雨课堂学堂在线学堂云《集成电路版图设计（苏州市职业）》单元测试考核答案

第1题①集成电路版图常规验证的项目主要包扩:设计规则检查、电学规则检查、版图和电路图一致性检查、版图寄生参数提取以及寄生电阻提取。()第2题①是否在Candence中打开版图时需要预先设置好的显示文件,即drf文件。()第3题①常用版图验证包含哪些项目?()ADRCBERCCLVS正确答案：ABC第4题①在集成电路版图设计中,contact通常是用来做第一层金属层和下列那些层的连接?Ametal2BactiveCpoly1Dnwell正确答案：BC第5题①主流集成电路设计软件有哪些?()AcadenceBmentorCSynopsysDdxp正确答案：ABC第6题①常用Linux系统有哪些?()ARedHatLinuxBFedoraCDebianDUbuntu正确答案：ABCD第7题①NMOS器件的衬底是()型半导体。AN型BP型C本征型D耗尽型第8题①在P型衬底中制作晶体管,掺杂用什么注入?()AnwellBnimpCpimpDlocos第9题①P型硅衬底上制造CMOS集成电路的简化步骤?()A1在NMOS和PMOS有源区的四周逐渐形成场氧化层;2形成栅极氧化层并制作栅极;3在硅衬底中掺杂生成N阱区域;4再通过掺杂形成源.漏区;5继续制作接触孔、通孔和金属布线层;6最后完成钝化、引线键合、封装、测试。B1在NMOS和PMOS有源区的四周逐渐形成场氧化层;2形成栅极氧化层并制作栅极;3在硅衬底中掺杂生成N阱区域;4继续制作接触孔、通孔和金属布线层;5再通过掺杂形成源、漏区;6最后完成钝化、引线键合、封装、测试。C1在NMOS和PMOS有源区的四周逐渐形成场氧化层;2在硅衬底中掺杂生成N阱区域;3形成栅极氧化层并制作栅极;4继续制作接触孔、通孔和金属布线层;5再通过掺杂形成源、漏区;6最后完成钝化、引线键合、封装、测试。D1硅衬底中掺杂生成N阱区域;2在NMOS和PMOS有源区的四周逐渐形成场氧化层;3形成栅极氧化层并制作栅极;4再通过掺杂形成源、漏区;5继续制作接触孔、通孔和金属布线层;6最后完成钝化、引线键合、封装、测试。第10题①NMOS晶体管是做在什么型硅衬底上?()AP型硅衬底BN型硅衬底C单晶硅衬底D多晶硅衬底第1题②MOS管或与复联电路,电路网络是先并联后串联。()第2题②MOS管的并联是指把它们的源极和源极相连,漏极和漏极相连,各自的栅极是独立的。()第3题②在版图的设计规则中,违反最小线宽规则,则会造成电路断路;违反最小间距规则,则会造成电路短路。()第4题②MOS管四端口器件包括那些。()A栅极B源极C漏极D衬底E基极正确答案：ABCD第5题②版图基本设计规则主要包括那些?()A线宽规则B间距规则C交叠规则D延伸规则E包围规则F最大面积规则正确答案：ABCDE第6题②版图设计规则通常有以下那些类?()A微米B毫米C纳米Dλ正确答案：AD第7题①在集成电路版图设计中,contact通常是用来做第一层金属层和下列那些层的连接?Ametal2BactiveCpoly1Dnwell正确答案：BC第8题②版图的基本设计规则中不包括()规则A包围规则B延伸规则C最大间距规则D交叠规则第9题②在CMOS工艺中,未经特别说明,PMOS管的衬底一般接(),NMOS管的衬底一般接地。A地B电源第10题②N阱CMOS工艺中,N阱里通常做什么晶体管?()APMOSBNMOSCDMOSDCMOS作业：反相器版图第1题③多个反相器串联在一起可以构成缓冲器()。缓冲器提供了电信号的整形,并为大的扇出负载提供了更大的驱动电流。()第2题③Pitch=MinSpacing+MinWidth,表示:最小间距+最小宽度。()第3题③完成一个完整的集成电路版图绘制,下列哪些文件是必需的()ATechnology文件BDRC文件CLVS文件DDisplay文件正确答案：ABCD第4题③PDK主要包含?()A器件模型(DeviceModel)BCDF(ComponentDescriptionFormat,组件描述格式)&CallbackCPcell(ParameterizedCell,参数化单元)D技术文件(TechnologyFile)EPVRule(物理验证规则)文件正确答案：ABCDE第5题③Pitch的计算一般有以下几种?()A金属布线的中心线与中心线的距离B金属布线通孔与通孔的距离C金属布线中心线与通孔的距离D金属布线中心线与接触孔的距离正确答案：ABC第6题③下列哪个错误类型不属于LVS的错误类型?()A匹配的节点上没有器件B金属1和Poly之间的间距不够C器件的尺寸W和L不匹配D衬底连接错误第7题③标准单元版图中高度Pitch的计算方式中,正确的是()。APitch计算用金属布线的中心线与中心线的距离BPitch计算用金属布线通孔与通孔的距离CPitch计算用金属布线中心线与通孔的距离D以上都对第8题③CMOS传输们是由NMOS管和PMOS管互补()联构成。