CN119419121A 形成沟槽的方法及半导体工艺设备 （北京北方华创微电子装备有限公司）

本申请提供了一种形成沟槽的方法及半导圆的待刻蚀膜层向下刻蚀至预定深度以形成沟2使对所述沟槽底部的纵向刻蚀深度随着所述交替槽侧壁上沉积所述钝化层的最大厚度的增量接近所述第二刻蚀步对所述沟槽底部的纵向6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征3执行副产物去除步，以去除所述沟槽侧壁上的钝化层和所述理器执行时实现如权利要求1至14任一项所述的形成沟4[0009]在一种实施方式中，第一沉积步和第二刻蚀步进行交替循环的总循环轮数n通过5[0014]在一种实施方式中，在表面损伤修复步中，含氟气体的流量范围为40sccm~500sccm，含氧气体的流量范围为10sccm～100sccm，中心上电极功率的范围为1000W~电极功率的范围为0W～30W；和/或，在第二刻蚀步中，边缘上电极功率的范围为1000W~气体与含氧气体之间的流量比例以控制钝化层[0022]在一种实施方式中，过滤板的中部设置有多个供等离子体中的自由基透过的通槽底角形貌的控制难度和提高对沟槽底角形貌的控制精度，从而获得工艺所需的沟槽底6[0038]图2所示为本申请一实施例的形成沟槽的方法的流程示意图。图3A至图3H所示为[0039]请一并参阅图2、图3A至图3F所示，该形成沟槽的方法包括如下步骤S110至步骤刻蚀膜层11内形成沟槽11a。其中，预定深度为沟槽11a的目标深度的8090沟槽11a[0042]步骤S120、交替循环执行第一沉积步和第二刻蚀步，将沟槽11a的底角修饰为圆7化层13的厚度也沿沟槽11a的刻蚀深度递减；其中，钝化层13的厚度为钝化层13的横向尺层13的存在使得对沟槽11a底部的刻蚀速率大于对沟槽11a底角的刻蚀速率，以将沟槽11a多轮，以使位于沟槽11a侧壁上的钝化层13的厚度随着交替循环的轮数渐增，并使对沟槽钝化层13的厚度d2大于第1轮中执行完第一沉积步后在沟槽11a侧壁上形成的钝化层13的厚度d1，第2轮中执行完第二刻蚀步后沟槽11a底部的纵向刻蚀深度h2大于第1轮中执行完沉积步后在沟槽11a侧壁上形成的钝化层13的厚度大于第m_1轮中执行完第一沉积步后在沟槽11a侧壁上形成的钝化层13的厚度，第m轮中执行完第二刻蚀步后沟槽11a底部的纵向刻蚀深度hm大于第m_1轮中执行完第二上的钝化层13的厚度随着交替循环的轮数渐增，位于沟槽11a侧壁上的钝化层13会逐步扩8侧壁上沉积的钝化层13的最大厚度的增量接近第二刻蚀步对沟槽11a底部的纵向刻蚀深度为在邻近掩膜层12一侧沉积钝化层13的最大横向尺寸，钝化层13的最大厚度的增量即第i轮沉积的钝化层13相对于第i_1轮沉积的钝化层13的最大厚度的变化值，i为大于或等于111a的目标圆角11d的曲率半径等于或接近目标深度[0057]在一种实施方式中，第一沉积步和第二刻蚀步进行交替循环的总循环轮数n可以9体中的带电粒子在下电极功率的作用下会对待刻蚀膜层11或沟槽11a进行强烈轰击，使沟含氟气体包括六氟化硫(SF6)。通过交替循环转换向工艺腔室内通入八氟环丁烷和六氟化电极功率的范围为0W～30W；和/或，在第二刻蚀步中，边缘上电极功率的范围为1000W~极功率的范围为0W～30W，可以促进碳氟类气体在相对高的边缘上电极功率的作用下完全完全解离产生高的氟离子密度，并配合较高的下电极功率沿竖直向下的方向对沟槽11a进蚀速率控制在合适范围内，例如可以将沟槽11a的纵向刻蚀速率控制在5nm/循环～8nm/循环，其中，第二刻蚀步的工艺时间为4s，则沟槽11a的纵向刻蚀速率等效为75nm/min~11a侧壁上的钝化层13的厚度会影响沟槽11a底角的形貌，因此更有助于控制沟槽11a的底较慢；当含氟气体的流量大于100sccm时，对待刻蚀膜层11的刻蚀速率较快且容易使沟槽以控制形成侧壁竖直且底角为直角的沟槽11a蚀膜层11的刻蚀速率控制在300nm/min～800n行副产物去除步，可以去除沟槽11a侧壁上的钝化层13和沟槽11a内表表面上的反应副产[0093]该半导体工艺设备100还可以包括进气组件60和抽气组件70。控制器可以是上位[0095]该半导体工艺设备100还可以包括下射频电源83和下匹配器93。控制器还用于控[0096]本申请实施例的半导体工艺设备100可以是电感耦合等离子体(Inductive[0097]需要说明的是，由于本申请实施例的半导体工艺设备100采用了上述所有实施例状结构22内被电离以产生等离子体，等离子体可以直接经第二筒状结构22进入反应腔23，