CN119422225A 用于制造包括充当原子物质的扩散屏障的层的结构的方法 （索泰克公司）

FR22067332022.07.02024.12.24PCT/EP2023/0666682023.06.20WO2024/008441FR2024.01.11用于制造包括充当原子物质的扩散屏障的本发明涉及一种用于制造结构(1)的方法，该结构包括借助于介电层(3)接合到支撑体(2)上的薄层(4)，该支撑体包括布置在基础衬底该支撑体的主面的暴露表面和/或对供体衬底的21.一种用于制造结构(1)的方法，所述结构包括经由介电层(3)转移到支撑体(2)上的一对所述支撑体的所述主面的所述暴露表面和/或对所述供体衬底的所述主面的所述4.根据前述权利要求中的任一项所述的制造方法，其中所述7.根据前一项权利要求所述的制造方法，其中所述介电层(3)的形成包括所述俘获层8.根据前一项权利要求所述的制造方法，其中在对所述支撑体(2)的所述主面的所述9.根据权利要求7所述的制造方法，其中在对所述10.根据权利要求5所述的制造方法，其中氧化硅介电层掺有氮，优选地氮/氧比小于12.根据前一项权利要求所述的制造方法，其中所述表面处理的施加包括将其施加至3[0001]本发明涉及一种用于制造包括转移到设置有电荷俘获层的支撑体上的薄层的结[0006]为了防止在具有俘获层的结构中由原子物质(特别是氢)的扩散引起的RF性能劣助于介电层转移到支撑体上的薄层，该支撑体包括表面地布置在基础衬底上的电荷俘获[0011]对支撑体的主面的暴露表面和/或对供体衬底的主面的暴露表面施加表面处理，4[0017]此类表面处理简单地形成充当某些原子物质的扩散屏障的层，这对氢和/或锂的[0025]在对支撑体的主面的暴露表面施加表[0026]在对支撑体的主面的暴露表面施加[0028]介电层的形成包括在供体衬底上形成介[0029]表面处理的施加包括将其施加到供[0034][图3]图3示出了在用于制造根据本发明的结构的方法中用于形成屏障层的表面别适合于将射频(RF)部件容纳在薄膜4上或薄5[0038]原子物质也可以来自介电层3。当该层至少部分地通过涉及低于1000℃的适度热率的基础衬底2a，并且当基础衬底具有大约几百欧姆厘米(例如小于1000ohm.cm，或小于与10ppm之间的低间隙氧含量的CZ硅衬底，或者是具体地具有天然非常低的间隙氧含量的[0044]为了在可应用于结构1的热处理期间保持该层的多晶质量，例如由二氧化硅组成[0045]可替代地，俘获层2b可以通过在基础衬底2a的表面厚度中注入相对重的物质(诸表面厚度进行多孔化或者通过能够在基础衬底2a的表面厚度中形成结构缺陷的任何其他使用其折射率的测量结果，折射率在SiO2的1.44与Si3N4的2.35之间变化(在620nm波长6[0051]对支撑体的主面的暴露表面和/或对供体衬底的主面的暴露表面施加表面处理，[0053]从中间结构移除供体衬底的一部分，以形成借助于介电层搁置在支撑体上的薄[0054]介电层可通过沉积制成，例如使用LPCVD(低压化学气相沉积)或PECVD(等离子体[0055]氧化硅介电层3可通过氧化供体衬底(当该供体衬底由硅制成时)或通过氧化俘获[0058]现在详细描述在结构1制造期间旨在容易地在该结构中形成屏障层5的表面处理[0059]如我们已经看到的，向支撑体的主面的暴露表面和/或向供体衬底的主面的暴露[0061]还可以在介电层沉积在支撑体和/或供体衬底的暴露表面上之前，对该面进行表[0063]无论表面处理是在这两个衬底中的一个还是两个上进行，它都由2个连续的子步导致在表面上形成厚度很小(大约5nm，通常在2nm与10nm之间)的多孔(或更一般地)受损7骤中衬底表面暴露于其中的等离子体可由氮[0065]这2个步骤不必原位进行，并且可以在第一和第二子步骤之间将供体衬底或支撑[0067