CN115915806B 电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备 （北京京东方技术开发有限公司）

US2019348577A1,2019.11.14本发明公开了一种电致发光器件、制造方2在所述电子传输层上形成钙钛矿量子点发光层和空穴传输层；所所述电致发光器件包括第一像素区、第二像素区和第三像素区；所和位于所述第三像素区的MAPbClxBr在所述第一像素区内形成所述MAPbIxBr3-x量子点和层叠在所述MAPbIxBr3-x量子点上的在所述第二像素区内形成所述MAPbBr3量子点和层叠在所述MAPbBr3量子点上的第二空在所述第三像素区内形成所述MAPbClxBr3-x量子点和层叠在所述MAPbClxBr3-x量子点上所述在所述第一像素区内形成所述MAPbIxBr3-x量子点和层叠在所述MAPbIxBr3-x量子点在所述MAPbIxBr3-x量子点上涂布第一空穴传输材料，所述第一空穴传输材料含有光敏曝光位于所述第一像素区内的所述第一空穴传输材料，然后使传输材料溶解，获得位于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的MAPbIxBr3-x量子点，以及位于所述第一像素区并层叠在所述MAPbIxBr3-x量子点上的第一空所述在所述第二像素区内形成所述MAPbBr3量子点和层叠在所述MAPbBr3量子点上的第采用四丁基溴化胺溶液浸泡所述MAPbIxBr3-x量子点，以使未被所述第一空穴传输层层曝光位于所述第二像素区内的所述第二空穴传输材料，然后使用得位于所述第二像素区并层叠在所述MAPbBr3量子点上的第二在所述MAPbIxBr3-x量子点的表面浸泡短链配体溶液，获得修饰有短链配体的3在所述修饰有短链配体的MAPbIxBr3-x量子点上涂布所述第所述MAPbBr3量子点与所述四丁基氯化胺溶液进行卤素交换，获得位于所述第三像素区的曝光位于所述第三像素区内的所述第三空穴传输材料，然后使空穴传输材料进行显影处理，以使位于所述第三像素区以外的所述第三空穴传输材料溶4[0002]发光二极管(Light-EmittingDiode)LED通过电子与空穴复合释放能量发光，目光层和空穴传输层；所述钙钛矿量子点发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之矿量子点发光层包括位于所述第一像素区的MAPbIxBr3-x量子点、位于所述第二像素区的MAPbBr3量子点和位于所述第三像素区的MAPbClxBr3-x矿量子点发光层包括位于所述第一像素区的MAPbIxBr3-x量子点、位于所述第二像素区的MAPbBr3量子点和位于所述第三像素区的MAPbClxBr3-x5[0017]在所述第一像素区内形成所述MAPbIxBr3-x量子点和层叠在所述MAPbI[0018]在所述第二像素区内形成所述MAPbBr3量子点和层叠在所述M[0019]在所述第三像素区内形成所述MAPbClxBr3-x量子点和层叠在所述MAPbCl[0020]可选的，所述在所述第一像素区内形成所述MAPbIxBr3-x量子点和层叠在所述空穴传输材料溶解，获得位于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的MAPbIxBr3-x量子点，以及位于所述第一像素区并层叠在所述MAPbIxBr3-x量子点上的第一空[0025]在所述MAPbIxBr3-x量子点的表面浸泡短链配体溶液，获得修饰有短链配体的[0027]可选的，所述在所述第二像素区内形成所述MAPbBr3量子点和层叠在[0029]在所述MAPbBr3量子点上涂布第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料含有光第二空穴传输材料进行显影处理，以使位于所述第三像素区的所述第二空穴传输材料溶[0031]可选的，所述在所述第三像素区内形成所述MAPbClxBr3-x量子点和层叠在所述[0032]采用四丁基氯化胺溶液浸泡所述MAPbBr3量子点，以使未被所述第二空穴传输层层叠的所述MAPbBr3量子点与所述四丁基氯化胺溶液进行卤素交换，获得位于所述第三像[0033]在所述MAPbClxBr3-x量子点上涂布第三空穴传输材料，所述第三空穴传输材料含6[0041]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚[0045]图2示出了根据本发明实施例提供的包括阳极层、阴极层和空穴注入层的电致发[0047]图4示出了根据本发明实施例提供的在电子传输层上形成MAPbIxBr3-x量子点的示[0048]图5示出了根据本发明实施例提供的使用短链配体溶液浸泡MAPbIxBr3-x量子点的[0050