CN109755203B 封装结构以及封装结构的制造方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

US2015294949A1,2015.US2016064341A1,2016.线层中的接头或半导体管芯上的接头中的至少2重布线层，设置在所述模塑化合物上及所述半导体管芯之上且电连其中所述重布线层包括介电层以及接头，所述接头中的至少一个接头包括接垫部分、接触从所述重布线层的所述第一表面突出的所述脊所述导电球直接接触所述接垫部分而没有所述第一晶种层位于所述导电球与所述接所述脊部分及所述金属性区块以相同的高度从所述重布线层的所述第一6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导电球包括焊料球或球栅阵列重布线层，设置在所述半导体管芯之上且电连接到所述半其中所述重布线层包括介电层以及接头，所述接头中的至少一个接头包括接垫部分、层的所述第二表面突出的所述柱体部分及所述插塞的所述第二表面突出的所述柱体部分及所述插塞部分而没有所述晶种层位于所述导电球一高度从所述重布线层的所述第二表面突出，且所述第一高度是所述导电球的高度的2%3在所述第一介电层之上形成具有至少一个开在所述至少一个开口内在所述载体之上形成第一晶种移除所述第一介电层、所述第一晶种层、部分的所述第二提供半导体管芯和形成包封所述半导体管芯的模塑化合物，其中所述其中所述重布线层中的所述至少一个接头包括接垫部分、环绕所述接垫部分的脊部所述载体之上形成所述第一晶种层及所述金属局部地移除所述第一晶种层仅在所述金属性区块4[0002]现代电子封装需要在芯片对封装(chip-to-package)与芯片对衬底(chip-to-从所述重布线层的所述第一表面突出的所述脊部[0005]图1A至图1F是根据本公开一些示例性实施例的连接结构的制造方法中的各个阶[0006]图2A至图2C是根据本公开一些示例性实施例的封装结构中的连接结构的制造方[0009]图3B是根据本公开一些示例性实施例的示例性封装结构的一部分的示意性剖视[0010]图4A至图4H是根据本公开一些示例性实施例的连接结构的制造方法中的各个阶[0011]图5A至图5C是根据本公开一些示例性实施例的封装结构中的连接结构的制造方[0014]图6B是根据本公开一些示例性实施例的示例性封装结构的一部分的示意性剖视[0015]图7A至图7I是根据本公开一些示例性实施例的连接结构的制造方法中的各个阶5[0017]图9A至图9H是根据本公开一些示例性实施例的封装结构中的连接结构的制造方[0019]图11是示出根据本公开一些实施例的形成连接结构的制造方法的工艺步骤的示[0020]以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实[0022]图1A至图1F是根据本公开一些示例性实施例的连接结构的制造方法中的各个阶未示出)，且位于载体C与第一介电层110之间的剥离层可为光热转换(light-to-heatPA遮蔽的部分110A大部分被移除，但未被完全移除，而是仍余留小的厚度(约0.25H1至6中，区块部分110B的图案可包括圆形区块或四角形区块作为虚设接垫图案(dummy口S1的形状可不同于区块部分110B的虚设口S1暴露出的所述一部分的顶表面(即，晶种层与开口S1的轮廓及区块部分110B的轮廓共些实施例中，形成金属性图案150包括在第二介电层120之上以及在未被掩模层140覆盖的属性图案150与位于开口S1外部的第二介电层120之间且夹置在金属性图案150与位于开口7S1内，金属性图案150的接头150A包括位于开口S1内且位于区块部分110B上方的接垫部分151以及围绕接垫部分151且位于部分110A的环绕区块部分110B的所述一部分上方的脊部出部分，因此可为后续形成在突出部分上的层提供更平坦的或更平的接垫平面或通孔平形成封装结构的重布线结构。[0030]图2A至图2C是根据本公开一些示例性实施例的封装结构中的连接结构的制造方刻蚀工艺将第一介电层110完全移除，且通过第二刻蚀工艺将晶种层130及第二介电层120脊部分152以约2微米至约3微米或约2.5微米的高度d1从余留的第二介电层120的表面120a突出。也就是说，接垫部分151的顶表面151a与余留的第二介电层120的表面120a等高晶种层130夹置在余留的第二介电层120与金属性图案150(从第二介电层120突出的脊部分8或球栅阵列(ballgridarray，BGA)球，且导电球的材料包括锡基系焊料(Sn-based[0033]在前面的实施例中，本文所述接头150A与导电球170合在一起可被视为用于对管根据本公开一些示例性实施例的示例性封装结构的一部分的示意性剖视放大图。在图3A中，封装结构30包括模制在模塑化合物320中的至少一个管芯310以及穿透过模塑化合物细节距路由图案(finepitchroutingpattern)的RDL3可形成在更平坦的或更平的平面接头356(由矩形虚线圈圈出)用作接垫或球接垫，且导电球370直接接触接头356的接垫部分354的底表面354a而没有晶种层3435位于导电球370与接头356的接垫部分354的底表面[0035]图4A至图4H是根据本公开一些示例性实施例的连接结构的制造方法中的各个阶9在示例性实施例中，第二介电层420可如上所述通过涂布形成且接着通过曝光工艺及显影只是暴露出晶种层430的位于开口S2的(strippingsolution)来移除掩模层440(图4D)且暴露出位于掩模层440下方的晶种层性区块435下方的余留的晶种层430位于开口S2内且位于开口S2的底部的中心部分或中间开口S2、金属性区块435以及未被第二介电层420及金属性区块435覆盖而是被开口S2暴露层445之上以及在第二介电层420之上形成金属性材料层(图中未示出)以及通过镀覆来填留的晶种层445夹置在金属性图案450与位于开口S2外部的第二介电层420之间且夹置在金在金属性图案450与金属性区块435之间且夹置在金属性图案450与位于开口S2内的第一介[0045]图5A至图5C是根据本公开一些示例性实施例的封装结构中的连接结构的制造方例中，通过第二刻蚀工艺将晶种层430完全移除且将晶种层445及第二介电层420局部地移区块435的顶表面435a以及金属性图案450的脊部分452的顶表面452a为止。