2025 年大学电子科学与技术（半导体）期末测试卷

2025年大学电子科学与技术（半导体）期末测试卷

（考试时间：90分钟满分100分）班级______姓名______一、选择题（总共10题，每题3分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填写在括号内）1.半导体中参与导电的载流子是（）A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子2.本征半导体的导电能力取决于（）A.温度B.光照C.杂质含量D.以上都是3.N型半导体中多数载流子是（）A.电子B.空穴C.离子D.中子4.杂质半导体中，杂质原子的作用是（）A.产生电子B.产生空穴C.提供载流子D.改变晶体结构5.当PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）A.变宽B.变窄C.不变D.先变宽后变窄6.二极管的伏安特性曲线中，正向导通时（）A.电流很大，电压很小B.电流很小，电压很大C.电流和电压都很大D.电流和电压都很小7.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的偏置情况是（）A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结和集电结都正偏D.发射结和集电结都反偏8.场效应管的控制方式是（）A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压9.集成运算放大器的输入级一般采用（）A.共发射极放大电路B.共集电极放大电路C.差分放大电路D.功率放大电路10.数字电路中，最基本的逻辑门是（）A.与门B.或门C.非门D.以上都是二、多项选择题（总共5题，每题5分，每题有两个或两个以上正确答案，请将正确答案填写在括号内）1.半导体的特性包括（）A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性2.下列属于半导体材料的是（）A.硅B.锗C.铜D.铁3.PN结的特性有（）A.单向导电性B.电容效应C.击穿特性D.放大特性4.三极管的主要参数有（）A.电流放大倍数B.集电极最大允许电流C.集电极-发射极反向饱和电流D.反向击穿电压5.数字电路的优点包括（）A.抗干扰能力强B.精度高C.便于集成D.速度快三、判断题（总共10题，每题2分，请判断下列说法的对错，正确的打√，错误的打×）1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）2.本征半导体中没有载流子。（）3.在N型半导体中，空穴是多数载流子。（）4.PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止。（）5.二极管的反向电流随温度升高而减小。（）6.三极管工作在饱和区时，发射结和集电结都正偏。（）7.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻小。（）8.集成运算放大器的输出级一般采用功率放大电路。（）9.数字电路中，高电平用“1”表示，低电平用“0”表示。（）10.逻辑门电路的输入和输出信号都是数字信号。（）四、简答题（总共3题，每题10分）1.简述半导体的导电机制。2.说明PN结单向导电性的原理。3.分析三极管放大作用的条件。五、综合题（总共2题，每题15分）1.画出一个简单的共发射极放大电路原理图，并分析其工作原理。2.设计一个三人表决电路，要求当三人中有两人或两人以上同意时，表决通过，用逻辑门实现该电路。答案：一、选择题1.C2.D3.A4.C5.B6.A7.A8.C9.C10.D二、多项选择题1.ABC2.AB3.ABC4.ABCD5.ABC三、判断题1.√2.×3.×4.√5.×6.√7.×8.√9.√10.√四简答题1.半导体中存在两种载流子，电子和空穴。在热激发或光照等作用下，价电子挣脱共价键束缚成为自由电子，同时在共价键中留下空穴。在外加电场作用下，电子定向移动形成电子电流，空穴也会定向移动，相当于正电荷移动形成空穴电流，二者共同参与导电。2.PN结加正向电压时，外电场方向与内电场方向相反，削弱了内电场，使空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的正向电流，PN结导通。加反向电压时，外电场方向与内电场方向相同，增强了内电场，使空间电荷区变宽，多数载流子的扩散运动被抑制，只有少数载流子的漂移运动形成很小的反向电流，PN结截止，表现出单向导电性。3.三极管放大作用的条件是：发射结正偏，使发射区的多数载流子能够顺利注入基区；集电结反偏，使基区注入的载流子能够大部分被集电区收集。同时，基区要做得很薄，且掺杂浓度很低，以保证载流子在基区的复合较少，从而实现电流放大。五、综合题1.共发射极放大电路原理图：由三极管、基极偏置电阻、集电极负载电阻、发射极电阻等组成。工作原理：输入信号加在基极与发射极之间，使基极电流随输入信号变化。由于三极管的电流放大作用，集电极电流也相应变化，集电极电流在集电极负载电阻上产生变化的电压降，从而将输入信号放大后在集电极输出。2.设三人分别为A、B、C，同意为“1”，不同意为“0”。当有两人或两人以上同意时，表决通过。可以用三个与门分别