常为______系溶液。4.光刻图案转移的模板称为______。5.晶圆与掩模的位置偏差称为______（Overlay）。6.光刻分辨率经典公式：R=______。7.极紫外（EUV）波长为______nm。8.涂胶后需______烘烤（软烘）去溶剂。9.减少反射的涂层称为______（ARC）。10.显影图案需经______转移到晶圆。答案：1.负；2.193；3.碱；4.光掩模；5.对准精度；6.0.61λ/NA；7.13.5；8.预；9.抗反射涂层；10.刻蚀二、单项选择题（共10题，每题2分）1.正胶曝光后显影时（）A.曝光区溶解B.未曝光区溶解C.全部溶解D.全部不溶解2.193nmImmersion光刻的关键介质是（）A.空气B.水C.油D.氮气3.EUV无法用玻璃掩模的原因是（）A.玻璃吸收EUVB.玻璃成本高C.分辨率低D.易破碎4.显影温度通常控制在（）A.10-15℃B.20-25℃C.30-35℃D.40-45℃5.光刻胶软烘的目的是（）A.去溶剂B.固化C.提升分辨率D.减缺陷6.相移掩模（PSM）提升分辨率的原理是（）A.增NAB.减λC.相位干涉D.降剂量7.光刻“对准”的目的是（）A.均匀胶膜B.掩模-晶圆匹配C.去缺陷D.提刻蚀精度8.不能提升分辨率的是（）A.减λB.增NAC.增剂量D.用PSM9.显影后需______固化图案A.后烘B.软烘C.去胶D.清洗10.ARC的主要作用是（）A.增剂量B.减反射C.提显影速度D.减缺陷答案：1.A；2.B；3.A；4.B；5.A；6.C；7.B；8.C；9.A；10.B三、多项选择题（共10题，每题2分，多选少选不得分）1.光刻主要步骤包括（）A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀2.正胶特点有（）A.曝光区溶解B.对比度高C.适合小尺寸D.未曝光区溶解3.193nm光刻关键技术（）A.ImmersionB.PSMC.EUVD.离子注入4.EUV核心挑战（）A.光源功率不足B.掩模污染C.胶灵敏度低D.波长过长5.显影关键参数（）A.温度B.时间C.浓度D.曝光剂量6.影响Overlay的因素（）A.设备精度B.掩模变形C.晶圆翘曲D.剂量7.ARC类型（）A.底部BARCB.顶部TARCC.中间ARCD.无ARC8.光刻胶组成（）A.树脂B.光敏剂C.溶剂D.金属颗粒9.光刻质量指标（）A.分辨率B.OverlayC.缺陷数D.刻蚀深度10.光刻常见缺陷（）A.图案缺失B.变形C.Overlay偏差D.刻蚀不均答案：1.ABCD；2.ABC；3.AB；4.ABC；5.ABC；6.ABC；7.AB；8.ABC；9.ABC；10.ABC四、判断题（共10题，每题2分，√/×）1.负胶未曝光区溶解。（）2.EUV波长13.5nm。（）3.显影温度越高效果越好。（）4.Overlay越小匹配越好。（）5.Immersion比Dry分辨率高。（）6.光刻胶烘烤分软烘和后烘。（）7.PSM能提升分辨率。（）8.掩模小缺陷不影响良率。（）9.EUV无需ARC。（）10.涂胶目的是均匀胶膜。（）答案：1.×；2.√；3.×；4.√；5.√；6.√；7.√；8.×；9.×；10.√五、简答题（共4题，每题5分）1.光刻主要步骤及目的答：①涂胶：晶圆表面形成均匀胶膜；②软烘：去溶剂，避免显影变形；③曝光：掩模图案转移到胶膜；④后烘：增强曝光/未曝光区对比度；⑤显影：溶解目标区域（正胶曝光区）形成图案；⑥硬烘：固化图案，提升抗刻蚀性；⑦刻蚀：图案转移到晶圆；⑧去胶：清除残留胶。2.正胶与负胶区别答：①显影：正胶曝光区溶解，负胶未曝光区溶解；②分辨率：正胶对比度高（适合<0.1μm），负胶分辨率低；③缺陷：负胶易桥连/膨胀，正胶缺陷少；④兼容性：正胶适配Immersion/EUV，负胶多用于低端工艺。3.193nmImmersion与Dry差异答：核心是镜头-晶圆介质：①Dry介质为空气（NA≤0.95）；②Immersion介质为水（NA≥1.3），通过增NA提升分辨率。其他：Immersion需液体供给系统，成本高，对污染敏感，需专用ARC。4.EUV核心挑战答：①光源：功率不足（需>100W），效率低；②掩模：玻璃吸收EUV，需Mo/Si多层膜，易污染且成本高；③胶：灵敏度低（需高剂量）；④集成：真空要求高，设备维护复杂；⑤缺陷：掩模/胶缺陷（<10nm）易降良率。六、讨论题（共2题，每题5分）1.如何优化工艺提升光刻分辨率？答：①设备：减小波长（193→13.5nm）、增大NA（Immersion）；②掩模：PSM（相位干涉）、OPC（校正畸变）；③胶：选高对比度胶，调整涂胶厚度；④工艺：控制烘烤温度/时间，优化显影参数，用ARC减反射；⑤对准：校准设备，减少Overlay偏差。综合优化可实现10nm以下分辨率。2.光刻常见缺陷及解决方法答：①图案缺失：剂量不足/显影时间短→调剂量、延长