CN119422230A 基板处理装置和基板处理方法 （东京毅力科创株式会社）

2024.12.24PCT/JP2023/0225252023.06.19WO2024/004725JA2024.01.04实施方式所涉及的基板处理装置(1)具备冲有无机膜的多个基板(W)浸渍于所贮存的冲洗液来对多个基板(W)进行冲洗处理。处理槽(61)是理后的多个基板(W)浸渍于所贮存的磷酸处理液取被一并浸渍于处理槽(61)的基板(W)的张数。浓度调整部(10b)调整贮存于处理槽(61)的磷酸处理液的浓度。浓度控制部(140)基于由获取部(10a)获取到的基板(W)的张数来获取与多个基板(W)一起被带入处理槽(61)的冲洗液的量即带入量，并基于该带入量控制浓度调整部(140)来2冲洗槽，其是贮存包含水分的冲洗液的槽，所述冲浸渍于所贮存的所述冲洗液来对所述多个基板进处理槽，其是贮存磷酸处理液的槽，所述处理槽通过使所述冲洗处理后板浸渍于所贮存的所述磷酸处理液来对所述多个基板浓度控制部，其基于由所述获取部获取到的所述基板的张数来获取所述浓度控制部在所述蚀刻处理之前，使所述浓度调整部开始进行所述浓度控制部在所述冲洗处理期间使所述浓度调整部完成所述磷酸处理液的浓度进行至少一次以上在所述冲洗处理后进行所述蚀刻处理的一系还具备存储部，所述存储部存储将所述基板的张数与所述带入量预先建所述浓度控制部使用所述带入量信息来获取与由所述获取部获取到的所述基板的张所述浓度调整部具备向所述处理槽的内部喷出气体的气所述浓度控制部通过变更所述气体喷出部喷出的所述气体的喷出流量来调整所述磷在所述带入量超过所述阈值的情况下，所述浓度调整部使存储部，其存储将所述基板的张数与浓度调整值预先建立对应而得到的浓度调整信其中，所述浓度控制部使用所述浓度调整信息来获取与由所述在所述带入量超过所述阈值的情况下，在由所述测定部测定3部将所述气体的喷出流量从所述第二流量变在由所述测定部测定出的所述磷酸处理液的浓度小于所述目标温度控制部，其获取与由所述获取部获取到的所基于该温度调整值控制所述温度调整部来调整所述磷酸处还具备存储部，所述存储部存储将所述基板的张数与所述温度调所述温度控制部使用所述温度调整信息来获取与由所述获取部获取到的所述基板的所述温度控制部控制所述温度调整部，来将所述磷酸处理液的温度调所述获取部基于管理信息来获取被一并浸渍于所述处理槽的所述基板的张理信息是将用于识别能够收容多个基板的前开式晶圆传送盒的识别信息与收容于该前开通过使具有无机膜的多个基板浸渍于贮存有包含水分的冲洗液的冲洗槽来对所述多通过使所述冲洗处理后的所述多个基板浸渍于贮存有磷酸处理液的处理槽来对所述基于在所述获取的工序中获取到的所述基板的张数来获取与所述多个基板一起被带4[0003]在专利文献1中公开有一种考虑由半导体晶圆的投入引起的温度降低量而将蚀刻[0008]本公开提供一种在使用磷酸水溶液来一并蚀刻多个基板的技术中能够抑制蚀刻槽通过使冲洗处理后的多个基板浸渍于所贮存的磷酸处理液来对多个基板进行蚀刻处理。[0018]图6是示出实施方式所涉及的基板处理系统执行的循环蚀刻的过程的一例的流程5[0019]图7是示出实施方式所涉及的基板处理系统执行的浓度控制处理的过程的一例的[0020]图8是示出实施方式所涉及的基板处理系统执行的温度控制处理的过程的一例的[0024]提出有一种通过使交替地层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板浸渍于磷酸处理液来选择性地蚀刻氮化硅膜和氧化硅膜中的氮洗液被带入处理槽而使磷酸处理液的浓度低于[0032]承载件载物台20载置从外部搬送来的多个前开式晶圆传送盒(FOUP)F。