CN109841659B 显示面板和用于制造显示面板的方法 （三星显示有限公司）

本申请公开了显示面板和用于制造显示面2基础层，所述基础层包括第一区域和第二区域，其中所述第二区至少一个无机层，所述至少一个无机层与所述第一区域和所述第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管布置在所述至少一个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管布置在所述至少第二薄膜晶体管包括与所述第一区域重叠的氧化物半导体图案以及位于所述氧化物半导在所述第二输入区域与所述第二输出区域之间的发光元件，所述发光元件布置在所述有机层上，与所述其中，所述至少一个无机层和所述多个绝缘层中限定有所述信号线的一部分布置在所述有机层的所述一部分上并且所述信号线的所述一部所述多个绝缘层包括在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间的第一绝缘所述硅半导体图案设置在所述第一绝缘层下方，并且所述氧化物半导绝缘层中的至少一个绝缘层的接触孔电连接到所述第3第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一薄膜晶体管的所述硅半导体图案的上表第三绝缘层，所述第三绝缘层布置在所述第一绝缘层上，并第四绝缘层，所述第四绝缘层布置在所述第三绝缘层所述氧化物半导体图案的所述第二输入区域和所述第二输出区域分别布置在所述第所述第一电极和所述第二电极分别布置在所述第二输入区域和所述第二输出区域上上部电极，所述上部电极布置在所述第一绝缘层与所4[0007]在本发明示例性实施方式中，信号线的与第二区域重叠的部分可布置在有机层机层上并且通过形成在有机层中的接触孔连接到第一薄膜晶体管的5半导体图案重叠。第一绝缘层沿与基础层的上表面正交的方向与第一区域和第二区域重一接触孔和第二接触孔。第一蚀刻在第二区域中形成暴露至少一个无机层的第一上部凹6二输出电极中的每个可沿与基础层的上表面正交的方向与氧化光阻挡图案沿与基础层的上表面正交的方向与氧化物一个无机层上形成第一绝缘层至第三绝缘层，并且在至少一个无机层上形成硅半导体图案的一部分和至少一个无机层的沿与基础层的上表面正交的方向与第二区域重叠的部分。7个电极中的至少一个电极和至少一个无机层的沿与基础层的上表面正交的方向与第二区所述方法包括：在有机层上形成电连接到多个电极中的至少一个电极和信号线的发光元层上方定位至与数据线的第三部分的面向基础层的底层上方定位至与数据线的第三部分的面向基础层的底和图5O是根据本发明示例性实施方式的用于制造显示8[0050]图1A和图1B是根据本发明示例性实施方式的显示面板的立体图。图2是根据本发[0052]参照图1A，显示面板DP可在前表面DP-FS上包括显示区域DP-DA和非显示区域DP-GDC和/或信号线SGL的一部分。示例性实施方式不限于显示区域DP-DA或非显示区域DP-NDA的特定形状。例如，显示区域二区域BA可包括在弯曲状态下具有预定曲率的曲率区域CA和在弯曲状态下面对第一区域9[0057]像素PX可根据其上所显示的颜色而划分为多个组。像素PX可包括例如红色像素、号焊盘DP-PD中的每个可连接到信号线SG极管的发光层可包括有机发光材料。量子点发光二极管的发光层可包括量子点和量子棒。[0065]像素PX可包括有机发光二极管OLED和用于驱动有机发光二极管OLED的像素驱动薄膜晶体管T1上可提供有第一电源电压ELVDD，并且有机发光二极管OLED可提供有第二电电容器Cst中的电荷量对应地控制有机发光二极管OLED中所流动的驱动电流。