DB31+792-2026硅单晶棒及单晶硅片单位产品能源消耗限额

ICS27.010CCSF1031代替DB31/792—2020DB31/792—2026本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件代替DB31/792—2020《硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额》，与DB31/792—2020相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：——更改了“标准名称”，由原《硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额》改为《硅单晶棒及单晶硅片单位产品能源消耗限额》；——更改了“范围”，删除了硅单晶研磨片的要求（见第1章和2020年版的第1章——更改了“术语和定义”，删除了可比硅片产量、硅单晶、硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片的术语，增加了硅单晶棒、单晶硅抛光片、单晶硅外延片、产能利用率的术语（见第3章和2020年版的第3章）；——更改了能源消耗限额等级名称，由“先进值、准入值、限定值”更改为“1级、2级、3级”；删除了硅单晶研磨片产品的能耗等级限额；增加了直径200mm、直径300mm硅单晶棒及单晶硅抛光片和单晶硅外延片单位产品的能耗限额等级；重新规定了直径150mm硅单晶棒、单晶硅抛光片和单晶硅外延片单位产品的能耗等级（见第4章和2020年版的第4章）；——更改了能耗统计范围的要求、产品综合能耗计算公式、及单位产品能源消耗修正值计算方法（见第6章和2020年版的第5章——删除了“节能降耗导向”章节内容（见2020年版第6章）；——增加了常用能源品种折标准煤参考系数、电力和热力折标准参考系数、及耗能工质折标准煤参考系统（见附录A和2020年版的附录A）。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由上海市发展和改革委员会、上海市经济和信息化委员会共同提出；由上海市经济和信息化委员会组织实施。本文件由上海市能源标准化技术委员会归口。本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为：——2014年首次发布为DB31/792—2014，2020年第一次修订；——本次为第二次修订。DB31/792—2026硅单晶棒及单晶硅片单位产品能源消耗限额本文件规定了硅单晶棒及单晶硅片单位产品能源消耗限额的技术要求、统计范围、计算方法及节能降耗导向。本文件适用于半导体级硅单晶棒和单晶硅片（包括单晶硅抛光片、单晶硅外延片，以下统称“单晶硅片”）生产企业单位产品能源消耗的计算、考核以及对新建项目单位产品能源消耗的控制。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2589综合能耗计算通则GB/T12723单位产品能源消耗限额编制通则GB/T14264半导体材料术语GB17167用能单位能源计量器具配备和管理通则3术语和定义GB/T2589、GB/T12723、GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1硅单晶棒monocrystallinesiliconingot高纯度的多晶硅在单晶炉内用直拉法拉制的圆柱形硅单晶铸锭。3.2单晶硅抛光片monocrystallinesiliconpolishedwafer硅单晶棒经切磨及抛光加工成的表面高平坦度的硅片。3.3单晶硅外延片monocrystallinesiliconepitaxialwafer在单晶硅抛光片上生长一层或多层单晶硅薄膜（外延层）后制成的硅片。3.4产能利用率capacityutilizationrate生产线统计期内的实际产出与设计生产能力之比。4能源消耗限额等级4.1硅单晶棒DB31/792—2026硅单晶棒生产企业单位产品能耗限额等级见表1，其中1级能耗最低。表1硅单晶单位产品能源消耗限额等级4.2单晶硅抛光片硅单晶抛光片生产企业单位产品能源消耗限额等级见表2，其中1级能耗最低。表2单晶硅抛光片单位产品能源消耗限额等级4.3单晶硅外延片单晶硅外延片生产企业单位产品能源消耗限额等级见表3，其中1级能耗最低。表3单晶硅外延片单位产品能源消耗限额等级>100μm>50μm5技术要求5.1硅单晶棒5.1.1现有生产企业硅单晶棒单位产品能源消耗限定值应符合表1中3级的规定。5.1.2新建企业及改扩建项目硅单晶棒单位产品能源消耗准入值应符合表1中2级的规定。5.2单晶硅抛光片DB31/792—20265.2.1现有生产企业单晶硅抛光片单位产品能源消耗限定值应符合表2中3级的规定。