CN119451288A 背接触太阳能电池及其制备方法 （英利能源发展有限公司）_第1页
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文档简介

本发明提供了一种背接触太阳能电池及其将高温银浆烧结在硅片背面N区预先设计的叉指掩膜层；再在n型硅片背面沉积非晶硅层和TCO2步骤四，在所述n型硅片(1)正面的所述钝化层(10)上以及背面的所述掺杂多晶硅层浆的烧结温度为500℃_1000℃。浆的烧结温度≤200℃。4.如权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤六中，采用积有隧穿氧化层(2)和掺杂多晶硅层(3)，所述掺杂多晶硅层(3)上高温烧结有第一电极非晶硅层(5)和TCO层(6)，且所述第一电极(7)周围的所述非晶硅层(5)和所述TCO层(6)经3[0001]本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触太阳能电池及其制备方heterojunctiontunneloxidepassivatedcontacthybridpassivatedbackcontactHTBC太阳能电池正负电极都要沉积低温银浆来实现电池的金属化，对于低温银浆需求巨步骤四，在所述n型硅片正面的所述钝化层上以及背面的所述掺杂多晶硅层上分4P区的TCO层上烧结低温银浆形成第二电极；最后通过激光扫描高温银浆烧结后形成的栅[0018]相比于需要先在硅片背面制作gap区隔离槽的工艺，本发明不需要额外制备gap银浆周围形成环形槽，使非晶硅层和TCO层与高温银浆形成隔离，即可实现两个电极的隔5[0021]请一并参阅图1及图2，现对本发明提供的背接触太阳能电池的制备方法进行说步骤四，在n型硅片1正面的钝化层10上以及背面的掺杂多晶硅层3上分别沉积步骤七，在n型硅片1的背面沉积本征非晶硅和掺杂非晶硅层5组成的非晶硅层5，6[0026]相比于需要先在硅片背面制作gap区隔离槽的工艺，本发明不需要额外制备gap本发明提供的背接触太阳能电池的制备方法具有7内向外依次沉积有隧穿氧化层2和掺杂多晶硅层3，掺杂多晶硅层3上高温烧结有第一电极89

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