GB/T 34326-2026表面化学分析深度剖析AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法

ICS7104040

CCSG.04.

中华人民共和国国家标准

GB/T34326—2026/ISO165312020

:

代替GB/T34326—2017

表面化学分析深度剖析AES和XPS

深度剖析时离子束对准方法及其束流或

束流密度的测量方法

Surfacechemicalanalysis—Depthprofiling—Methodsforionbeam

alignmentandtheassociatedmeasurementofcurrentorcurrent

densityfordepthprofilinginAESandXPS

ISO165312020IDT

(:,)

2026-01-28发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T34326—2026/ISO165312020

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义符号和缩略语

3、、………………1

系统要求

4…………………2

离子束对准方法

5…………………………3

何时离子束对准及对准检查

6……………12

附录资料性在离子束对准优劣情况下深度剖析结果的比较

A()AES……………14

附录资料性使用同轴电极法拉第杯对准

B()…………15

参考文献

……………………16

Ⅰ

GB/T34326—2026/ISO165312020

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替表面化学分析深度剖析和深度剖析时离子束对准方

GB/T34326—2017《AESXPS

法及其束流或束流密度测量方法与相比除结构调整和编辑性改动外主要技术

》,GB/T34326—2017,,

变化如下

:

增加了对椭圆孔使用自动程序和所使用离子束参数的说明见表

a)FC(1);

更改了离子束斜入射时使用法拉第杯对准的要求见年版的注

b)(5.3.2,20175.3.2);

更改了离子束斜入射到样品或法拉第杯上对准调整的方法见年版的注

c)(5.3.3,20175.3.3);

更改了使用样品台特征部位和待分析样品的二次电子成像或光学显微成像对准调整离子束的

d)

方法见年版的注

(5.5.4,20175.5.4)。

本文件等同采用表面化学分析深度剖析和深度剖析时离子束对准

ISO16531:2020《AESXPS

方法及其束流或束流密度的测量方法

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国表面化学分析标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC608)。

本文件起草单位北京师范大学中国计量科学研究院季华实验室国家纳米科学中心

:、、、。

本文件主要起草人吴正龙王海范燕徐鹏王梅玲张艾蕊

:、、、、、。

本文件于年首次发布本次为第一次修订

2017,。

Ⅲ

GB/T34326—2026/ISO165312020

:

引言

在俄歇电子能谱和射线光电子能谱表面化学分析中离子溅射已被广泛用于许多

(AES)X(XPS),

器件和材料的表面清洁和层状结构的深度表征中目前厚度小于的超薄膜越来越多地用于现

。,10nm

代器件因此低能离子深度剖析显得越来越重要对于可再现的溅射速率和良好的深度分辨重要的是

,。,

将离子束对准到最佳位置随着对深度分辨需求越来越高对准优化越来越重要通常不需要离子束

。,。

对准但当仪器参数改变时例如更换离子枪灯丝或仪器烘烤需要进行离子束对准在对准过程中一

,,,。,

定注意不要溅射或其他操作影响样品托上的分析样品仪器有多种不同的方法对准本文件描述了

。。

种方法以确保大多数分析者可使用至少一种方法对准其中两种方法也可用于测量离子束流或电

6,。

流密度这在测量溅射产额和测量溅射速率的一致性时是重要的对于商用仪器制造商可提供离子束

,。,

对准方法和设备如果已提供这里描述的方法可能并不是必要的但可以帮助验证该方法

。,,。

描述了如何从层状样品中测量深度分辨并用于监测深度剖析是否充分正确优化或得

ISO14606,、

到期望的性能然而该方法从仪器设置到通过深度测量评估深度分辨都耗费时间因此本文件提供

。,,,

了更快的程序以确保离子束正确对准作为使用的第一步或更常规的检查

,,ISO14606。

Ⅳ

GB/T34326—2026/ISO165312020

:

表面化学分析深度剖析AES和XPS

深度剖析时离子束对准方法及其束流或

束流密度的测量方法

1范围

本文件描述了在俄歇电子能谱和射线光电子能谱中使用惰性气体离子的离子束对

(AES)X(XPS)

准方法以确保溅射深度剖析中的良好深度分辨和表面的最佳清洁这些方法有两类一类是用法拉第

,。:

杯测量离子束流另一类是成像方法其中法拉第杯法还规定了离子束流密度和束流分布的测量

;。,

要求

。

本文件适用于束斑直径小于或等于的离子枪但不包括深度分辨优化

1mm,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

表面化学分析词汇第部分通用术语及谱学术语

ISO18115-11:(Surfacechemical

analysis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)

注表面化学分析词汇第部分通用术语及谱学术语

:GB/