CN116088077B 一种双波动态热伪装结构及其优化方法 （中国人民解放军国防科技大学）

的厚度大于或等于0；本发明可以分立的实现中2所述长波红外相变膜层的材料为Ge2Sb2Te5，所述介质层的材料为锗，所述3.一种如权利要求1所述的双波动态热伪装结构的优化方法，其特征是，包括如下步确定初始厚度范围内最优的光谱特性曲线的方法为，通过传输,Eam为长波红外相变膜层处于非晶态，中波红外相变膜层处于类金属态时的发射率，3[0003]现有的热成像设备往往是通过接收来自热源的红外辐射能进而感知物体温度信likebehaviorfromVO2(M)thinfilmspreparedbytransformationofmetastableVO2(B)foradaptivecamouflageinboththermalatmosphericwindows,SolarandJ.Yang.Tunablemid_infraredselectiveemitterbasedoninversedesignmetasurfaceforinfraredstealthwiththermalmanagement,OpticsExpress已有研究中，已有一些针对但波长范围和两波长范围的热伪装解决方案。文献3“K.Du,static_powerthermalemittersbasedonphase_changingmaterialGST,Light:4metalsforadaptivethermalcamouflage,ScienceAdvances(2020)”公开了一种基于像仪和长波红外热成像仪下基于该结构的热图案道如何实现在这两个波段分立的实现动态热伪装。对于这种双波动态热伪装结构的研究，[0008]本发明所述的双波为中波红外(3～5μm)和长波红外(8～13μm)，所述的基底包括[0010]本发明实施例中，所述钒的氧化物易失相变材料为具有热致相变性能的钒氧化V1-xO2或MoxV1-xO2。5ad为长波红外相变膜层处于非晶态，中波红外相变膜层处于6[0031]本发明在初始状态(初始状态一般指的是ad状态双波红[0036]图4是通过电磁模拟仿真得到的优选的本发明实施例的双波动态热伪装结构的红7[0050]采用传播矩阵方法对多层薄膜结构的电场进行计算，得到与波长相关的导纳Y参围范围0≤h1≤100nm；中间过渡层B为红外介质材料锗，化学式为Ge，厚度范围0≤h2≤和λ2分别代表中波红外的窗口波长起始和终止波长，分别设定为3μm和5μ初始设计域中找寻满足上述发射率要求的优选结构。8[0075]采用传播矩阵方法对多层薄膜结构的电场进行计算，得到与波长相关的导纳Y参围范围0≤h1≤800nm；中波红外相变膜层C为易失相变材料二氧化钒，厚度范围0≤h3≤9和λ2分别代表中波红外的窗口波长起始和终止波长，分别设定为3μm和5μ初始设计域中找寻满足上述发射率要求的优选结构。[0089]如图6所示，所提出的薄膜结构的热发射率在中波红外平均发射率可调范围为[0095]采用传播矩阵方法对多层薄膜结构的电场进行计算，得到与波长相关的导纳Y参和λ2分别代表中波红外的窗口波长起始和终止波长，分别设定为3μm和5μ初始设计域中找寻满足上述发射率要求的优选结构。[0111]本申请中一个或多个实施例旨在涵盖落入本申请的宽泛范围之内的所有这样的