AI行业市场前景及投资研究报告：AI产业端云并进趋势

证券研究报告|

2026-2-25目录01.

AI驱动先进逻辑和存储需求增长02.

国内模型迭代持续，国产算力趋势明确03.

AI服务器架构迭代，驱动AIPCB升级04.

国产算力核心配套，看好先进封装05.

风险提示2本人有

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每月1000元先进逻辑：AI芯片需求旺盛，为国产先进制程带来机遇晶圆代工需求持续增长晶圆代工厂不断扩大资本开支规模p

人工智能算力需求快速增长带动下，全球晶圆代工行业持续景气。Ø

据智库P&Sintelligence估计，全球晶圆代工市场2024年的市场规模为1556亿美元，预计2032年将增长至2683亿美元。台积电预测，其2024至2029年来自AI大芯片领域的营收年复合增长率(CAGR)有望接近50%。Ø

GPU芯片生产需消耗大量的晶圆代工产能。GPU芯片的面积相比手机SOC和CPU更大，以面积约为810平方毫米的H100为例，单晶圆上的最大芯片数量仅约为65个，而且受制于晶圆生产工艺的单位面积良率制约，实际良品GPU芯片的数量更少。为满足不断增长的需求，台积电已将用于产能扩张的预计资本支出金额，上调至2026年的520-560亿美元。资料

：P&S

intelligence，trendforce，财通证券研究所3存储

：训练侧+推理侧绕不开的核心环节p

在模型训练过程中，HBM、DRAM与

NAND分别承担计算态、调度态与存储态的不同角色。p

HBM作为GPU的高带宽工作内存，直接参与模型前向与反向计算，是算力发挥的必要条件；p

DRAM位于CPU侧，主要用于数据加载、预处理与缓存，起到解耦I/O与计算、提升GPU利用率的作用；p

而NAND则承担训练数据集与模型Checkpoint的长期存储任务，其核心价值在于提供大容量、低成本的存储基础。p

三者构成分层协同关系，缺一不可，且在功能上难以相互替代。p

在模型推理过程中，HBM、DRAM与

NAND构成分层协同的存储体系。p

HBM作为GPU的高带宽工作内存，主要承载对延迟极度敏感的热计算态数据；p

DRAM用于缓冲与调度非最热状态，显著提升系统并发能力；p

长上下文与高并发推理导致KVCache规模快速膨胀，推理系统通过分层存储架构将容量压力从HBM/DRAM下沉至

NVMeSSD层。DRAM合约价涨幅预测l

消费级：智能手机端

DDR4率先开涨，DDR5x价格后续涨幅有望跟进。l

数据中心：涨幅大，持续性更强。4Q25-1Q26存储器价格预测资料：Trendforce，财通证券研究所5国产半导体设备有望受益于先进逻辑、存储扩产芯片生产流程全球半导体设备规模持续增长Ø

SEMI估计，2025年全球半导体制造设备原始设备制造商（OEM）销售额预计将达到1330亿美元，同比增长13.7%，创下历史新高。其中，Foundry与逻辑芯片相关设备，2025年销售额约同比增长9.8%，达666亿美元；NAND闪存产线相关设备，2025年销售额有望大幅增长45.4%，达140亿美元。DRAM设备2025年销售额预计增长15.4%，至225亿美元。Ø

展望未来，全球半导体设备销售额有望在2026年和2027年继续攀升，分别达到1450亿美元和1560亿美元。中国大陆有望继续保持第一大半导体设备市场的地位，为国产半导体设备、零部件、材料企业带来旺盛的需求。着眼于防范海外供应链风险，国内主要晶圆厂的半导体设备国产化率有望实现稳步提升。资料

：NUHenterprise，prnewswire，SEMI财通证券研究所6目录01.

AI驱动先进逻辑和存储需求增长02.

国内模型迭代持续，国产算力趋势明确03.

AI服务器架构迭代，驱A动IPCB升级04.

国产算力核心配套，看好先进封装05.