在某些实施例中，金属性区块435的顶表面435a与金属性图案450的脊部分452的顶表面452a彼此共面且[0046]如图5B所示，金属性图案450的脊部分452从第二介电层420暴露出，且在脊部分例中，余留的晶种层445包括夹置在金属性区块435与金属性图案450的接头450A之间的第一部分445A以及夹置在余留的第二介电层420与金属性图案450(从第二介电层420突出的视图看，第一部分445A与第二部分445B被示出为两个同心环且环形脊部分452夹置在这两形状或多角形形状等其他形状也可适用。装到金属性图案450的接头450A且与金属性图案45[0049]图11是示出根据本公开一些实施例的形成连接结构的制造方法的工艺步骤的示根据本公开一些示例性实施例的示例性封装结构的一部分的示意性剖视放大图。在图6A中，封装结构60包括模塑在模塑化合物620中的至少一个管芯610以及穿透过模塑化合物合物620上以及位于模塑化合物620与导电球670之间的重布线层650。重布线层650与管芯653(由圆形虚线圈圈出)与金属性区块657合在一起可用作通孔，且接头653包括位于金属的RDL1连接，晶种层6445位于脊部分652与下伏的RDL1之间且晶种层6430位于金属性区块示的用于形成接头450A的工艺形成具有接头656的RDL1。在一些实施例中，在图6A及图6B的RDL1的金属性区块659及接头656(由矩形虚线圈圈出)用作接垫或球接垫，且导电球670直接接触金属性区块659的顶表面659a及接头656的脊部分655并位于金属性区块659的顶施例中，金属性区块659及晶种层6575位于接垫部分654的底表面654a上且镶嵌在脊部分655内。在某些实施例中，晶种层6575夹置在金属性区块659与脊部分655之间，而晶种层6580夹置在接头656与重布线层650的最底部介电层[0051]图7A至图7I是根据本公开一些示例性实施例的连接结构的制造方法中的各个阶[0054]在图7D中，在晶种层730上及第二介电层720之上形成掩模层740。在一些实施例的移除可与前面阐述的工艺相似且在本文中将不再重复所述细节。在其中金属性图案750夹置在金属性图案750与位于开口S5外部的第二介电层720之间且夹置在金属性图案750与括接头750A及路由迹线750B。于开口S3内且被第一介电层710环绕的柱体部分751以及位于主要位于开口S4内且被第二介电层720环绕的位于柱体部分751上方的插塞部分752。如果开口S3或S4是圆形开口或椭于圆形开口S4的尺寸(直径)，柱体部分751的尺寸(直径)小于插塞部分752的尺寸(直径)。一些实施例中，突出的柱体部分751的存在会增大接头750A与之后形成的导电球之间的接[0058]在图7F中，在金属性图案750及第二介电层720之上交替地依序形成介电层760、露出的柱体部分751及插塞部分752的暴露出部分上不余留晶种层730，其突出高度H8是从部分被余留的晶种层730及第二介电层7位于柱体部分751及插塞部分752的一部分正上方且直接接触柱体部分751及插塞部分752[0062]在前面的实施例中，本文所述接头750A与导电球770合在一起可被视为用于对管[0063]图8是根据本公开一些示例性实施例的示例性封装结构的示意性剖视图。在图8以及位于第一子封装82的模塑化合物820上以及位于模塑化合物820与导电球870之间的重性图案750。如在前面的实施例中所述，图7A至图7I所绘示的工艺可适用于形成重布线层[0064]图9A至图9H是根据本公开一些示例性实施例的封装结构中的连接结构的制造方第一介电层910之上共形地形成晶种层915以覆盖开口S6的侧壁以及暴露出的导电元件过移除掩模层920暴露出的晶种层915而余留的晶种层915位于金属性部分930与第一介电[0068]在图9E中，在第一介电层910上共形地形成另一个晶种层935且晶种层935共形地暴露出位于开口S6的位置上方的金属性插塞部分931的顶表面930a上的晶种金属性柱体部分950与金属性插塞部分931之间。金属性柱体部分950以一对一的方式连接[0072]在图9H中，在金属性柱体部分950及金属性插塞部分931上设置导电凸块970。另部分931的顶表面930a的正上方且直接接触柱体部分950及插塞部分931的顶表面930a。也些实施例中，接头960A包括夹置在柱体部分950与插塞部分931之间的晶种层935以及夹置[0073]在前面的实施例中，本文所述接头960A与导电凸块970合在一起可被视为用于对接接触所述接垫部分而没有所述第一晶种层位于所述导电球与所述接触从所述重布线层的所述第二表面突出的所述柱体部分及所述插塞部分而没有所述晶种垫部分的材料是相同的。根据本公开的一些实施例，所述导电球包括焊料球或球栅阵列工艺及结构的基础来施行与本文中所介绍的实施例相同的目的及/或实现与本文中所介绍