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文档简介

5微纳米烧结银膏材料GB/T4339-2008金属材料热膨胀特征参数的测定GB/T4937.19-2018半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度GB/T6680-2003液体化工产品采样通则GB/T17473.1-2008微电子技术用贵金属浆料测试方法固体含量测定GB/T17473.2-2008微电子技术用贵金属浆料测试方法细度测定GB/T17473.5-2008微电子技术用贵金属浆料测试方法粘度测定闪光法测量热扩散系数或导热系数精细陶瓷密度和显气孔率试验方法无损检测弹性模量和泊松比的超声测量方法6通过加热或加热加压等条件使银膏中的粉体产生从物理接触到冶金连接的颗粒粘5~30Pa.sAir/N2，100~150℃/30min，230~280℃/10~30MPa/4~10锡膏的流动性，颗粒分布包括微米级与纳米级，银颗粒混合有机挥发物在高温下分解，可能释放微量挥发性有机物（VOCs），烧结完成后无7在常温下，通过表面活性剂和有机溶剂可实现储存稳烧结银膏烧结前和烧结后各项指标的检测均应在温度15℃~35℃,相对湿度）；8“l”—探针间距，单位为厘米（cm）；）；“I”—测得的电流，单位为安培（A）；进行；银膏烧结薄膜的厚度按GB/T11378-2将待测烧结银膏制备成符合GB/T22588-2008、YS/T12规定的试样结构。推荐所制备的试样表面粗糙度Ra不大于10μm，端面间的不平行度小λ=α·Cp·p…………….(2)—热扩散系数，单位为平方米每秒（m2/s）；—体积密度，单位为千克每立方米（kg/m3）；烧结后热扩散系数的测定按GB/T22588-2008第10、11条的规定进行；烧结后比热容的测定按YS/T1256-2018的规定进行；烧结后体积密度的测定按GB/T25995-2010第7烧结后杨氏模量的测试试样制备方法同5.3.2，测试按GB/T38897-2020第7条第5款9产品取样方法按GB/T市6680-201△△2△△3△△4△—5△△6△—7△8△—b)主要原料的批号、型号、供货厂家等有变更每批次烧结银膏在出厂之前均应由供方的质量监督检验部烧结银膏的金属银含量检验结果与本规范(或订货合同)的规定制备微纳米烧

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