CN110858596B 显示装置及其制造方法 （三星显示有限公司）

US5156986A,1992.10.202栅极布线图案，设置在所述第二绝缘层上并且包括第一下层和第一上层，括钼。绝缘层与所述第三绝缘层之间并且与所述第在所述第二绝缘层上形成栅极金属层，所述栅极金属层包括包通过使用与所述第一蚀刻气体不同的第二蚀刻气体来蚀刻所述下层3在所述第三绝缘层上形成包括氧化物半导体的第使用包括SF6和O2的处理气体的等离子体来处理所在所述栅极金属图案上形成第三绝缘层，所述第三绝缘层包4[0005]发明的示例性实施例提供了具有改善了的可靠性的显示装置和制造该显示装置[0006]发明构思的附加特征将在以下描述中被阐述，并且部分[0008]第一下层的厚度可以是大约SOA至大约300A,并且第一上层的厚度可以是大约[0011]下阻隔层的厚度可以为大约200A至大约100OA,并且上阻隔层的厚度可以为大[0012]该显示装置还可以包括设置在第二绝缘层与第三绝缘层之间并且与第二有源图5与底栅电极叠置且包含氧化物半导体的第二有源图案以及设置在第二有源图案上的顶栅刻上层；通过使用与第一蚀刻气体不同的第二蚀刻气体来蚀刻下层以形成栅极金属图案；6时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或者直接结合到所述另一元列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。语。7[0033]在这里参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖面图和/或分公开作为其一部分的领域的普通技术人员所用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含[0035]图1至图11是示出根据示例性实施例的用于制造有机发光显示装置的方法的剖视[0040]例如，可以通过溅射、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积8第一绝缘层120可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的单层结而形成第一栅电极GE1。例如，可以通过使用等离子体等的干蚀刻法来蚀刻第一栅极金属大约S50A至大约300A,并且上层HL的厚度可以为大约2000A至大约2500A.以这种方9[0060]当通过包括含氟化合物的第一蚀刻气体来蚀刻第二栅极金属层GL2时，从第一蚀不同金属层的多层结构。第一有源图案AP1的掺杂区域PD1和PD2暴露与第二源电极SE2间隔开的第二漏电极DE2以及与第二栅电极GE2接触的栅极连接电极GCE[0077]可以在第六绝缘层180上设置像素限定层190。像素限定层190可以包括使下电极[0084]在示例性实施例中，有机发光显示装置可以具有其中光穿过上电极230射出的前第一栅电极GE1可以设置在第一有源图案AP1上并且可以与沟道区域CH1叠置。第一源电极[0088]在示例性实施例中，氧化物基半导体元件可以用作开关晶体管以控制驱动晶体光显示装置与在图11中示出的有机发光显示装置具有基本[0093]第三绝缘层140可以包括：下阻隔层142，与第二绝缘层130和栅极布线图案GP接[0096]以这种方式，第三绝缘层140可以防止设置在第三绝缘层140上的第二有源图案隔层142的厚度可以是大约200A至大约1000A,并且上阻隔层144的厚度可以是大约[0100]图13至图16是示出根据示例性实施例的用于制造有机发光显示装置的方法的剖绝缘层120上形成第一栅电极GE1。局部地掺杂半导体图案，从而形成包括第一掺杂区域图案PR2可以与第一栅电极GE1叠置，并且第三光致抗蚀剂图案PR3可以与第二光致抗蚀剂不同金属层的多层结构。在示例性实施例中，第二栅极金属层GL2可以包括钼或者它的合图案PR2下方的栅极布线图案GP和设置在第三光致抗蚀剂图案PR3下方的底栅电极BGE的栅36或者它们的组合。[0108]当通过包括含氟化合物的蚀刻气体来蚀刻第二栅极金属层GL2时，从蚀刻气体产生的氟离子可能残留在第二绝缘层130的表面上，或者可能与第二绝缘层130的绝缘材料层130。表面处理可以去除残留在第二绝缘层130上的氟离子或者去除与氟结合的氮化硅。[0110]可以在去除第二光致抗蚀剂图案PR2和第三光致抗蚀剂图案PR3之前或者之后执置在第二有源图案AP2上的顶栅电极TGE以及设置在顶栅电极TGE与第二有源图案AP2之间和栅极连接电极GCE的第一数据金属图案。第一源电极SE1与第一有源图案AP1的第一掺杂绝缘层170，从而连接电极CE与第一漏电极DE1接触。形成第六绝缘层180以覆盖连接电极隔绝缘层的第三绝缘层140设置在底栅电极BGE与第二有源图案AP2之间，所以可以防止来实施例的有机发光显示装置与图16中示出的有机[0123]底栅电极BGE包括包含钛或钛合金的下层GEb和包含钼或钼合金的上层GEa。栅极布线图案GP包括包含钛或钛合金的下层GPb和包含钼或[0124]在示例性实施例中，底栅电极BGE和栅极布线图案GP可以由包括包含钛或钛合金[0126]因此，可以通过除了含氟化合物之外的材料的等离子体来蚀刻与第二绝缘层130[0130]例如，有机发光显示装置的硅基半导体元件可以具有如图18中所示的NMOS构[0131]第一高掺杂区域NHD1和第二高掺杂区域NHD2可以被掺杂有具有高浓度的诸如磷、[0133]第一低掺杂区域NLD1可以设置在第一高掺杂区域NHD1与沟道区域CH1之间，并且第二低掺杂区域NLD2可以设置在第二高掺杂区域NHD2与[0134]第一高掺杂区域NHD1可以连接到第一源电极SE1，并且第二高掺杂区域NHD2可以[0135]具有NMOS构造的第一有源图案AP1可以应用于在图11、图12和图17中示出的有机[0137]根据示例性实施例，包括底栅电极或栅极布线图案的栅极金属图案具有包括钼/于本领域普通技术人员而言将清楚的各种明显的修改和等同布置的