CN119451086A 一种半导体器件及其制备方法、存储系统 （长江存储科技有限责任公司）_第1页
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文档简介

本申请公开了一种半导体器件及其制备方柱体在第一方向和第二方向阵列排布且沿第三2在所述半导体层内形成半导体柱体，所述半导体柱体在形成沿所述第三方向延伸的栅线结构，所述栅线形成沿所述第一方向延伸的第一沟槽，并于所述第一沟槽中形成沿所述第二方向延伸的第二沟槽，所述第二沟在所述第二沟槽的侧壁中依次形成位于所述底部隔离结构上的形成沿所述第二方向延伸的隔离槽，所述隔离槽沿所述第三3如权利要求1至10任一项所述的半导体器件栅线结构，沿所述第三方向延伸，且位于在所述第一方4[0002]半导体结构中的晶体管在集成电路中被广泛用于开关器件或者[0016]在所述第二沟槽的侧壁依次形成位于所述底部隔离结构上的沟道层、第一绝缘567[0066]请参阅图1，图1是本申请一些实施例提供的半导体器件的制备方法的流程示意[0072]半导体层20的沉积工艺可以采用但不限于化学气相沉积(ChemicalVapor8体墙体20a沿第一方向(X)延伸且沿第二因此底部隔离结构51和停止层101之间还有留有半导体层20，底部隔离结构51可以将栅极9[0103]该半导体器件101包括半导体柱体和栅线结构。半导体柱体在第一方向和第二方栅线结构沿所述第三方向延伸，且位于在所述第一方向相邻的两行所述半导体柱体之间。

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