A串B并第9题③CMOS反相器是由NMOS管和PMOS管互补()联构成。A串B并第10题③标准单元版图要求“什么”都一致,宽度可变。()A高度B宽度C比例D大小作业：数字单元版图设计.第1题④欧拉路径是指该路径经过图的每一条边且仅经过一次。()第2题④两输入与非门电路,两个NMOS晶体管是串联关系,两个PMOS晶体管是并联关系。()第3题④标准单元设计中,常要求标准单元高度和宽度都保持一致。()第4题④电源线版图设计准则中,是利用不同分层的电阻率来确定电源线的宽度的,使用最底层金属层(绘图层)作为电源线。()第5题④建立棍棒图的规则有哪些?()A只重布局,不考虑线宽和间距B有源区和多晶硅正交构成MOS管C金属线可以跨越有源区和多晶硅而不连接D层之间的连接用“×”,表示接触孔E金属布线M1和M2可以交叉,它们之间用通孔进行连接正确答案：ABCDE第6题④单元版图晶体管设计准则有哪些?()A如果是大尺寸晶体管,使用叉指并联结构来实现大的晶体管的版图设计B共用电源节点以节省面积C确定源极连接和漏极连接所需接触孔的最小数目D尽可能使用90°角的多边形或矩形E对阱和衬底的连接位置进行规划并使其标准化。正确答案：ABCDE第7题④对于CMOS组合逻辑电路来说,它一定是由PMOS晶体管网络和NMOS晶体管网络构成的,PMOS接VDD的那端,必定是PMOS管的()极。A栅极B源极C漏极D衬底第8题④在版图设计软件中,调用单元的快捷键为()AkBiCqDc第9题④在给电源线布线时,采用哪层金属作为晶体管级单元的电源线?()APolyBActiveAreaCMetal1DMetal2第10题④下列哪个错误类型不属于LVS的错误类型?()A匹配的节点上没有器件B金属1和Poly之间的间距不够C器件的尺寸W和L不匹配D衬底连接错误作业：电阻、电容与电感版图第1题⑤很多CMOS和BiCMOS工艺已经包含了多层的多晶硅,所以多晶硅-多晶硅电容不需要额外的掩模步骤。()第2题⑤同等尺寸的方块电阻,N阱的方块电阻大于多晶硅的方块电阻。()第3题⑤均匀参杂材料中,方块电阻的单位是:欧姆/方块。()第4题⑤模拟电路中,电阻版图的类型大概分为哪几种?()A金属电阻B多晶硅电阻C源漏注入电阻D阱电阻正确答案：ABCD第5题⑤关于集成电路中的无源器件说法正确的是()A集成电路无法高效的实现高精度阻值无源器件。B要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。C由于制造工艺上的偏差,无源器件的比例容差(RatioTolerance)也必定很大。D尽管存在制造工艺上的偏差,但是无源器件的比例容差(RatioTolerance)可以控制在很小的范围内。正确答案：ABD第6题⑤在做集成电路的多晶硅电容设计时,要计算每个电容的容值,那么电容的面积大小是怎样计算的?()A第一层多晶硅的面积B第二层多晶硅的面积C二层多晶硅重叠后的面积第7题⑤在某CMOS工艺中存在三种Poly材料,试问多晶硅栅需要什么类型的Poly材料?()A掺杂且硅化的PolyB掺杂未硅化的PolyC未掺杂且未硅化的Poly第8题⑤做集成电路的多晶硅电阻设计时,要计算每个电阻的阻值,那么电阻的长度是怎样计算的?()A整个多晶硅的长度B多晶硅中两个引线孔中心点的距离C多晶硅中两个引线孔内侧的距离D多晶硅中两个引线孔外侧的距离第9题⑤在一般的制程中,下列材料集成电阻的方块电阻(SheetResistance)最大的是()A扩散电阻B阱电阻C多晶硅电阻D铝层连线电阻第10题①PMOS晶体管是做在什么型硅衬底上?()AP型硅衬底BN型硅衬底C单晶硅衬底D多晶硅衬底作业：模拟版图设计第1题⑥当有电流流经衬底时,由于衬底电阻的影响,在电阻上产生压降,如果压降比较大导致隔离岛与衬底构成的PN结不再反偏,此时衬底向隔离岛注入电荷,隔离岛出现漏电,该过程称为衬底去偏置。()第2题⑥为防止“电迁移”的影响,每个工艺的设计规则都定义了单位宽度最大允许的电流。()第3题⑥避免“天线效应”的方法有:如果无法加跳线,则可以连接一个最小的N+/P-epi或P+/Nwell的二极管。()第4题⑥Latchup效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。()第5题⑥保护环无助于Latchup效应的避免。()第6题⑥多层金属相互交叉形成堆叠电容器,可以部分解决单位面积电容较大的问题。()第7题⑥下列由制程引起的版图不匹配有()A扩散的不一致性B注入的不一致性CCMP引起的非理想平面D温度梯度正确答案：ABC第8题⑥下列关于保护环说法正确的是()A保护环的目的是给衬底或阱提供均匀的偏置电压。B保护环可以接在VDD或GND上。C保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。D保护环无助于Latchup效应的避免。