CN110911504B 制造晶硅太阳能电池片的方法以及晶硅太阳能电池片 （通威太阳能(眉山)有限公司）

制造晶硅太阳能电池片的方法以及晶硅太本发明涉及一种制造晶硅太阳能电池片的的N型多晶硅钝化层以及位于N型硅片的顶表面上的由硼掺杂步骤而生成的P型掺杂层，在设置晶硅太阳能电池片时在对N型硅片的顶表面进行硼掺杂之前先制备N型多晶硅钝化层。根据本发明，在制造过程中先生成N型多晶硅钝化层之后再在硅片表面进行硼掺杂，因而在生成N型多晶即使有磷绕镀到顶表面也不会对太阳能电池片2片时在对所述N型硅片的顶表面进行硼掺杂之前先制备所述N型钝2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，3.根据权利要求2所述的方法，其特征在4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述N型硅片所述N型硅片的边缘和所述N型多晶硅钝化层的底表面进行刻蚀的步骤由化学湿法和/或干骤之后的如下步骤：在所述氧化铝钝化膜的顶表面和所述N型钝化层的底表面上设置氮化9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，设置所述N型钝化层的步骤包括：利用入的方法实现，使得所述P型掺杂层的表面方阻为40a/□-300a/□。12.一种根据权利要求1-11中任意一项所述的方法制造成的晶硅太阳能电池，其特征的结构层之前预先配置的N型钝化层，所述N型钝化层为多晶硅钝化层或掺杂碳化硅钝化3的顶表面上和所述N型钝化层的底表面上的氮化硅减反膜、氮氧化硅减反膜或碳化硅减反15.根据权利要求12所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述N型钝化层的厚度为4产效率可以超过22然而PERC太阳能电池转换效率再往上提升会受到较多限制。目前一种新型的钝化接触结构可以在现有PERC技术基础上通过叠加2-3道工序降电池转换效率提[0005]现有的用于晶硅太阳能电池片的钝化接触技术是在N型晶硅背面制备N型掺杂的[0008]本发明的目的在于，提供一种制造晶硅太阳能电池片的方法和晶硅太阳能电池因而在生成N型钝化层时硅片的顶表面还没有形成PN结，此时即使有磷绕镀到顶表面也不5硅片、位于所述N型硅片底表面上的N型钝化层以及位于所述N型硅片的顶表面上的由硼掺置所述晶硅太阳能电池片时在对所述N型硅片的顶表面进行硼掺杂之前先制备所述N型钝[0016]对所述N型硅片的顶表面进行硼掺杂或离子注入从而在所述N型硅片的顶表面形[0017]在一种实施方式中，所述方法还包括在对所述N型硅片的顶表面进行硼掺杂的步和所述N型钝化层的底表面进行刻蚀的步骤由化学湿法和/[0020]在一种实施方式中，所述方法还包括在设置氧化铝钝化膜的步骤之后的如下步碳化硅减反膜，并使所述氮化硅减反膜、氮氧化硅减反膜或碳化硅减反膜的厚度形成为所述P型掺杂层的表面方阻为40a/□-300a/□。6[0028]在配置所述N型硅片的顶表面的结构层之前预先配置的隧穿层，所述隧穿层设置[0029]在配置所述N型硅片的顶表面的结构层之前预先配置的N型钝化层，所述N型钝化[0032]在一种实施方式中，还包括在所述氧化铝钝化层的顶表面上和所述N型钝化层的[0036]根据本发明，在制造太阳能电池片的过程中先生成N型钝化层之后再在硅片表面[0042]本发明提供了一种制造晶硅太阳能电池片的方法及晶硅太阳能电池片。图1示出[0043]图1示出了根据本发明的一个优选实施方式的制造晶硅太阳能电池片的方法的示7[0047]S2为在二氧化硅隧穿层的底表面上设置N型多晶硅钝化层(或掺杂碳化硅钝化层)N型硅片的边缘和N型钝化层的底表面上的硼。该步骤例如可以由化学湿法和/或干法刻蚀破坏P型掺杂层和PN结，而本发明由于设置N型钝化层的步骤在N型硅片的顶表面硼掺杂的[0053]S61例如可以为在氧化铝钝化膜的顶表面和N型钝化层的底表面上设置氮化硅减[0055]图2和图3示出了根据上述方法所制成的晶硅太阳能电池片1的示意图，晶硅太阳层6和在配置N型硅片2的顶表面的结构层之前预先配置的N型钝化层7。栅线又包括副栅线片2顶侧的顶侧副栅线8和位于N型硅片2底侧的底侧副栅线结的结构。氧化铝钝化层4设置在P型掺杂层3上且氧化铝钝化层4的厚度大致为1nm-20nm。二氧化硅隧穿层6设置在N型硅片2的底表面上并且其厚度大致为0[0057]N型钝化层7设置在二氧化硅隧穿层6的底表面上，且N型钝化层7为掺杂磷的钝化8[0058]优选地，氧化铝钝化层4的顶表面和N型钝化层7的底表面上还可以设置氮化硅减[0061]本发明的多种实施方式的以上描述出于