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文档简介

光学邻近效应概述出的图案出现偏差，从而带来的光刻硅晶图像失真的情况。如图1.4为一个简单Wafer图错误!文档中没有指定样式的文字。.1光刻成像系统衍射级别更高的光刻图案，造成光刻图案失真的现象7。为了能够尽可能地确保掩模上的电路图像精准地刻到晶圆上，物镜应至少考虑到相对额定±1强度的光刻强度。考虑到以上因素，设计间距与光源、物镜的关系符合其中，p表示光刻掩模版的设计间距，即电路设计允许的紧密程度；λ表示光刻所用激光光源的波长，NA则是激光物镜的孔径参数。物镜的孔径参数可以直接影响其电路版图的容量，这一参数可以由公式1.2得出。NA=nsinθmax=是激光物镜所能够接收到的最大角度的衍射光的角度参数。右式中，D是激光物镜的直径参数，即物镜的孔径，而f则是光刻光源采用焦点的深度参数。由上可知，当光刻光源的波长远小于或等于设计间距时，晶圆上的成像会达到理想状态，光刻出的图案能与掩模版电路图案相差不多，几乎不会产生光刻版图与掩模版图之间失真的情况。然而，设计间距与光源波长的进步却并不同步。随着光刻工艺的不断进步，达到14nm甚至7nm节点，而光刻光源波长的革新却停滞不前，目前仍在193nm的瓶颈，光源的波长早已大大超出掩模版的孔径。这就造成一种名为光学邻近效应(OpticalProximityEffects,OPE)⁸的现象，指的是激光透过掩模版上的电路版图进行光刻时，受到光源衍射效应的影响，打印出的晶圆表面电路版图出现失真的情况，产生一系列影响芯片成品率的图案缺陷。在图1.4中，左边以Core为中心的电路图案为掩模版的目标电路图，经由右边的一系列光刻过程，得到右下方的虚线框中的光刻版图。对比两者看出，光学邻近效应影响严重，出现了边角钝化、长边内缩等现象，些许版图区域甚至有缺失的情况。愈是精细的版图愈容易出现这种情况。在实际的光刻结果中，这些现象极易引起短路、断路等后果，严重影响集成电路芯片的良品率，带来难以估量如上文所述，光学邻近效应是光刻工艺中难以回避的挑战，它可能会造成光刻过程中图案打印失真的情况，进一步造成短路、断路等后果，影响电路功能，以至于降低集成电路产品的良品率，这一直都是工业界所面对的难题。以达到预想图案的目的。如图1.5所示，当直接使用原始电路图作为掩模时，可能会出现图像失真的图错误!文档中没有指定样式的文

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