前开式晶6[0033]由后述的基板搬送机构30从载置于承载件载置台24的前开式晶圆传送盒F将被处后的多个晶圆W向载置于承载件载置台24的前开式晶圆传送盒于1个前开式晶圆传送盒F的25张晶圆W形成1个批次的情况，也有由收容于2个前开式晶圆[0035]基板搬送机构30在载置于承载件载置台24的前开式晶圆传送盒F与批次载置部43与批次处理部6之间进行搬送的批次。批次搬送台40具有载置由批次形成部3形成的被处理之前的批次的搬入侧载置台41、以及载置由批次处理部6处理后的批次的搬出侧载置台[0038]轨条51遍及批次载置部4和批次处理部6地沿着X轴方向配置。移动体52构成为能理装置60、清洗处理装置70、清洗处理装置80以及干燥处理装置90的台数不限于图1的例[0044]蚀刻处理装置60通过基板升降机构63来保持由批次搬送部5搬送来的批次，并使7的冲洗液来进行冲洗处理。在处理槽62中被进行了冲洗处理的批次由批次搬送部5向清洗[0048]清洗处理装置70通过基板升降机构73保持由批次搬送部5搬送来的批次，并通过的冲洗液来进行冲洗处理。在处理槽72中被进行了冲洗处理的批次由批次搬送部5向干燥[0051]干燥处理装置90通过基板升降机构92来保持由批次搬送部5搬送来的批次，并使[0052]清洗处理装置80通过向批次搬送机构50的基板保持体53供给清洗用的处理液并[0054]控制装置7包括具有CPU(CentralProcessingUnit：中央处理单元)、ROM(Read是示出实施方式所涉及的蚀刻处理装置60的[0059]磷酸水溶液供给部101向混合机构104供给磷酸水溶液。该磷酸水溶液供给部1018[0061]流量调整器101c配置于磷酸水溶液供给路101b，调整向混合机构104供给的磷酸[0062]硅酸溶液供给部102向混合机构104供给包含硅酸化合物的溶液(以下也称为“硅供给源102a与混合机构104连接，用于从硅酸溶液供给源102a向混合机构104供给硅酸溶[0064]流量调整器102c配置于硅酸溶液供给路102b，调整向混合机构104供给的硅酸溶[0065]析出抑制剂供给部103向混合机构104供给析出抑制剂。该析出抑制剂供给部103[0067]流量调整器103c配置于析出抑制剂供给路103b，调整向混合机构104供给的析出制剂例如可以包含使溶解于磷酸水溶液的硅酸离子稳定化在溶解的状态下而抑制硅氧化[0069]实施方式所涉及的析出抑制剂例如能够使用包含氟成分的六氟硅4)34以及Al2O3中的至少一者。9等。该混合机构104能够通过使用循环路使贮存于罐的液体循环，来将贮存于罐的液体混[0078]磷酸处理液供给路105将混合机构104与处理槽61的外槽112连接，用于从混合机[0079]流量调整器106配置于磷酸处理液供给路105，调整向外槽112供给的磷酸处理液[0080]基板处理部110通过将晶圆W浸渍于从磷酸处理液供给部100供给来的磷酸处理[0084]外槽112以包围内槽111的方式配置于内槽111的外侧，接受从内槽111的开口部循环路120的另一端与位于内槽111内的处理液供[0089]泵121用于形成从外槽112起经由循环路120向内槽111输送的磷酸处理液的循环[0090]加热器122对在循环路120中循环的磷酸处理液的温度进行调整。过滤器123对在[0092]DIW供给路130b将DIW供给源130a与外槽112连接，用于从DIW供给源130a向外槽[0094]气体喷出部140向贮存于内槽111的磷酸处理液中喷出非活性气体(例如氮气)的气泡。气体喷出部140具有非活性气体供给源140a、非活性气体供给路140b、流量调整器[0097]气体喷嘴140d例如在内槽111内位于晶圆W和处理液供给喷嘴125的下方。气体喷嘴140d向贮存于内槽111的磷酸处理[0098]实施方式所涉及的蚀刻处理装置60能够通过从气体喷嘴140d喷出非活性气体的贮存于内槽111的磷酸处理液所包含的水分的蒸发。