CN110739288B 毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法 （河北新华北集成电路有限公司）

毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法本发明提供了一种毫米波频段放大器芯片上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质了高频波段的损耗，提高了芯片的自身射频性2芯片的上表面外周设有若干个芯片直流端口以及至封盖设置于所述封装基板上且用于封盖所述封装基板，所述封盖设有开口向下的内所述第一金属层包括若干个与所述芯片直流端口相对应的第一直流端口以及与所述所述第二金属层上与所述第一直流端口和所述第一射频端口上下对应的位置设有避所述第三金属层包括若干个与所述第一直流端口上下一一相对应的第三所述第一射频端口上下一一对应且相连的第三射频端口以及位于若干个所述第三直流端所述第一射频端口远离所述芯片的一端设有第一半圆部，所述第近所述第一射频端口的一侧与所述第三金属层之间还设有若频端口两侧的两个所述角部金属层之间还设有用于避让所述第一射频三金属层的底面上设有位于所述第三射频端口两侧且用于与PCB板连接的第一接地端口，所述第三金属层的底面上还设有位于所述容纳槽下方的第8.一种制作如权利要求1-7任一项所述的毫米波频段放大器芯片封装结构的方法，其3粘接所述芯片与所述封装基板上：将所述封装基板放置在粘连接所述芯片射频端口至对应的所述第一射频端口上并连接所述芯片直流端口至所4[0002]随着毫米波频段技术的发展，毫米波通信技术被广泛应用于移动通信、雷达探[0003]目前，微波射频芯片多采用塑封封装工艺。该工艺首先制作金属的封装载体框[0004]本发明的目的在于提供一种毫米波频段放大器芯片封装结构及制作该封装结构[0006]作为本申请另一实施例，第一金属层包括若干个与芯片直流端口相对应的第一直流端口以及与芯片射频端口相对应的第一射频端口，相邻两个第一直流端口之间间隔属层包括若干个与第一直流端口上下一一相对应的第三直流端口、与第一射频端口上下个第三直流端口之间间隔设置，且第三直流端口与第一中心层之[0007]作为本申请另一实施例，第一金属层还包括四个分别设置于第一介质层的四角处的角部金属层，角部金属层靠近第一射频端口的一侧与第三金属层之间还设有若干个[0008]作为本申请另一实施例，位于第一射频端口两侧的两个角部金属层之间还设有[0009]作为本申请另一实施例，第二金属层还包括设置于避让槽内的第二射频端口和5频端口靠近芯片的一端设有第二半圆部，第二半圆部与第一半圆部上下对应且通过金属[0013]作为本申请另一实施例，第三金属层的底面上设有位于第三射频端口两侧且用[0017]连接芯片射频端口至对应的第一射频端口上并连接芯片直流端口至第一直流端[0019]本发明提供的毫米波频段放大器芯片封装结构的有益效果在于：与现有技术相比，本发明提供的毫米波频段放大器芯片封装结构形式，采用封装基板和封盖结合的形[0020]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描[0021]图1为本发明实施例提供的毫米波频段放大器芯片封装结构的封装基板的实施[0022]图2为本发明实施例提供的毫米波频段放大器芯片封装结构的封装基板的实施[0023]图3为本发明实施例提供的毫米波频段放大器芯片封装结构的主视剖视结构示6[0031]请一并参阅图1至图7，现对本发明提供的毫米波放大器芯片封装结构及制作该若干个芯片直流端口120以及两个芯片射频端口110；封装基板上设有自上而下顺次层叠为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的该特征。毫米波放大器芯片封装结构形式，采用封装基板和封盖300结合的形式，并在封装基板上设置容纳槽260的形式实现对芯片100的容纳，有效的缩短了芯片100的芯片射频端口110面与封装基板的顶面相连，使得与封装基板顶面齐平的芯片100与封盖300的内腔310之间设有间隙，进而使芯片射频端口110或芯片直流端口120能够直接接触空气，避免了传统7为两个，对应的第一射频端口211和第二射频端口221也设置为与芯片射频端口110数量一若干个与芯片直流端口120相对应的第一直流端口212以及两个与芯片射频端口110相对一直流端口212和第一射频端口211上下对应的[0036]第三金属层230包括若干个与第一直流端口212上下一一相对应的第三直流端口[0037]本实施例中，芯片射频端口110与对应的第一射频端口211通过键合丝140相频端口211与第二射频端口221采用共面波导线进行连接。第三金属层230上的第三射频端介质层250以及第三金属层230能够实现多层布线，有效的满足射频布线和电源布线的要与封装基板的粘接实现结构的密封，相比传统的注塑式塑封而言，粘接操作十分简单方8片100的顶面与封装基板的顶面持平。该设置能够缩短芯片射频端口110与第一射频端口211之间的距离，且有效的减小了键合丝140的弯曲弧度。同时芯片100固定于容纳槽260频端口211距离的进一步缩短，应减小芯片100设有芯片射频端口110的两侧边与容纳槽而芯片100另外两条侧边则不限制与容纳槽260另外两侧壁的间距，可以采用较大的间距三直流端口232之间金属化通孔270的[0049]作为本发明实施例的一种具体实施方式，请参阅图2至图3，位于第一射频端口211两侧的两个角部金属层213之间还设有用于避让第一射频端口211的外扩口215，第二括设置于避让槽223内的第二射频端口221和第二直流端口222，第二射频端口221与第一频端口221为与第二金属层220间隔设置的圆形金属片，第二射频端口221设置在避让槽9[0051]本实施例中，在避让槽223设置了第二射频端口221和第二直流端口222，采用该结构作为中心导体的第三金属层230上的第三射频端口231及走线加和第一金属层210上的第一射频端口211及走线的周围有较完整的参考地平面，虽然射频走线宽度较小，射频一半圆部214和第二半圆部234采用金属化通孔270连接的方式可以降低第三金属层230上[0057]第二金属层220、铜条280和第一中心层233相结合的设置形式降低了芯片100的纳槽260长度方向的方向设置的形式，还可以采用与容纳槽260长度方向呈一定夹角设置[0058]进一步的，铜条280还可以设置为位于容纳槽260下方的铜材质的圆柱体构件的下方对应的第三金属层230的底面上设有用于与PCB板的铺地金属层连接的第二接地端口236的设置可以使封装基板的铺地金属层(也就是第三金属层230)与PCB板的铺地金属层合的胶粘层，芯片100与容纳槽260采用导电胶粘接。封盖300通过底面外周的胶粘层实现第二介质层250以及第三金属层230。第一介质层240和第二介质层250选用厚度为60um的在第一介质层240上开设容纳槽260，开槽深度为60um，容纳槽260底部露出第二金属层[0064]3.键合芯片射频端口110与第一射频端口211并键合芯片直流端口120与第一直流端口212，将已经粘接好芯片100的封装基板放置到键合台上，加热到键合需要的温度封装基板正上方，保持封装基板及封盖300温度125℃不变，施加一定压力，保持10min-[0066]最后对封装好的产品