CN115421226B 一种硫系玻璃光学元件及其制备方法 （有研国晶辉新材料有限公司）_第1页
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文档简介

JP2000034557A,2000m和8_12μm波段范围内的平均透过率都超过2层膜和所述第八层膜均为ZnS膜，所述第三层膜、所述第五层膜和所述第七层膜均为YbF3采用电子束蒸发法在所述基底的一个表面上依次镀制第一至第八层膜；镀制完成后，采用相同工艺在所述基底的另一表面上依次镀制第一至第八层膜，得到硫系玻璃光学元4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，烘烤温度为100℃~150℃,烘烤时间7.根据权利要求2或3所述的制备方法，为90℃~150℃,同时开启离子源进行轰击。9.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征3[0010]在一些实施例中，所述基底上下表面的膜系结构均可为：Sub/x1H1/x2H2/x3L/度的所述ZnSe膜，H2代表1/4波长光学厚度的所述ZnS膜，L代表1/4波长光学厚度的所述14基底装入镀膜套环中，再将所述基底和所述镀膜套环一起放到所述真空室的行星工件架56[0042]本发明通过过渡层选择、膜系设计及工艺优化等手段在硫系玻璃基底上实现了[0057]S1.选择硫系玻璃As40Se60(牌号GG6)为基底，膜系设计为：Sub/0.521H1/0.703H2/0.613L/0.055H2/0.018L/0.093H2/0.085L/0.009H2/Air，其中H1代表1/4波长光7[0067]①高低温试验，在‑50℃和65℃下各保持2h，其中65℃时湿度为95循环24个周0.703H2/0.613L/0.055H2/0.018L/0.093H2/0.085L/0.009H2/Air，其中H1代表1/4波长光8[0083]①高低温试验，在‑50℃和65℃下各保持2h，其中65℃时湿度为95循环24个周任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，

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