蚀刻处理装置60能够通过使非活性气所贮存的磷酸处理液的浓度的浓度调整部而发[0100]处理液排出部150在更换在蚀刻处理中使用过的磷酸处理液的全部或一部分时经由网络N来与管理装置200以有线或者无线的方式连接，是在与该管理装置200之间掌管[0107]通信部8从管理装置200接收与收容于前开式晶圆传送盒F的多个晶圆W有关的各含有层叠在晶圆W上的氮化硅膜和氧化硅膜[0110]浓度调整信息存储部9a存储针对晶圆W的张数对应带入量和浓度调整值而得到的指在由后述的浓度控制部10b进行的浓度控制处理中使用的值。使用图4来对晶圆W的张数[0112]图4所示的浓度调整信息例如通过改变晶圆W的张数地多次进行测量使晶圆W浸渍之前的处理槽62内的冲洗液的量与从处理槽62取出晶圆W之后的处理槽62内的冲洗液的量对计算结果乘以整数倍而得到的带入量作为各张数的带入量。图4所示的浓度调整信息是将基板的张数与带入量预先建立对应而得到的带入量信息的处理液的磷酸浓度(初始浓度)与向处理槽61带入了[0114]温度调整信息存储部9b存储将晶圆W的张数与温度调整值建立对应而得到的温度温度变化是指使晶圆W浸渍于处理槽61之前的内槽111内的磷酸处理液的温度与使冲洗处变晶圆W的张数地多次进行测量使晶圆W浸渍之前的处理槽61内的磷酸处理液的温度与使晶圆W浸渍之后的处理槽61内的磷酸处理液的温度之差[0117]控制部10例如通过由CPU、MPU(MicroProcessingUnit：微处理单元)、GPU[0120]获取部10a经由通信部8来从管理装置200获取与被预定进行处理的批次中包括的圆W的张数的各种信息。从管理装置200获取的上述信息是将前开式晶圆传送盒F的识别信息与收容于该前开式晶圆传送盒F的基板的张数建立对应而得到的管理信息的一地说，浓度控制部10b进行考虑由冲洗液的带入引起的磷酸浓度的降低而将磷酸浓度预先定磷酸处理液的目标浓度而能够抑制批次间的蚀刻量的偏差。该浓度控制部10b中的磷酸[0122]温度控制部10c获取与由获取部10a获取到的晶圆W的张数相应的温度调整值，并行考虑由使冲洗处理后的晶圆W浸渍于处理槽61引起的磷酸温度的降低而预先提高磷酸温处理液的目标温度而能够抑制批次间的蚀刻量的偏差。该温度控制部10c中的磷酸处理液施方式所涉及的基板处理系统1执行的循环蚀刻的过程的一例[0128]像这样，实施方式所涉及的基板处理系统1进行将在冲洗处理后进行蚀刻处理的槽61搬入的批次的晶圆W进行了收容的前开式晶圆传送盒F的识别信息对应的晶圆W的张[0133]接着，浓度控制部10b基于在步骤S202中获取到的浓度调整值，来决定目标浓度[0134]接着，浓度控制部10b判断在步骤S202中获取到的带入量是否为预先决定的阈值[0139]接着，浓度控制部10b判定在步骤S207中获取到的磷酸处理液的浓度是否为在步[0140]接着，浓度控制部10b判定气体喷出部140喷出气体的喷出流量是否为第二流量传感器114测定出的磷酸浓度成为了目标浓度以上的情况下，将气体的喷出流量从第二流[0143]另外，浓度控制部10b在由浓度传感器114测定出的磷酸浓度小于目标浓度的期10b在由浓度传感器114测定出的磷酸浓度成为了目标浓度以上的情况下，控制DIW供给部槽61搬入的批次的晶圆W进行了收容的前开式晶圆传送盒F的识别信息对应的晶圆W的张[0148]接着，温度控制部10c判定在步骤S303中获取到的磷酸处理液的温度是否为在步[0151]在上述的实施方式中，将由浓度控制部10b进行的浓度控制处理和由温度控制部10c进行的温度控制处理分开进行了说明，但也可以设为将该浓度控制处理和温度控制处[0152]另外，在上述的实施方式中，对在对晶圆W的冲洗处理完成之前使由浓度控制部10b进行的浓度控制处理完成的例子进行了说明，但实施该浓度控制处理的定时不限于上新供给高浓度的磷酸处理液来调整磷酸处理液的获取部获取到的基板的张数来获取与多个基板一起被带入处理槽的冲洗液的量即带入量，并基于该带入量控制浓度调整部来调整磷酸处理液的[0155]实施方式所涉及的基板