风险提示7国产模型商业化落地加速，推理侧算力需求提升p

大量模型侧更新将加速驱动模型整体商用进度。2026年，国产大模型迭代加速，春节前后国产模型进入发布窗口期，DeepSeek开源OCR2，Kimi发布并开源K2.5，阿里Qwen3-Max-Thinking，百度文心5.0等重量级模型接连发布。此外字节在2月推出三款全新的AI模型，分别为豆包2.0（新一代旗舰大语言模型）、Seedream5.0（图像生成模型）以及SeedDance2.0（视频生成模型），另外阿里同样在春节假期间发布新一代旗舰AI模型Qwen3.5。p

国产模型快速迭代抢占用户AI交互入口，交互方式也正在被塑造，对应推理侧算力需求有望迎来加速提升。中文大模型加速迭代推出豆包模型tokens消耗量快速提升60504030201005016.440.122024-052024-122025-052025-12豆包日均token消耗量（万亿）资料

：火山引擎公众号，36Kr，财通证券研究所8云商CAPEX持续上调，国产算力走向超节点和系统化p

根据金融时报2025年12月23日报道，字节已初步规划2026年资本开支1600亿元，高于2025年约1500亿元。此外阿里在2025年云栖大会表示，正在积极推进3年3800亿元的AI基础设施建设计划。云厂商capex持续投入奠定国产算力需求基础。同时，2026年也是推理侧国产超节点上量元年，目前已有大量国产厂商发布新一代超节点方案。

Atlas950/960，搭载8192/15488张算力卡，曙光scalex640、沐曦、昆仑芯、阿里磐久等均有超节点布局。供需两侧双向奔赴，产业链即将迎来放量时点。CloudMatrix384超节点CloudMatrix384与英伟达NVL72性能对比单芯片层面性能指标单位GB2002,500Ascend910C780vs英伟达BF16dense

TFLOPSTFLOPS0.3xHBMcapacityHBMbandwidthGBTB/s1928.01283.20.7x0.4xScaleUpBandwidthScaleOutBandwidthGb/suni-diGb/suni-di7,2004002,8004000.4x1.0x系统层面性能指标单位GB200NVL72180CloudMatrixCM384300vs英伟达BF16densePFLOPSPFLOPS1.7xHBMcapacityHBMbandwidthTBTB/s13.857649.21,2293.6x2.1xScaleUpBandwidthScaleUpDomainSizeGB/suni-diGPUs518,400721,075,2003842.1x5.3x5.3x4.1x2.5xScaleOutBandwidthGB/suni-diW28,800145,0000.81153,600599,8212.00All-InSystemPowerAll-inPowerperBF16denseFLOPW/TFLOPAll-inPowerpermemorybandwidthAll-inPowerpercapacityW

per

TB/skW/TB251.710.5488.112.21.9x1.2x资料

：

，semianalysis，财通证券研究所9大厂自研ASIC趋势明确p

伴随推理侧需求快速提升，大厂自研ASIC性价比凸显，推理阶段的算力需求主要用于对输入数据进行高效预测和分类，对计算精度要求较低，但对计算速度、能效和推理成本等要求较高；p

而大厂自研ASIC在有一定量的推理需求支撑下，其定制化的算子和模块设计能针对特定任务进行优化，相较于通用加速芯片能够更加适配各家厂商模型需求，显著降低TCO。大厂自研ASIC

Roadmap以谷歌TPU为例，TCO更低GB200

NVL72(Spectrum)GB300

NVL

72(Spectrum)TPU

v7

-

3D

Torus

-InternalTPU

v7

-

3D

Torus

-ExternalChipUnitCustomer

ProfileHyperscalerHyperscalerHyperscalerNeocloud

GiantsTotal

Cost

per

Unit

perHourUSD/hr/GPU$2.28$2.73$1.28$1.60CapitalCostas%ofTotalOwnershipCost%77.40%79.00%72.70%72.70%MarketedTFLOPS(BF16)MarketedTFLOPS(8Bit)MarketedTFLOPS(FP4)¹TFLOPSTFLOPSTFLOPS2,5005,0002,5005,0002,3074,6144,6142,3074,6144,61410,00015,000MemoryBandwidthperLogicalGPUMemoryCapacityMarketedTFLOPS(FP8)/MemoryBandwidthTB/sGB887.6167.632192625288625TFLOPS/TB/s609609TCOperMarketedBF16DensePFLOPTCOperMarketed8BitDensePFLOPTCOperMarketedFP4DensePFLOP¹TCOperMemoryBandwidth$/hrperPFLOP$/hrperPFLOP$/hrperPFLOP$/hrperTB/s$0.91$0.46$0.23$0.28$11.87$1.09$0.55$0.18$0.34$9.47$0.56$0.28$0.28$0.17$6.67$0.69$0.35$0.35$0.21$8.33TCOperMemoryCapacity$/hrperTB资料

：AGM，semianalysis，财通证券研究所10目录01.

AI驱动先进逻辑和存储需求增长02.

国内模型迭代持续，国产算力趋势明确03.

