CN114447217B 半导体结构及其制作方法 （联华电子股份有限公司）

US2007246782A1,2007.10.25电极以及一电阻转换层位于该上电极以及该下2帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该部分，且在该半导体结构未经初始化的状态下该上半部分与该下半部分所包含的应力不4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该上电极的水平宽度小于该下电极的水平且该交界在水平方向上与该电阻式随机存取存储器的该电形成电阻式随机存取存储器于该基底上，该电阻式随机存取存储器包电极以及电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间，其中该电阻转换层包含金属氧化形成帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层13.根据权利要求9所述的形成方法，其中该上半部分与该下半部分之间包含有交界，且该交界在水平方向上与该电阻式随机存取存储器的该电318.根据权利要求17所述的形成方法，其中该第一次离子掺杂步骤以及该第二次离子4[0002]电阻式随机存取存储器(Resistiverandomaccessmemory,RRAM)具有简单结存储器外的帽盖层进行离子掺杂，在帽盖层内部形成应力梯度(也就是应力随着不同位置5属层间介电层(IMD)的其中一层，导线与接触结构104则例如是位于IMD中的导线或是导电[0030]电阻式随机存取存储器100位于介电层102上并且与接触结构104电连接。一般来6铪氧化合物(hafniumsiliconoxide，HfSiO4)、硅酸铪氮氧化合物(hafniumsilicon氧化钽(tantalumoxide，Ta2O5)、氧化钇(yttriumoxide，Y2O3)、氧化锆(zirconium2siliconoxide，ZrSiO4)、锆酸铪(hafniumzirconiumoxide，HfZrO4)、锶铋钽氧化物(strontiumbismuthtantalate,SrBi2Ta2OPbZrxTi1-xO3,PZT)、钛酸钡锶(bariumstrontiumtita[0031]另外，除了上述材质之外，电阻式随机存取存储器100也可能包含有更多层材料式随机存取存储器100的上电极114的宽度(图1中所标示的宽度W1)将会小于下电极110的得下电极110与电阻转换层112之间形成一凹陷缺而从Forming之后发生改变阻值的现象，若是从高阻态到低阻态的过程称之为设定(SET)，存储器上半部(例如电阻转换层水平中线上方)的帽盖层容易呈现压力(compressive过调整帽盖层的应力来精细地调整电阻式随机存取存储器的特性(例如增加氧原子的迁移7在帽盖层120内形成应力梯度(stressgradient)，也就是应力随着位置而逐渐改变的结第一次离子掺杂步骤P2过程中收集更多的掺杂离子，因此在电阻式随机存取存储器100的子掺杂步骤P3进行后，帽盖层120的上半部将会转换为压力，而帽盖层120的下半部分124料公司推出的碳搀杂氧化硅的低介电系数材料)、MSQ(methylsilsesquioxane)等、多孔中形成接触结构132，其中接触结构132与电阻式随机存取存储器100的上电极114电连接。式随机存取存储器100位于基底上，包含有一上电极114、一下电极110以及一电阻转换层8[0046]在本发明的一些实施例中，其中上半部分122与下半部分124之间包含有一交界随机存取存储器外的帽盖层进行离子掺杂，在帽盖层内部形成应力梯度(也就是应力随着[0054]以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修