5.2.2新建企业及改扩建项目单晶硅抛光片单位产品能源消耗准入值应符合表2中2级的规定。5.3单晶硅外延片5.3.1现有生产企业单晶硅外延抛光片单位产品能源消耗限定值应符合表3中3级的规定。5.3.2新建企业及改扩建目单晶硅外延片单位产品能源消耗准入值应符合表3中2级的规定。6能耗统计范围及计算方法6.1统计范围6.1.1各类产品能源消耗统计范围应包括产品生产系统、辅助系统和附属系统消耗的各种能源量。6.1.2硅单晶棒生产系统包括从原料多晶硅放入石英坩埚内熔化开始到产出合格硅单晶棒为止的各生产系统，包括配料系统，熔化及拉晶系统，切断、开方、滚磨、参考面加工等整形系统。6.1.3单晶硅抛光片生产系统包括从硅单晶棒切割开始到产出合格单晶硅抛光片并进入成品库为止的各生产系统，包括晶棒切片系统，研磨系统，腐蚀系统，抛光系统和包装系统。6.1.4单晶硅外延片生产系统包括从单晶硅抛光片放入外延炉长晶开始到产出合格外延片并进入成品库为止的各生产系统，包括外延生长系统，清洗系统，包装系统。6.1.5辅助系统主要为辅助正常生产完成所需的设备设施。包括生产所需的风、油、水、气（压缩空气、氢气、氧气、氮气等）等系统，环保系统，仪器仪表等。6.1.6附属系统主要为生产过程提供服务所需的设备设施。包括检测、汽车倒运、维修、厂区食堂、行政管理等。6.1.7各系统使用的耗能工质消耗的能源应纳入综合能耗计算范围，制造该工质的原料不计入计算范6.1.8能源消耗的原始数据应符合GB/T2589的要求；能源计量器具的配备应符合GB17167的要求。6.2计算方法6.2.1产品综合能耗产品综合能耗按公式（1）计算：EZ=Σ(Mi×ki)+EFZ+EFS··········································(1)EZ——某种产品综合能耗，单位为千克标准煤（kgce）或吨标准煤（tce）；i——第i类能源；立方米（m3ki——第i种能源的折标准煤系数；EFZ——统计报告期内分摊的辅助系统能耗；单位为千克标准煤（kgce）或吨标准煤（tceEFS——统计报告期内分摊的附属系统能耗；单位为千克标准煤（kgce）或吨标准煤（tce）。6.2.2硅单晶棒单位产品能源消耗DB31/792—2026硅单晶棒单位产品能源消耗按公式(2)计算：e=····························································(1)e——统计报告期内硅单晶棒单位产品能源消耗，单位为吨标准煤每吨（tce/tE——统计报告期内硅单晶棒产品综合能耗，单位为吨标准煤（tce）；P——统计报告期内合格硅单晶棒产品产量，单位为吨（t）。6.2.3单晶硅片单位产品能源消耗单晶硅片单位产品能源消耗按公式（3）计算：ez=··························································(1)ez——统计报告期内第z类单晶硅片单位产品能源消耗，单位为千克标准煤每千片（kgce/kEZ——统计报告期内第z类单晶硅片综合能源消耗，单位为千克标准煤（kgcePZ——统计报告期内第z类合格硅片产品产量，单位为千片（kz——第z类硅片产品。6.3多种产品能耗计算同时生产多种产品的企业或生产线，应按每种产品实际消耗的能源单独计算。当无法分别对每种产品计量共用的能源消耗量时，应按GB/T2589的规定按产量与能源消耗量的比例进行分摊计算。6.4能源折算系数取值原则能源的低位发热量和耗能工质的耗能量，按实测值或供应单位提供的实测数据折算标准煤。无法获得实测值的，其折标准煤系数可参照国家统计局公布的数据或参考附录A。6.5单位产品能源消耗修正值计算6.5.1能耗计算修正系数产能利用率下的能耗计算修正系数见表4。表4单位产品能源消耗计算修正系数90<α≤8080<α≤7070<α≤6060<α≤5050<α≤4040<α≤306.5.2单位产品能源消耗修正值计算当企业或生产线产能利用率低于90%且高于等于30%时，单位产品能源消耗按公式（4）计算。eZ,X·························································(1)DB31/792—2026eZ,X——统计报告期内第z类产品（硅单晶棒或抛光片或外延片）单位产品能源消耗修正值，单位为吨标每吨（tce/t），千克标准煤每千片（kgce/k）；eZ——统计报告期内第z类产品（硅单晶棒或抛光片或外延片）单位产品综合能源消耗计算值，单位为吨标煤每吨（tce/t），千克标准煤每千片（kgce/k）；ηZ——统计报告期内第z类产品修正系数；z——第z类产品。DB31/792—2026（资料性）常用能源品种参考折标准煤系数和耗能工质参考能源等价值A.1常用能源品种的折标准煤参考系数如