AI服务器架构迭代，驱动AIPCB升级04.

国产算力核心配套，看好先进封装05.

风险提示11Rubin

架构演进：互联创新带来PCB升级AI

驱动PCB高端化，价值量有望提升英伟达通过GB200系统将GPU全连接拓扑从8个扩展至72个，实现了显著的性能飞跃。后续推出的Rubin架构进一步升级，计划提供多种机柜规格，如CPXNVL144机柜将在计算托盘（ComputeTray）中增加CPX，并采用高端HDI承载，同时以MidplanePCB中板替代内部线缆；交换托盘（SwitchTray）也应用高多层、高性能材料，推动PCB价值量大幅提升。此外，英伟达在2025年GTC上展示的RubinUltra极端Kyber机架架构可扩展至144个GPU组件（576个芯片），其密度达到GB200NVL72机架的四倍。这种高度集成化设计在提升性能与空间效率的同时，也将制造的复杂程度推向新的高度。正交背板有望采用超高多层+M9材料等高规格设计，对工艺要求较高，价值量有望实现较大幅度提升。12数据

：SemiAnalysis官网，财通证券研究所AI覆铜板材料：围绕电子布、铜箔、树脂、耗材进行升级AI服务器技术升级对覆铜板材料要求提高。GPU用量的提升以及GPU技术升级、多卡互联等要求PCB层数从以往的8~24层提升至28~46层，同时也催生更低损耗等级的覆铜板需求。通用服务器常用的LowLoss级别已经不能满足高速传输速率的要求，需要使用到VeryLowLoss，以及UltraLowLoss材料以降低信号传输损耗。随着Rubin平台渐行渐近，M9材料需求有望增加。铜箔树脂钻针低介电

/Q

布PCB技术升级（如M9等高硬度材料）使钻针磨损急剧加速、寿命大幅缩短，同时因加工要求提升而单价上涨，推动钻针环节量价齐升。目前该领域供不应求，具备技术和产能优势的龙头厂商将核心受益。HVLP4等高阶铜箔的需求激增，推动产品加工价格上涨；目前市场由日企主导，但国内厂商正加速技术研发与产能建设以抢占市场。新型碳氢树脂已成为M9等顶级覆铜板材料的主流迭代方向，其使用比例和价值量大幅提升；目前该领域由海外企业主导，但国内厂商正加速扩充产能以推动国产化进程。低介电常数电子布需求大增，其技术正从LowDK一代布、二代布向性能更极致的石英电子布（Q布）快速演进。后者因其极低的介电损耗等优异特性，有望成为下一代高端材料（如M9）的核心基材。13数据：联茂电子官网，金洲精工科技公众号，财通证券研究所传统覆铜板：原材料成本涨价传导铜箔树脂铜箔作为覆铜板最大的成本构成，其价格走势主要受大宗商品铜价主导。受全球矿端供应扰动及需求回暖影响，铜价震荡上行，2025年，宏观流动性宽松与矿端供应紧缺共振，推动铜价中枢显著上移。铜价运行重心有望进一步抬升。传统液体环氧树脂的价格在成本线附近呈现区间震荡态势，2025年较前期低位温和回升。其价格走势主要受上游原料（如环氧氯丙烷）成本变动驱动，但因行业本身产能原因，整体价格维持平稳。玻纤覆铜板受消费电子需求复苏和AI算力对高端材料需求的双重驱动，叠加原材料成本持续高企，覆铜板行业正通过顺畅的价格传导机制进行多轮提价，这有望显著提振覆铜板公司营收并驱动未来业绩持续修复。传统电子纱及电子布各产品均货源紧俏，下游节前提货积极性尚存，需求支撑较强。后续高端产品供不应求状态持续，价格存持续上涨预期，传统电子布供需或继续趋紧，价格仍延续跟涨预期。数据：wind、建滔积层板公司公告，财通证券研究所14目录01.

AI驱动先进逻辑和存储需求增长02.

国内模型迭代持续，国产算力趋势明确03.

AI服务器架构迭代，驱动AIPCB升级04.

国产算力核心配套，看好先进封装05.

