CN111009575B 半导体器件及其制造方法 （现代自动车株式会社）

US2008061364A1,2008.2PN结部分布置在所述第一栅极和所述第二34[0002]本申请要求于2018年10月5日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2018-[0004]功率半导体器件尤其需要低导通电阻或低饱和电[0005]功率半导体器件中的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是在数字电路和[0009]完成的本发明致力于弛豫集中至沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管5[0018]半导体器件可以进一步包括布置在p型区上并且与沟槽的横向表面隔开的p+型[0025]图1是示意性地示出了根据本发明的示例性实施方式的半导体器件的横截面的实[0029]图9是示意性地示出了根据本发明的另一示例性实施方式的半导体器件的横截面[0031]图11是示意性地示出了根据本发明的另一示例性实施方式的半导体器件的横截[0032]图12是示意性地示出了根据本发明的另一示例性实施方式的半导体器件的横截6味着放置在用作参考的部分上或以下，但是不必意味着基于与重力方向相反的方向放置在被理解为暗示包括所指定的元件但不排除任何[0039]图1是示意性地示出了根据本发明的示例性实施方式的半导体器件的横截面的实[0046]栅极600包括第一栅极610和第二栅极620。第一栅极610与布置在沟槽350的下表800布置在第二栅极620上并且覆盖第二栅极620的横向表面。氧化膜800可包括二氧化硅底100的第二表面上。在本文中，衬底100的第二表面表示与衬底100的第一表面相对的表7[0053]图2是示意性地示出了图1的半导体器件的关断状态的示图。图3是示意性地示出[0062]然后，将参考表1描述根据本示例性实施方式的半导体器件的特征与普遍的半导[0065]在表1中，在几乎相同的电流密度上比较根据实例1的半导体器件和根据比较例18型区400还可以通过外延生长形成在p型区型区300和n+型区并且形成在n-型层[0082]图9是示意性地示出了根据本发明的另一示例性实施方式的半导体器件的横截面[0085]栅极600包括第一栅极610和第二栅极620。第一栅极610布置为从沟槽350的横向9[0087]然后，将参考表2描述根据本示例性实施方式的半导体器件的特征与普遍的半导[0090]在表2中，在几乎相同的电流密度上比较根据实例2的半导体器件和根据比较例1[0096]制造图9的半导体器件的方法仅在形成栅极600的方法上与制造图1的半导体器件[0098]参考图10，通过蚀刻第一栅极材料层610a的一部分形成第一栅极610。第一栅极栅极610的下表面和横向表面中的栅极绝缘[0100]图11是示意性地示出了根据本发明的另一示例性实施方式的半导体器件的横截[0104]栅极600包括第一栅极610和第二栅极620。第一栅极610的下表面与栅极绝缘层横向表面的边界可以与第二栅极620的横向表面的边底100的第二表面上。在本文中，衬底100的第二表面表示与衬底100的第一表面相对的表[0109]图12是示意性地示出了根据本发明的另一示例性实施方式的半导体器件的横截[0112]栅极600包括第一栅极610和第二栅极620。第一栅极610的下表面与栅极绝缘层布置在第二栅极620上并且覆盖第二栅极620的横向表面。氧化膜800可包括二氧化硅[0114]尽管已经结合目前被视为实际的示例性实施方式描述了本发明，但是应理解的