第二薄膜晶体管T2可响应于施加到扫描线GL的扫描信号而输出施加到数据线DL的数据信号。电容器Cst可保持与从第二薄膜晶体管T2接收到的数据[0072]参照图1A、图1B和图2描述的显示面板DP的区域可以与上述用于显示面板DP的方[0075]阻挡层BRL可防止从外部引入外来物质。阻挡层BRL可包括氧化硅层和/或氮化硅[0076]缓冲层BFL可布置在阻挡层BRL上。缓冲层BFL可增加基础层BL与导电图案或半导[0077]缓冲层BFL上可布置有第一半导体图案OSP1。第一半导体图案OSP1可包括硅半导区域可限定为与第一控制电极GE1对应，而将在下文中对第一控制电极GE1进行更详细的描述。例如，第一控制电极GE1和第一半导体图案OSP1可沿第三方向DR3至少部分地彼此重叠域中的每个的导电率可相对高于沟道区域的导电率。输入区域和输出区域可掺杂有n型掺薄膜晶体管T1可以是p型晶体管。[0078]缓冲层BFL上可布置有第一绝缘层10。第一绝缘层10可与多个像素PX中的每个重直的第一方向DR1彼此面对。将在下文中更详细描述的其他层的上表面可指示在第三方向[0081]第二绝缘层20可基本上覆盖布置在第一绝缘层10上的第一控制电极GE1的上表面极GE2的上表面和侧表面以及上部电极UE的上表面和侧表面。第三绝缘层30可包括无机层域中的每个可包括杂质。第二半导体图案OSP2的沟道区域可被限定为从第二输入电极DE2域和输出区域中的每个可包括从包含在沟道区域中的金属氧化物还原的金属材料。因此，第二薄膜晶体管T2可减小漏电流并且可用作具有打开-关闭特性且具有提升的精度和可靠[0090]第一输入电极DE1和第一输出电极SE1可分别通过第一接触孔CH1和第二接触孔体图案OSP1的输入区域和输出区域。第一接触孔CH1和第二接触孔CH2可贯穿第一绝缘层[0091]第二输入电极DE2和第二输出电极SE2可分别连接到第二半导体图案OSP2的相对并且第二输出电极SE2的至少一部分可直接布置在第二半导体图案OSP极SE2中的每个的上表面和侧表面的第四绝缘层40可布置在第三绝缘层30上。第四绝缘层层50上可布置有连接电极CNE。连接电极CNE可通过第三接触孔CH3连接到第一输出电极上表面和侧表面的第六绝缘层60可布置在第五绝缘层50上。第六绝缘层60可被称为钝化布置在第六绝缘层60上。阳极AE可通过贯穿第六绝缘层60的第四接触孔CH4连接到连接电DA可包括多个发光区域PXA和围绕多个发光区域PXA的非发光[0100]空穴控制层HCL上可布置有有机发光层EML。有机发光层EML可仅布置在与开口OP[0102]有机发光层EML上可布置有电子控制层ECL。电子控制层ECL可包括电子传输层和装层TFE可包括两个无机层，且两个无机层之间布置有有机层。在本发明示例性实施方式封装层TFE的有机层保护有机发光二极管OLED免受如灰尘颗粒的外来物质的影响。虽然薄本发明示例性实施方式不限于此。虽然薄膜封装层TFE的有机层可包括基于丙烯酸的有机[0107]由于布置在与第二薄膜晶体管T2的输入电极DE2和输出电极SE2的层相同的层上的、第一薄膜晶体管T1的输入电极DE1和输出电极SE1可分别通过第一接触孔CH1和第二接体管T2的输入电极DE2和输出电极SE2的层相同的层上形成连接电极CNE的工艺。连接电极电极SE2以及第一薄膜晶体管T1的输入电极DE1和输出电极SE1通过分开的工艺形成，因此容器Cst通过与第一薄膜晶体管T1的部件的工[0109]电容器Cst的第一电极E1可布置在第一绝缘层10上。第一电极E1可通过与第一控[0110]第二绝缘层20可基本上覆盖第一电极E1的上表面和侧表面。