CN119416731A 一种版图中多晶硅栅的检测方法及系统 （博越微电子(江苏)有限公司）

本发明公开了一种版图中多晶硅栅的检测本发明通过建立金属层与通孔的双向电学连接2建立所有生成掩膜层的金属层和通孔的电学连接关系，排除系统辅助根据金属层和通孔的电学连接关系，建立第一金义第一金属层和栅极多晶硅两个对象之间为单向连金属层重叠且存在通孔的位置定义为shape2，通过测量shape1与shape2之间的边缘距离，筛选出边缘距离为零且没有建立电学连接的区域，再定位到栅极多晶硅两端都接线的区识别芯片中的金属层和通孔位置，再定义金属层和通孔位从设计版图中提取金属层与通孔的互连路径，基于提取的互连路径生成物理网络模属层和栅极多晶硅两个对象之间为单向连接规则之后，通过Flood_fill算法来检测和识6.根据权利要求1所述的一种版图中多晶硅栅的检测方法，其特征在于：根据测量从版图设计软件中获取图像数据，通过预处理操作提高图像中边缘和特征的识别度，应用边缘检测算法来识别栅极多晶硅和第一再使用Hough变换来检测多晶硅栅极的线性特征识别3换表示为：A(h,)=A(h,)+1；其中，A(h,)表示累加器空间，h和α分别表示直检查与信号完整性分析模块和图像处理与模所述连接关系建立模块，用于建立金属层和通孔之间的双向电学连接关所述单向连接规则定义模块，定义第一金属层与多晶所述图像处理与模式识别模块，从版图中获取图像数据，并通过图像处理技术栅极多晶硅和第一金属层的边缘，利用模式识别技术自动识别shape1和shape2，测量4根据金属层和通孔的电学连接关系，建立第一金属层和栅极多晶硅电学连接关识别芯片中的金属层和通孔位置，再定义金属层和通孔位置之间的双向连接规5[0009]进一步的，在定义第一金属层和栅极多晶硅两个对象之识别出那些没有通过通孔与第一金属层建立电学连再使用Hough变换来检测多晶硅栅极的线性特征识别A(h,)=A(h,)+1；其中，A(h,)6所述单向连接规则定义模块，定义第一金属层与多晶硅栅极之间的单向连接规了金属层与通孔之间的连接是否符合设计规范，并对通孔和第一金属层设计进行了优化，图2为本申请实施例1提供的一种版图中多晶硅栅的检测方法通过设计规则检查图3为本申请实施例1提供的一种版图中多晶硅栅的检测方法通过Flood_fill算图4为本申请实施例1提供的一种版图中多晶硅栅的检测方法的利用图像处理和图5为本申请实施例1提供的一种版图中多晶硅栅的检测方法的建立连接的金属图6为本申请实施例1提供的一种版图中多晶硅栅的检测方法的第一金属层和栅7[0020]在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申含一个或多个相关联的列出项目的任何或所为双向连接关系。既可以从第一金属层M1贯通到第四金属层M4，第四金属层M4也可以贯通到第一金属层M1，具体的，第一金属层M1到第四金属层M4指的是多晶硅栅中不同的金属层8过栅极多晶硅通孔到栅极多晶硅层，而不能从栅极多晶硅层到第一金属层，如图6框中所也称为栅极层（POLYsilicon[0032]进一步的，在定义第一金属层M1和栅极多晶硅两个对象之间为单向连接规则之快速识别出那些没有通过通孔与第一金属层M1建立电学连接的9具体通过Sobel算子检测边缘强度和方向，应用梯度法对图像中的边缘进行处A(h,)=A(h,)+1；其中，A(h,)表示累加器在S1步骤中建立金属层（如第一金属层M1至第四金属层M4）和通孔之间的双向电学连接关电流的单向流动，从而提高电路的稳定性和可靠性。在S3步骤中，利用图像处理技术，如的边缘，并通过测量这些边缘的距离来筛选出未建立电学连接的区域，尤其是那些边缘距离为零的区域，这些区域可能表示潜在的接线问题，特别是通过识别视觉特征边缘来指示[0041]通过在建立电学连接关系时将原本第一金属层M1与栅极多晶硅的双向连通变成单向连接规则定义模块，定义第一金属层M1与多晶硅栅极之间的单向连接规则，本实施例区别于实施例1还包括集成机器学习增强模型，用于训练模型识别复杂收集大量的历史版图设计数据和已知的版图缺陷案例，对收集数据进行预处理，确识别多晶硅栅极和第一金属层M1的边缘，再根据提取关键特征选择卷积神经网络CNN来用大量的标注好的版图图像作为输入，让CNN学习如