正确答案：ABC第9题⑥下列关于Latchup效应说法不正确的是()A衬底耦合噪声是造成Latchup问题的原因之一。BLatchup效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。CLatchup效应与两个寄生三极管的放大系数有关。DLatchup效应与阱和衬底的参杂浓度无关。第10题⑥N型半导体材料的迁移率比P型半导体材料的迁移率()A相等B小C大D不等作业：放大器版图第1题⑦宽长比大的MOS管在版图设计中一般设计成指状结构。()第2题②在版图设计软件中,画标尺的快捷键为()AkBiCpDq第3题②在版图设计软件中,调用单元的快捷键为()AkBiCpDq第4题②定义间距规则是为了避免两个多边形之间形成?()A开路B短路C断路D闭路第5题①在集成电路版图设计中,如果想把画过的尺子清除掉,请问用哪个快捷键?()AaBkCiDshift+k第6题①在Candence中新建版图库时,需要的文件格式是()AdrfBtfClvsDdrc第7题①在P型衬底中制作晶体管,掺杂用什么注入?()AnwellBnimpCpimpDlocos第8题①P型硅衬底上制造CMOS集成电路的简化步骤?()A1在NMOS和PMOS有源区的四周逐渐形成场氧化层;2形成栅极氧化层并制作栅极;3在硅衬底中掺杂生成N阱区域;4再通过掺杂形成源.漏区;5继续制作接触孔、通孔和金属布线层;6最后完成钝化、引线键合、封装、测试。B1在NMOS和PMOS有源区的四周逐渐形成场氧化层;2形成栅极氧化层并制作栅极;3在硅衬底中掺杂生成N阱区域;4继续制作接触孔、通孔和金属布线层;5再通过掺杂形成源、漏区;6最后完成钝化、引线键合、封装、测试。C1在NMOS和PMOS有源区的四周逐渐形成场氧化层;2在硅衬底中掺杂生成N阱区域;3形成栅极氧化层并制作栅极;4继续制作接触孔、通孔和金属布线层;5再通过掺杂形成源、漏区;6最后完成钝化、引线键合、封装、测试。D1硅衬底中掺杂生成N阱区域;2在NMOS和PMOS有源区的四周逐渐形成场氧化层;3形成栅极氧化层并制作栅极;4再通过掺杂形成源、漏区;5继续制作接触孔、通孔和金属布线层;6最后完成钝化、引线键合、封装、测试。第9题①NMOS晶体管是做在什么型硅衬底上?()AP型硅衬底BN型硅衬底C单晶硅衬底D多晶硅衬底第10题①N阱CMOS工艺常用的绘图层有:NWell、Active、Poly、Contact、P、SN、Via1、()、Metal2、TEXT、PAD等。ASPBSNCVia1DMetal1作业：Bandgap版图第1题⑧关于宽长比很大的MOS管的版图,下列说法正确的是()A宽长比很大的MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B宽长比很大的MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C宽长比很大的MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D宽长比很大的MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。正确答案：ABCD第2题①集成电路即“IC”,英文全称为IntegratedCircuit,俗称“芯片”,按功能不同可分为模拟集成电路和()集成电路。A模拟B数字C混合第3题①版图的基本设计规则中不包括()规则。A包围规则B延伸规则C最大间距规则D交叠规则第4题①PMOS晶体管是做在什么型硅衬底上?()AP型硅衬底BN型硅衬底C单晶硅衬底D多晶硅衬底第5题①版图设计的一般流程可以表述为?()A1.确定各个模块在芯片中的具体位置。2.对版图进行规划,把整个电路划分成若干个单元。3.完成各个单元版图及单元之间的互连设计。4.对版图进行验证。B1.确定各个模块在芯片中的具体位置。2.完成各个单元版图及单元之间的互连设计。3.对版图进行规划,把整个电路划分成若干个单元。4.对版图进行验证。C1.确定各个模块在芯片中的具体位置。2.对版图进行验证。3.对版图进行规划,把整个电路划分成若干个单元。4.完成各个单元版图及单元之间的互连设计。D1.对版图进行规划,把整个电路划分成若干个单元。2.确定各个模块在芯片中的具体位置。3.完成各个单元版图及单元之间的互连设计。4.对版图进行验证。第6题①calibre是集成电路的什么软件?()A电路设计B版图验证C版图设计DPCB设计第7题①集成电路设计中,电路符号图称为()AschematicBlayoutCcomposerDsymbol第8题①集成电路设计中,电路图称为()AschematicBlayoutCcomposerDsymbol第9题①集成电路设计中,版图称为()AschematicBlayoutCcomposerDsymbol第10题①在C