CN110957280B 半导体结构及其形成方法 （长鑫存储技术有限公司）

CN209183531U,2019.07.30本发明提供了一种半导体结构及其形成方缘介质层的应力作用下导致基底发生翘曲的问方面还可以避免应力缓冲层下方的膜层受到水2钝化层覆盖所述互连结构。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应力缓冲层的厚度介于10nm~述隔离介质层位于所述绝缘介质层和所述聚酰亚胺形成钝化层在所述基底上，所述钝化层包括绝缘介质层和应力缓冲形成聚酰亚胺保护层在所述第二介质材料层上，所述聚酰亚胺保护层3形成第一介质层在所述基底上，所述第一介质层中形成有凹槽以形成缓冲材料层在所述基底上，所述缓冲材料层覆盖所述第一介质层形成第二介质材料层在所述缓冲材料层上，并在所述缓冲材壁连接至所述接触焊垫，并利用所述第二介质层靠近所述接触焊垫的侧壁围绕出所述开4盖所述基底并利用所述开口暴露出至少部分所述接触焊5盖所述基底并利用所述开口暴露出至少部分所述接触焊6[0034]图4a～图4d为本发明实施例三中的半导体结构的形成方法在其制备过程中的结[0036]图6a～图6c为本发明实施例四中的半导体结构的形成方法在其制备过程中的结[0052]以下结合附图和具体实施例对本发明提出的半导体结构及其形成方法作进一步7化层200的开口200a覆盖所述接触焊垫110的边[0059]进一步的，所述接触焊垫110包括右下至上依次堆叠的底层金属扩散阻挡层111、冲层220制衡所述绝缘介质层的应力作用，缓解较大厚度的绝缘介质层在应力作用下发生[0063]本实施例中，所述基底100上形成有凸出于基底顶表面的上层互连线123和接触沿着所述基底表面相应的呈现为凹凸不平的形貌，例如所述应力缓冲层220对应于上层互介质层210，所述绝缘介质层中位于所述应力缓冲层220上方的部分构成所述第二介质层8[0070]如上所述，所述聚酰亚胺保护层240能够结合光刻工艺界定出钝化层的图形。然一介质层210的侧壁被所述应力缓冲层220覆盖，因此所述应力缓冲层220不仅能够从互连扩散阻挡层113仍被保留，因此所述应力缓冲层220延伸至所述接触焊垫110的边缘位置并施例三中的半导体结构的形成方法的流程示意图，图4a～图4d为本发明实施例三中的半9及位于不同结构层中的互连线之间可利用导电插和互连结构的顶层互连线位于同一结构层中，并可以进一步与所述上层互连线电性连接。[0083]本实施例中，所述接触焊垫110包括由下至上依次堆叠的底层金属扩散阻挡层钝化层200包括绝缘介质层和应力缓冲层220，所述应力缓冲层220沿着基底表面的方向穿200a，所述钝化层200覆盖所述基底100并利用所述开口200a暴露出至少部分所述接触焊[0089]步骤S220，具体参考图4c所示，形成聚酰亚胺保护层240在所述第二介质材料层而可利用所述隔离介质材料层250a隔离其下方的水汽，以确保聚酰亚胺保护层240中的图[0091]步骤S230中，具体参考图4d所示，以所述聚酰亚胺保护层240为掩膜执行刻蚀工[0092]本实施例中，在以所述聚酰亚胺保护层240为掩膜刻蚀至所述第一介质材料层之本发明实施例四中的半导体结构的形成方法在其制备过程中的结构用应力缓冲层从开口的侧壁上阻隔外界的水汽侵入。因此，下面仅对本实施例中的步骤介质层210中形成有凹槽211以暴露出至少部分所述冲材料层220a覆盖所述第一介质层210，并覆盖所述凹槽的侧壁。同时，所述缓冲材料层所述缓冲材料层220a中覆盖所述凹槽侧壁的部分，并且所述聚酰亚胺保护层240中形成有亚胺保护层240在高度方向上的投影能够对应遮盖所述缓冲材料层220a覆盖凹槽侧壁的部使聚酰亚胺保护层240形成在所述隔离介质材料依次刻蚀所述第二介质材料层和所述缓冲材料层，以分别形成第二介质层230和应力缓冲接触焊垫110，并利用所述第二介质层230靠近所述接触焊垫110的侧壁围绕出所述开口离介质层250和所述聚酰亚胺保护层240共同构成所述钝化层200，进而形成如上所述的半而能够防止应力缓冲层下方的膜层受到水汽侵蚀