CN110993368B 一种复合电极材料及制备方法、超级电容器 （华东理工大学）_第1页
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文档简介

本发明公开了一种复合电极材料及制备方2纳米线/铜基底浸泡在前驱体液温度为400～500℃；3)以(CuO-Cu2O@C)/铜基底22O@C”2O@C”2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述反应的时间为10~升温速率为3℃/min。317.如权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述电解液中，所述硫脲的浓度为4[0004]本发明所要解决的技术问题在于克服了现有技术中硫化镍作为电极材料时导电性差以及碳材料作为电极材料时比电容低的缺陷，而提供了一种复合电极材料及制备方性能较佳的复合电极材料存在一定的技术难题。比如难以克服将以金属-有机框架(MOFs，Metal-OrganicFrameworks)为碳源的碳层均匀的包覆在CuO-Cu2O纳米线的表面、以及硫[0006]本发明的发明人经过创造性的劳动筛选多次实验条件，得到了本发明的技术方5[0011](3)以所述(CuO-Cu2O@C)/铜基底为工作电极，通过电沉积即得(CuO-Cu2O@C@员均知晓所述的HKUST-1指的是以均苯三甲酸为有机配体和以铜离子为金属离子的金属-[0020]所述氢氧化钠或者所述过硫酸铵溶液中的溶剂可为本领域常规的溶剂，一般为6甲酰胺滴入含有所述均苯三甲酸、所述聚乙烯吡咯烷酮和所述水的混合液后搅拌均匀即[0036]步骤(2)中的CuO-Cu2O是由所述HKUST-1中的铜源经退火得到，所述Cu[0044]步骤(3)中，所述电解液中，氯化镍的浓度可为本领域常规，较佳地为0.04~-1。[0045]步骤(3)中，所述电解液中，所述硫脲的浓度可为本领域常规，较佳地为0.5~-1。7[0058]本发明筛选了特定的MOFs材料的原料组分以及MOFs材料的制备工艺得到了[0067](1)Cu(OH)2纳米线/泡沫铜的制备：称取0.913g过硫酸铵于烧杯中，向其中加入82指的是本实施例中步骤(1)得到的Cu(OH)2纳的是本实施例步骤(2)制备得到的(CuO-Cu2O@C)/泡沫铜。图中CuO-Cu2O@C@Ni3S2指的是本[0079]在实施例2的基础上不进行步骤(1)中HKUST-1/泡沫铜的制备的操作得到的是不9[0080]同样地，中国专利文献CN110504107A也是直接在氧化铜纳米阵列上电沉积硫化[0084]本发明实施例2和3的复合电极材料的形貌与实施例1相同，均是纳米线阵列结构复合电极材料需要在CuO-Cu2O表面均匀的包覆一碳层的同时还需要有特定的退火温度以维持纳米线的阵列结构，才能实现本发明的效果。当退火的温度低于400℃,不能保证[0086]分别以实施例1～3和对比例1得到的复合电极材料为工作电极、铂片为对电极，tV[0087]图3为实施例2中制得复合电极材料在5～100mV不同扫描

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