电容器Cst的第二电上覆盖第二电极E2和上部电极UE的第三绝缘层30可布置在第二绝缘侧无机层的顶表面可从第一绝缘层10至第DR1上的宽度可大于曲率区域CA在第一方向D的掩模。例如，第五绝缘层50可通过单个连续的工艺形成在弯曲区域BA和非弯曲区域NBA[0120]在本发明示例性实施方式中，从布置在显示区域DP-DA上的层延伸的层可进一步层10上形成导电层且然后对其进行图案化来形成。可通过与第一控制电极GE1的工艺相同[0127]可通过使用第一控制电极GE1作为掩模来掺杂第一初步半导体图案OSP1-P。与第制电极GE2的工艺相同的工艺形成上部电极UE。可通过与上部电极UE的工艺相同的工艺形[0129]参照图5D，可在第二绝缘层20的第一区域NBA和第二区域BA上形成基本上覆盖第定第一接触孔CH1和第二接触孔CH2以及第一包括含氧的等离子体。蚀刻气体可降低第二初步半导体图案OSP2-P的从第二输入电极DE2征，同时沟道区域的电阻大于第二初步半导体图案OSP2-P的由第二输入电极DE2和第二输例如，第二上部凹槽GV-22的内表面可沿第一方向DR1与第一上部凹槽GV-21的内表面间隔接触孔CH3-40和CH3-50可限定第三[0142]参照图5N，可在第五绝缘层50上形成基本上覆盖连接电极CNE以及信号线DL的与第二区域BA重叠的部分的第六绝缘层60。可在第六绝缘层60中形成暴露连接电极CNE的顶[0144]可在像素限定层PDL的第一区域NBA上顺序地形成空穴控制层HCL、有机发光层[0145]可在阴极CE上形成薄膜封装层TFE。可通过沉积或喷墨印刷工艺形成薄膜封装层施方式的显示面板的一部分的剖视图。图9是根据本发明示例性实施方式的显示面板的一[0148]参照图6，第二半导体图案OSP2与第二输入电极DE2和第二输出电极SE2两者之间的布置关系可改变。因为第二半导体图案OSP2可在形成第二输入电极DE2和第二输出电极层50上并且通过第三接触孔CH3连接到第一输出电极SE1。信号线DL的与第二区域BA重叠50上。CH5和第六接触孔CH6将第一部分DL-P1连接到第三部分DL-P3。第二部分DL-P2可与曲率区上表面正交的方向延伸到与第六接触孔CH6的深度基本上相同的深度。信号线DL的第一部分DL-P1的面向基础层BL的底表面可在基础层BL上方定位至与信号线DL的第三部分DL-P3的面向基础层BL的底表面的深度基本上相BL的底表面可在基础层BL上方定位至与信号线DL的第三部分DL-P3的面向基础层BL的底表电极SE1和SE2的工艺相同的工艺形成，并且可布置在与输入电极DE1和DE2以及输出电极和第五绝缘层50。第五接触孔CH5和第六接触孔CH6中的每个可通过与第三接触孔CH3的工[0157]参照图8C，第一部分DL-P1和第三部分DL-P3可通过与第一控制电极GE1的工艺相第五接触孔CH5和第六接触孔CH6中的每个可通过与第三接触孔CH3的工艺相同的工艺形用于形成第五接触孔CH5和第六接触孔CH6的光刻[0158]第一部分DL-P1和第三部分DL-P3中的一个可通过与第一输入电极DE1、上部电极UE和第一控制电极GE1中的一个的工艺相同的工艺形成，并且可布置在与第一输入电极第三部分DL-P3中的另一个可通过与第一输入电极DE1、上部电极UE和第一控制电极GE1中极GE1中的所述一个的层相同的层上。根据第一部分DL-P1和第三部分DL-P3中的每个的位孔CH5和第六接触孔CH6的深度可以不同的方式[0162]光阻挡图案LSP可包括具有相对高的光吸收率或相对高的光反射率的材料。光阻挡图案LSP可布置在第二半导体图案OSP2上方，以阻挡由有机发光二极管OLED产生且随后[0166]由于形成暴露布置在显示区域上的半导体图案的一部分的接触孔的工艺和移除