半导体器件试题及答案

半导体器件试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）1.二极管正向偏置时，其正向电流是由（）。A.多数载流子扩散形成B.多数载流子漂移形成C.少数载流子扩散形成D.少数载流子漂移形成2.稳压二极管工作在（）状态。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.不确定3.三极管工作在放大区时，发射结（），集电结（）。A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏4.场效应管是一种（）控制型器件。A.电压B.电流C.功率D.频率5.对于NPN型三极管，当发射结和集电结都正偏时，三极管工作在（）。A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区6.半导体中的载流子有（）种。A.1B.2C.3D.47.当温度升高时，二极管的反向电流（）。A.增大B.减小C.不变D.不确定8.共发射极放大电路的输出电压和输入电压的相位关系是（）。A.同相B.反相C.相差90°D.不确定9.下列哪种器件不属于半导体器件（）。A.二极管B.三极管C.电阻D.场效应管10.三极管的电流放大倍数β是指（）。A.集电极电流与基极电流之比B.集电极电流与发射极电流之比C.发射极电流与基极电流之比D.基极电流与集电极电流之比二、多项选择题（每题2分，共20分）1.半导体的导电特性有（）。A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.单向导电性2.二极管的主要参数有（）。A.最大整流电流B.最高反向工作电压C.反向电流D.极间电容3.三极管的三种工作状态是（）。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.击穿状态4.场效应管按结构可分为（）。A.结型场效应管B.绝缘栅型场效应管C.N沟道型D.P沟道型5.放大电路的性能指标有（）。A.电压放大倍数B.输入电阻C.输出电阻D.通频带6.影响二极管反向电流大小的因素有（）。A.温度B.材料C.掺杂浓度D.反向电压7.共集电极放大电路具有（）特点。A.电压放大倍数近似为1B.输入电阻高C.输出电阻低D.输出电压与输入电压同相8.半导体材料按化学成分可分为（）。A.元素半导体B.化合物半导体C.有机半导体D.无机半导体9.稳压二极管的应用电路有（）。A.稳压电路B.限幅电路C.开关电路D.放大电路10.三极管的电流分配关系为（）。A.Ie=Ib+IcB.Ic=βIbC.Ie=(1+β)IbD.Ib=Ic/β三、判断题（每题2分，共20分）1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）2.二极管加正向电压时一定导通。（）3.三极管只要发射结正偏就一定工作在放大区。（）4.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。（）5.放大电路的电压放大倍数越大越好。（）6.半导体中只有电子一种载流子。（）7.共发射极放大电路既能放大电压又能放大电流。（）8.二极管的反向电流越小，其单向导电性越好。（）9.三极管的β值越大，其性能越好。（）10.场效应管是一种电流控制型器件。（）四、简答题（每题5分，共20分）1.简述半导体的导电特性。2.说明二极管的单向导电性。3.三极管工作在放大区的条件是什么？4.共发射极放大电路的特点有哪些？五、讨论题（每题5分，共20分）1.讨论温度对半导体器件性能的影响。2.分析场效应管与三极管的优缺点。3.探讨放大电路中静态工作点的重要性。4.谈谈半导体器件在现代电子技术中的应用。答案一、单项选择题1.A2.C3.B4.A5.B6.B7.A8.B9.C10.A二、多项选择题1.ABC2.ABCD3.ABC4.AB5.ABCD6.ABC7.ABCD8.AB9.AB10.ABC三、判断题1.√2.×3.×4.√5.×6.×7.√8.√9.×10.×四、简答题1.半导体具有热敏性，温度升高导电能力增强；光敏性，光照下导电能力改变；掺杂性，掺入杂质可改变导电性能。2.二极管正向偏置时，电阻很小，电流容易通过，处于导通状态；反向偏置时，电阻很大，电流几乎为零，处于截止状态，即单向导电。3.三极管工作在放大区的条件是发射结正偏，集电结反偏。4.共发射极放大电路电压、电流、功率放大能力较强，输出电压与输入电压反相，输入、输出电阻适中。五、讨论题1.温度升高，半导体器件的反向电流增大，三极管β值增大，影响放大电路稳定性，还可能使二极管正向特性改变。2.场效应管输入电阻高、噪声小、功耗低，但跨导小、放大能力弱；三极管电流放大能力强，但输入电阻低、噪声大。3