风险提示15AI芯片需求爆发，先进封装迎重大发展机遇•

在算力需求的持续推动下，AI芯片市场规模与占比不断增长。根据TrendForce的预计，从AI芯片在整个先进工艺中的产能占比来看，2022年的占比仅有2%，2024年预计将会达到4%，预计到2027年占比将会达到7%，其对整个晶圆代工产业的产值贡献正在快速增长。据弗若斯特沙利文预测，中国AI芯片市场规模将从2024年的1425.37亿元激增至2029年的1.34万亿元，2025-2029年年均复合增长率53.7%。•

在AI大模型、数据中心、智能驾驶、高端消费电子设备、创新性终端等的强势需求下，全球先进封装产业正迎来前所未有的发展机遇。目前，从凸块、重布线层等基础互连工艺出发，逐步扩展至倒装芯片、晶圆级封装以及2.5D/3D立体堆叠等先进方案，已构建起涵盖异构集成与高密度互连的全方位技术架构。根据Yole数据，全球先进封装市场规模将从2024年的约450亿美元大幅跃升至2030年的约800亿美元，展现出强劲的增长动能。在众多技术路径中，2.5/3D封装技术将以21.71%的复合年增长率（2023-2029）快速发展，成为推动整个行业技术迭代升级的核心引擎。•

CoWoS是AI芯片的核心适配方案。作为台积电主导的2.5D封装技术，CoWoS将HBM存储器与逻辑芯片物理紧邻堆叠在中介层上，距离仅数十微米，显著缩短数据传输距离，带宽可达传统封装的数倍以上，直接提升AI训推速度；同时支持不同制程、功能芯片的异构封装，兼顾性能与成本，还能优化高功率AI芯片的热管理、压缩封装尺寸，搭配低热膨胀系数匹配保障信号完整，精准契合AI芯片的高算力、高效能需求最新的CoWoS-S5技术已将中介层面积拓展至2400mm²，支持8颗HBM3内存与2颗SoC芯片集成，内存带宽高达5.3TB/s。CoWoS作为高端AI芯片的核心先进封装技术，已是AI半导体供应链的关键瓶颈，2020-2030AI芯片市场规模及预测（十亿美元）先进封装市场规模（亿美元）16资料

：弗若斯特沙利文，Yole，财通证券研究所先进封装供不应求，全球大厂加速扩产••AI芯片需求井喷，先进封装供不应求。据《日报》报道，在6月6日的台积电股东常会上，公司表示AI订单需求突然增加，先进封装需求远大于现有产能，公司被迫紧急增加产能。英伟达等HPC客户订单旺盛，客户要求台积电扩充CoWoS产能，导致台积电先进封装CoWoS产能吃紧，缺口高达一至二成。面对产能缺口，台积电正积极扩产以应对新一轮需求浪潮。根据半导体产业纵横数据，目前台积电的CoWoS封装产能大概在每月3.5万片晶圆，约占总收入的7%到9%，到2026年末，月产能将进一步扩大至超过每月9万片晶圆，2022-2026年台积电CoWoS封装产能大概以50%的复合年增长率增长。台积电2026年资本开支创纪录，先进封装成战略布局核心。台积电在2025Q4绩后法说会上将2026年资本支出上调至最高560亿美元，较2025年实际支出的409亿美元大幅增长37%，创下历史新高，同时先进封装在其资本开支中的占比达10%-20%，凸显出先进封装在台积电布局中的战略重要性。此外，台积电自身财务状况充裕，具备持续投入的能力，预计未来三年资本支出将明显高于过去三年的1010亿美元，重点支撑AI需求与全球先进制程产能扩张。CoWoS客户需求及预测（’000wafers）CoWoS产能及预测（WPM）资料：SEMIVISION，KGIestimates，半导体行业观察，半导体产业纵横，未来半导体，半导体国产化，财通证券研究所17封测进入高景气周期，头部厂商涨价浪潮已至•国科微电子、中微半导等接连发布涨价通知，涨价原因明确包含封测费用等成本的持续上涨，封测厂商亦已开启涨价浪潮。据半导体产业纵横，行业龙头日月光的封测报价涨幅将从原预期的5%–10%上调至5%–20%。据半导体产业纵横数据，中国台湾封测厂如力成/华东/南茂等也已启动首轮涨价，涨幅接近30%。行业内厂商称不排除“第二波涨价”评估，封测服务价格中枢持续抬升。本轮封测行业涨价的核心逻辑，在于供需端的结构性错配，叠加黄金、白银、铜等封装核心原材料价格上涨的双重驱动。需求端，数据中心扩容直接提振DDR4、DDR5及NAND芯片的采购需求，而三星、SK海力士等存储巨头为全力扩产HBM大幅倾斜产能，标准型DRAM、NAND芯片的产出因此被持续挤压，旧规格产品供给快速趋紧，进一步推升了国内封测需求；同时工业控制领域完成库存去化后订单稳步恢复，消费电子虽疲软但刚性需求仍在。多领域需求形成共振，共同夯实了封测行业的需求基础。而封测行业作为典型的重资产赛道，整体产能供给难以在短期内匹配需求端的快速增长，供需缺口持续扩大，成为本轮封测涨价的关键支撑。国科微电子、中微半导、必易微、士兰微涨价通知函资料：国际电子商情，财通证券研究所18先进封装工艺不断升级，技术壁垒高筑•