]图7示出了根据本发明实施例提供的在MAPbIxBr3-x量子点上涂布空穴传输材料的[0052]图9示出了根据本发明实施例提供的通过原位卤素交换，将R像素区和B像素区的MAPbIxBr3-x量子点转换为MAPbBr3量子点的示7[0053]图10示出了根据本发明实施例提供的在MAPbBr3量子点上涂布空穴传输材料的示[0056]图13示出了根据本发明实施例提供的在MAPbClxBr3-x量子点上涂布空穴传输材料3-x3量子223是以量子点材料(QuantumDots)为核心的发光结构，量子点包括无机发光中心和表面配8像素区的MAPbClxBr3-x量子点2[0067]空穴传输层3在本实施例中一方面要作为收集和传输空穴的功能层使用，另一方的聚合物分子链之间形成桥键，使产生交联反应的空穴传输层3转变为不溶于或难溶于显使用光刻胶作为Mask，因此解决了在钙钛矿量子点发光层2上残留绝缘光刻胶所导致的空子点23均修饰有短链配体。目前钙钛矿量子点的配体常采用可溶性油酸(OA)或油胺(OAM)9发光层2位于电子传输层1和空穴传输层3之间，空穴传输层3包括与空穴传输层3材料交联钛矿量子点发光层2时可作为掩膜Mask使第一像素区作为RGB像素中的第一种像素(如R)，第二像素区作为RGB像素中的第二种像素[0080]可选的，在电子传输层1上形成钙钛矿量子点发光层2和空穴传输层3实质为对钙[0081]在第一像素区内形成MAPbIxBr3-x量子点21和层叠在MAPbIxBr3-x量子空穴传输层；在第二像素区内形成MAPbBr3量子点22和层叠在MAPbBr3量子点22上的第二空穴传输层；在第三像素区内形成MAPbClxBr3-x量子点23和层叠在MAPbClxBr3-x量子点23上的[0083]那么，在第一像素区内形成MAPbIxBr3-x量子点21和层叠在MAPbIxBr3在MAPbIxBr3-x量子点21的表面浸泡短链配体溶液，获得修饰有短链配体的MAPbIxBr3-x量子穴传输材料进行显影处理，以使位于第二像素区和第三像素区的第一空穴传输材料溶解，素区并层叠在MAPbIxBr3-x量子点21上的第[0090]需要说明的是，空穴传输材料的选材需要结合考虑钙钛矿量子点和交联剂的选二像素区和第三像素区的MAPbIxBr3-x量子点21以及位于第一像素区、层叠在MAPbIxBr3-x量3的油酸或油胺配体替换为MMES(mono-2-(methacryloyloxy)ethylsuccinate,琥珀酸单-2(2-甲基-丙烯酰基)氧-乙基-酯)配体，则可以使其在PGMEA(丙二醇甲醚醋酸[0092]接下来：在第二像素区内形成MAPbBr3量子点22和层叠在MAP处的MAPbIxBr3-x量子点21会因为卤素原位交换转变为MAPbBr3量子得修饰有短链配体的MAPbBr3量子点22；在修饰有短链配体的MAPbBr3量子点22上涂布第二[0098]具体的，在进行原位卤素交换的过程中，位于第二像素区和第三像素区的MAPbIxBr3-x量子点21中的短链配体空穴传输材料之前可再次进行原位配体交换，进一步将MAPbBr3量子点22的长链配体替换像素区并层叠在MAPbBr3量子点22上的[0100]由于第一像素区内的第一空穴传输层和第二像素区内的第二空穴传输层已经与[0101]同理，在第三像素区内形成MAPbClxBr3-x量子点23和层叠在MAPbClxBr叠的MAPbBr3量子点22与四丁基氯化胺溶液进行卤素交换，获得位于第三像素区的一空穴传输层和第二空穴传输层的阻挡下，只有第三像素区的MAPbBr3量子点22会与四丁[0105]可选的，3038的步骤具体包括：在MAPbClxBr3-x量子点23的表面浸泡短链配体溶步将MAPbClxBr3-x量子点23中第三像素区并层叠在MAPbClxBr3-x量子点23上的[0110]本实施例提供了一种电致发光器件的制造方法，通过在钙钛矿量子点发光层2上掩膜版，避免了在钙钛矿量子点发光层2上残留光刻胶所导致的空穴或者电子难以注入钙xBr3-x量子点23；体替换，然后再将3ml的短链配体溶液滴在MAP所示)，从而将MAPbIxBr3-x量子体的MAPbIxBr3-x量子点21的结构示意可参阅图6；配体替换完成后旋干样品。通过将[0128]8)对7)得到的样品使用3-5ml四丁基溴化胺溶液浸泡2分[0129]9)在MAPbBr3量子点22上涂布空穴传输材料，空穴传输材料溶液中添加有光交联[0132]12)在11)的MAPbClxBr3-x量子点23薄膜上涂布空穴传输材料，空穴传输材料溶液[0134]13)将12)得到的样品在热台70℃~120℃烘烤5～20分钟，以干燥或固化所形成的[0135]14)将形成上述电子传输层1、钙钛矿量子点发光层2和空穴传输层3的ITO基板放钙钛矿量子点发光层2的PLQY和载流子区域来触发交联剂与空穴传输材