CN119451163A 基于超晶格背势垒结构的GaN HEMT及其制备方法 （山东大学）_第1页
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基于超晶格背势垒结构的GaNHEMT及其制本发明涉及一种基于超晶格背势垒结构的InGaN/GaN超晶格背势垒层、GaN沟道层、AlN插电极和源电极之间设置SiN钝化层。本发明采用22O3中的一种；3.根据权利要求2所述的基于超晶格背势垒结构的GaNH超晶格背势垒层的In质量百分比为1%~44.根据权利要求3所述的基于超晶格背势垒结构的GaNHEMT，其特征5.根据权利要求4所述的基于超晶格背势垒结构的GaNH6.根据权利要求5所述的基于超晶格背势垒结构的GaNHE7.根据权利要求6所述的基于超晶格背势垒结构的Ga步骤S3中，蒸镀金属Ti/Al/Ni/Au的方法为电子束蒸发或磁控溅射技术，退火温度为700_10.根据权利要求9所述的基于超晶格背势垒结构的GaNHEMT的制备方法，其特征在34一种基于超晶格背势垒结构的GaNHEMT，包括从下至上依次包括衬底、AlN成核述InGaN/GaN超晶格背势垒层的In质量百分比[0010]优选的，InGaN/GaN超晶格背势垒层的总厚度为5~500nm，其中InGaN层厚度为1~5道势阱的形成会减弱高漏极偏压下栅极对沟道二维电子气的控制能力，而较薄的InGaN可[0013]InGaN层和GaN层循环周期＞1时形成超晶格结构，多次循环生长可以增大对能带6图6为本发明中步骤S5得到的基于超晶格背势垒图8为无背势垒层HEMT器件、单层InGaN背势垒层HEMT器件和InGaN/GaN超晶格背图11为本发明某一实施例中InGaN/GaN超晶格背势垒层HEMT器件关态状态下电子7道势阱的形成会减弱高漏极偏压下栅极对沟道二维电子气的控制能力，而较薄的InGaN可[0031]InGaN层和GaN层循环周期＞1时形成超晶格结构，多次循环生长可以增大对能带89S5：在GaN帽层8上方源电极11与漏电极10之间通过等离子体增强化学沉积法[0052]图9~图11分别为对比例1的无背势垒层HEMT器件、对比例2的单层InGaN背势垒层HEMT器件和实施例1的InGaN/GaN超晶格背势垒层HEMT器件关态状态下的电子浓度分布图[0053]图12为对比例1的无背势垒层HEMT器件、对比例2的单层InGaN背势垒层HEMT器件垒层HEMT器件的能带能量是高于无背势垒层HEMT器件和单层InGaN背势垒层HEMT器件的，这意味着InGaN/GaN超晶格背势垒层的引入使得器件缓冲层能带得

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