GB/T 15651.13-2026半导体器件第5-13部分：光电子器件LED封装的硫化氢腐蚀试验

ICS3108099

CCSL.53.

中华人民共和国国家标准

GB/T1565113—2026/IEC60747-5-132021

.:

半导体器件第5-13部分光电子器件

:

LED封装的硫化氢腐蚀试验

Semiconductordevices—Part5-13Otoelectronicdevices—

:p

HydrogensulphidecorrosiontestforLEDpackages

IEC60747-5-132021IDT

(:,)

2026-02-27发布2026-06-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T1565113—2026/IEC60747-5-132021

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

测试装置

4…………………2

通则

4.1…………………2

测试夹具

4.2……………2

测试设置

4.3……………2

测试气体

5…………………3

预处理

6……………………3

概述

6.1…………………3

吸湿处理

6.2……………3

测试方法

7…………………4

初始检测

7.1……………4

试验程序

7.2……………4

最终检测

7.3……………4

规定细节

8…………………4

附录资料性预测特定条件下光通量和辐射通量的衰减

A()…………6

硫化氢腐蚀试验与室内腐蚀类别的对应关系

A.1……………………6

本腐蚀试验结果与现场环境腐蚀的对应关系示例

A.2()……………6

附录资料性银试验样品质量增加测试方法

B()………8

目的

B.1…………………8

方法

B.2…………………8

银试验样品

B.3…………………………8

如何放置银试验样品

B.4………………8

附录资料性监测腐蚀用的银试验样品

C()……………9

试验样品

C.1……………9

制备

C.2…………………9

附录资料性测试环境中气体浓度设定

D()……………10

概述

D.1…………………10

各种气体浓度没有规定范围的原因

D.2………………10

实际试验的应用

D.3……………………10

参考文献

……………………11

Ⅰ

GB/T1565113—2026/IEC60747-5-132021

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已经发布了以下部分

GB/T156515-13。GB/T15651:

半导体器件分立器件和集成电路第部分光电子器件

———5:(GB/T15651—1995);

半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件基本额定值和特性

———5-2:(GB/T15651.2—

2003);

半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件测试方法

———5-3:(GB/T15651.3—2003);

半导体器件分立器件第部分光电子器件半导体激光器

———5-4:(GB/T15651.4—2017);

半导体器件第部分光电子器件光电耦合器

———5-5:(GB/T15651.5—2024);

半导体器件第部分光电子器件发光二极管

———5-6:(GB/T15651.6—2023);

半导体器件第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管

———5-7:(GB/T15651.7—2024);

半导体器件第部分光电子器件封装的硫化氢腐蚀试验

———5-13:LED(GB/T15651.13—

2026)。

本文件等同采用半导体器件第部分光电子器件封装的硫化

IEC60747-5-13:2021《5-13:LED

氢腐蚀试验

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

全文将浓度单位更改为-6

———“ppm”“10vol/vol”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口

。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院广东省凯诺标准检测有限公司浙江智菱科技有限

:、、

公司华南理工大学杭州英诺维科技有限公司广州赛西标准检测研究院有限公司鸿利智汇集团股份

、、、、

有限公司广东金鉴实验室科技有限公司

、。

本文件主要起草人杨旭东张玉芹刘秀娟吴杜雄许子愉李宗涛李俊凯李家声吕天刚

:、、、、、、、、、

林凯旋

。

Ⅲ

GB/T1565113—2026/IEC60747-5-132021

.:

引言

是半导体光电子器件的系列标准主要规定了光电子器件的总体要求基本额定值和

GB/T15651,、

特性测试方法半导体激光器光电耦合器发光二极管光电二极管和光电晶体管等器件的技术要求

、、、、、、

质量保证规定等内容拟由以下个部分构成

,13。

第部分光电子器件目的在于给出半导体光电子发射器件半导体光敏元器件内部工作

———5:。、、

机理与光辐射有关的半导体器件和分类型器件的标准

。

第部分光电子器件基本额定值和特性目的在于给出半导体光电子发射器件半导体

———5-2:。、

光电探测器件半导体光敏器件内部进行光辐射工作的半导体器件及分类为光电子器件的基

、、

本额定值和特性用于光纤系统或子系统的除外

,。

第部分光电子器件测试方法目的在于给出光电子器件的测试方法用于光纤系统或

———5-3:。,

子系统的除外

。

第部分光电子器件半导体激光器目的在于给出半导体激光器的基本额定值特性和

———5-4:。、

测试方法

。

第部分光电子器件光电耦合器目的在于给出光电耦合器的术语基本额定值特性

———5-5:。、、、

安全试验及测量方法

。

第部分光电子器件发光二极管目的在于给出发光二极管的术语额定值和特性测

———5-6:。、、

试方法和质量评估方法

。

第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管目的在于给出光电二极管和光电晶体

———5-7:。

管的术语基本额定值和特性以及测量方法

、。

第部分光电子器件发光二极管光电效率的试验方法目的在于给出发光二极管的

———5-8:。

光电效率试验方法

。

第部分光电子器件发光二极管基于温度相关的电致发光的内量子效率测试方法

———5-9:。

目的在于给出发光二极管的内量子效率测试方法

。

第部分光电子器件发光二极管基于室温参考的内量子效率测试方法目的在于给

———5-10:。

出发光二极管基于室温的内量子效率测试方法

。

第部分光电子器件发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法目的在于给出发光

———5-11:。

二极管的辐射和非辐射电流的测试方法

。

第部分光电子器件发光二极管效率的测试方法目的在于给出效率的

———5-12:LED。LED

测试方法

。

第部分光电子器件封装的硫化氢腐蚀试验目的在于给出封装的硫化氢

———5-13:LED。LED

腐蚀试验

。

Ⅳ

GB/T1565113—2026/IEC60747-5-132021

.:

半导体器件第5-13部分光电子器件

:

LED封装的硫化氢腐蚀试验

1范围

本文件为评价因硫化氢导致的发光二极管封装银和银合金变色提供了一种加速试验方法

(LED),

目的是确定银和银合金变色对封装光通量和辐射通量维持率的影响提供相关信息此外该试验

LED。,

方法能够为封装的电性能因受到银和银合金腐蚀的影响提供相关信息

LED。

试验的目的是确定硫化氢气体对封装材料的影响

LED:

银或银合金

———;

有其他保护层的银或银合金

———;

用银或银合金覆盖的金属

———。

本文件不包含因其他因素退化导致的光通量维持率辐射通量维持率和电性能例如铜或硅酮部

、(,

件的降解变化

)。

本文件仅适用于照明应用的封装

LED。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件