为配合AI需求和芯片制程的演进，先进封装技术也在不断延伸和迭代中。目前先进封装的主要特征包括：从封装元件概念演变为封装系统、平面封装（MCM）向立体封装（3D）发展、倒装/TSV硅通孔/混合键合成为主要键合方式等。•

整体来看，不管是单芯片（芯片级封装）内部的工艺优化、还是多芯片（系统级封装）协同和堆叠集成上，先进封装都在快速发展中，其主要的发展趋势有两个方向：（1）小型化：从平面封装向2.5D/3D立体封装的转变，控制封装体厚度能够更好地适配便携设备微型化的需求；（2）高集成：通过三维堆叠和异构集成等技术，能够将多个芯片或不同功能的器件集成在一个封装体内，提高集成度和数据传输速度。•

在互联方式上，先进封装的实现核心依托凸块工艺（Bumping）、重布线技术（RDL）、硅通孔技术（TSV）、混合键合（Hybrid

Bonding）等核心互联技术，这类技术均属于工艺要求严苛的中道工艺，多技术的协同应用让先进封装的整体制造工艺复杂度大幅提升，也铸就了较高的行业技术壁垒，而高壁垒也使得先进封装产品具备更高的定价空间，因此普遍拥有更高的盈利能力。半导体封装路线与技术架构半导体封装类别基板型封装内部封装外部封装BGA焊球阵列封装目前最主流的封装方案之一。BGA采用表面封装技术，在印刷基板背面按陈列方式制作球形凸点，以代替引脚。有无焊线传统封装基板型封装指主要封装过程发生在基板上的方案。基板作为基板型封装的载体，为芯片提供电连接、保护、支撑和散热功能。受到电、热、尺寸、功能及成本的综合驱动，基板向着薄厚度、高散热性、精细线路、高集成度、短制造周期等方向发展。多芯片区分传统与先进封装的依据众多。主流依据包括是否使用更高级设计或制程技术、是否提供更高集成度、更小尺寸及更高性能的芯片等。本报告参考《2022年中国集成电路封测行业发展白皮书》，采用“有无焊线”进行划分。互连方式：引线框架WBSiP多芯片组件技MCM在高密度多层互连基板上，采用微焊接、2.5D/3D封装工艺将构成电子电路的各种微型元组装起来，形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品。FCBGA异质集成器件因为采取了先进的倒装FC互连技术替代焊线，所以FCBGA类属于先进封装。先进封装互连方式：Chiplet倒装焊技术——FC硅通孔技术——TSVTO晶体管外形封装DIP双列直插形式封装SOP小外形封装单芯片晶圆级封装WLP工艺流程WLP特点互连基础晶圆级封装是在芯片还在晶圆上时，就对芯片进行封装、保护层黏接、连接电路、晶圆切割等的封装方案。重布线层（RDL）布局传统：晶圆-切割-封装涂覆第二层聚合物薄膜金属层布局植球QFP四角扁平封装CSP芯片尺寸封装涂覆第一层聚合物薄膜芯片上制造凸点向内布线——扇入型WLP：晶圆-封装-切割既可向内又可向外布线——扇出型芯片上制造通孔注：外部封装方案中，浅灰色代表传统封装，浅蓝色代表先进封装。19资料：电子创新网、芯陶官网，SemiConnect，集微咨询《2022年中国集成电路封测行业发展白皮书》，电子工程专辑，微纳研究院，半影光学，财通证券研究所先进封装国产化落地，设备材料迎来新机遇•

先进封装工艺的演进对设备提出更高要求。相较于传统封装，先进封装设备核心差异体现在两大维度：一是传统封装设备持续升级，例如，为适应先进封装更精密的结构需求，贴片机精度显著提升，划片技术从刀片切割转向激光加工，塑封工艺也向压塑演进等；二是新增前道制程设备，由于倒装、RDL重布线层及TSV硅通孔等技术的引入，薄膜沉积、光刻、刻蚀等传统前道装备开始在封装环节应用。•

先进封装技术的发展